技術(shù)編號(hào)：10860083
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣棚.極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT是目前電力電子變換用的電力電子器件，在三相逆變電路中為常用開(kāi)關(guān)器件，各用戶為保證系統(tǒng)的高效可靠運(yùn)行，都在運(yùn)用各種電路實(shí)現(xiàn)。寄生雜散電感會(huì)使IGBT關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)電壓尖峰，為保護(hù)IGBT器件和減少損耗通...
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