技術(shù)編號(hào)：2895448
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體處理裝置中使用的電極的結(jié)構(gòu)和使用該電極的等離子體處 理裝置。更詳細(xì)而言，涉及用于對(duì)因在平行平板型的電極間生成等離子體而消耗的高頻的 電場(chǎng)強(qiáng)度分布進(jìn)行控制的等離子體處理裝置用的電極的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)作為通過等離子體的作用在被處理體上實(shí)施蝕刻、成膜等微細(xì)加工的裝置，電容 耦合型(平行平板型)等離子體處理裝置、感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置、微波等離子體處 理裝置等已被實(shí)用化。其中，在平行平板型等離子體處理裝置中，向相對(duì)設(shè)置的上部電極和 下部電極中的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。