技術(shù)編號(hào)：11700114
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種拆卸靜電卡盤的裝置。背景技術(shù)ICP(InductivelyCouplePlasma，電感耦合等離子體)刻蝕廣泛地應(yīng)用于IC(IntegratedCircuit，集成電路)或MEMS(MicroElectroMechanicalSystem，微機(jī)電系統(tǒng))器件的制造工藝中。ICP刻蝕的大致過程為：將待刻蝕的晶圓放置于刻蝕腔室內(nèi)部下方的靜電卡盤(ElectroStaticChuck，簡稱ESC)上，該靜電卡盤作為下電極被加載下電極射頻功率，刻蝕腔室的上方設(shè)置有上電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。