技術(shù)編號(hào):12039834
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種兼顧248nm附近波段和365nm附近波段的光強(qiáng)度,并在各波段下在使用壽命中的光強(qiáng)度的保持率高的超高壓汞燈。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝已知有曝光工序,其利用曝光技術(shù),使用所謂光刻機(jī)(stepper)的裝置,對(duì)涂布于硅晶片的抗蝕劑隔著光刻膠照射紫外線(xiàn),重復(fù)該曝光工序,而制造層疊有細(xì)微的圖案的半導(dǎo)體芯片。但是,在硅晶片上,除了包含形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的區(qū)域以外,還存在沒(méi)有被利用的周邊部。高效除去殘留于該周邊部的抗蝕劑是提高半導(dǎo)體芯片制造的效率和成品率等生產(chǎn)性的重要的工藝技術(shù)。近年來(lái),隨...
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