技術編號：2926940
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種質(zhì)鐠儀和一種離子質(zhì)量分析方法。背景技術常常有必要將離子從可以維持于相對高壓的質(zhì)鐠儀的電離區(qū)轉(zhuǎn)移到 維持于相對低壓的質(zhì)量分析器。已知道4吏用一個或多個射頻(RT)離子 引導器將離子從電離區(qū)輸送到質(zhì)量分析器。已知il^約10—3-1 mbar的中 壓下運轉(zhuǎn)RF離子引導器。還知道在存在非均勻AC或RF電場的情況下帶電粒子或離子上的時 間平均力能將帶電粒子或離子加速到電場較弱的區(qū)。電場的最小值常稱為 偽勢谷或阱。已知的RT離子引導器以如下方法利用此現(xiàn)...
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