技術(shù)編號：11252728
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是涉及一種逆阻型氮化鎵器件。背景技術(shù)電力電子技術(shù)是現(xiàn)代科學(xué)、工業(yè)和國防的重要支撐技術(shù)，其中功率半導(dǎo)體器件既是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是電力電子技術(shù)發(fā)展的強大動力，功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展對電力電子技術(shù)的發(fā)展起著決定性作用。其中，以功率MOS場效應(yīng)管(MOSFET)和絕緣柵晶體管(IGBT)為代表的新型功率半導(dǎo)體器件占據(jù)了主導(dǎo)地位，在4C電子產(chǎn)品、工業(yè)控制、國防裝備等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。然而，以硅材料為基礎(chǔ)的功率MOSFET器件越來越顯示出其不足和局限性。寬禁帶半導(dǎo)體材...
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