技術(shù)編號：11262568
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及半導體領(lǐng)域，更具體地涉及存儲器件及其操作方法。背景技術(shù)例如，由于包括高穩(wěn)定性、高可靠性、簡單結(jié)構(gòu)、以及與互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝的兼容性的性能，電阻式存儲器件已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用。電阻式存儲器件是能夠通過施加具有不同極性和電平的電壓以改變電阻材料的電阻來存儲數(shù)據(jù)的存儲器件。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供了一種存儲器件，包括：驅(qū)動器；匯集器，其中，所述驅(qū)動器和所述匯集器中的至少一個具有可調(diào)式電阻；存儲器列，包括每個分別通過第一線和第二線在所述驅(qū)動器和所述匯集器之間電連接的多個...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。