技術(shù)編號：12888904
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子與納米電子器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金剛石材料溝道導(dǎo)電特性優(yōu)化方法。背景技術(shù)隨著晶體管特征尺寸的縮小，由于短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，主流硅基材料與CMOS技術(shù)正發(fā)展到10納米工藝節(jié)點而很難繼續(xù)提升。目前，金剛石因其優(yōu)良的特性被認(rèn)為是新一代集成電路半導(dǎo)體材料。金剛石具有超寬的禁帶寬度(5.7eV)、極高的導(dǎo)熱率(2000w/(m·k))、大的擊穿電場(10MV/cm)以及高的載流子(電子和空穴)遷移率，在高頻、大功率和光學(xué)元件中有廣泛應(yīng)用前景。但是，一方面金剛石的后期摻...
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