技術編號：11170640
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種閃存器件結構以及制作方法。背景技術存儲器用于存儲大量的數(shù)字信息。目前存在著眾多類型的存儲器，如RAM(隨機存儲器)、DRAM(動態(tài)隨機存儲器)、ROM(只讀存儲器)、EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)、FLASH(閃存)等等。從二十世紀八十年代第一個閃存產(chǎn)品問世以來，隨著技術的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對存儲的需求，閃存被廣泛用于手機、筆記本、掌上電腦和u盤等移動和通訊設備中，閃存為一種非易變性存儲器，其運作原理是通過改變晶體管或存儲單元的臨界電壓來控制門極通道的...
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