技術(shù)編號(hào)：2777581
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高反差比膜片掩膜，具體地說，涉及一種膜片掩膜，用于電子束平版印刷或X射線平版印刷。本發(fā)明還涉及一種制成這種膜片掩膜的方法。一種膜片掩膜，在制作半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過程中用于電子束平版印刷和X射線平版印刷。這種膜片掩膜一般包含掩膜主體圖樣，用作散射電子束的散射膜和吸收X射線的吸收膜，還包含用于支撐掩膜主體圖樣的膜片掩膜，以及用于支撐膜片掩膜的硅基板。下面先參照附圖說明圖1A至1C敘述制成膜片掩膜的常規(guī)技術(shù)。利用CVD技術(shù)在硅晶片41上沉積3μm厚的氮化...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。