技術(shù)編號(hào)：12036404
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子封裝技術(shù)、3DIC封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種TSV封裝結(jié)構(gòu)的制備方法及其所制備的TSV封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)疊層芯片封裝技術(shù)，簡(jiǎn)稱3DIC封裝技術(shù)，是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù)。作為3DIC封裝技術(shù)中的一種，TSV(英文：ThroughSiliconVia，中文：硅通孔)封裝技術(shù)利用垂直硅通孔完成芯片的互連，由于連接距離更短、強(qiáng)度更高，它能夠?qū)崿F(xiàn)更小更薄而性能更好、密度更高、尺寸和重量明顯減小的封裝，同時(shí)還能夠用于異種芯片之間的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。