技術(shù)編號：2775375
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包含對低介電常數(shù)層間絕緣膜構(gòu)圖工序的電子器件的制造方法和能量線吸收材料。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體元件的高性能化，在半導(dǎo)體基板上形成的多層配線的電阻值和配線間容量值減少成了問題。因此，對于配線電阻，以往采取用低電阻的銅來代替鋁或鎢作為配線材料的對策。另一方面，對于配線間容量，以往采取例如用導(dǎo)入氟的氟化氧化硅膜(SiOF摻氟氧化硅)來代替氧化硅膜作為層間絕緣膜的對策。氟化氧化硅膜的介電常數(shù)低，有利于配線間容量的降低。另外，除了氟化氧化硅膜之外，也在低介電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。