技術(shù)編號：10696567
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體核輻射探測器的研究已經(jīng)經(jīng)歷了半個多世紀(jì)的時間。其在核科學(xué)、天文學(xué)、宇宙物理、核能利用、工業(yè)自動化、核電站、核醫(yī)學(xué)成像、反恐防恐和環(huán)保監(jiān)測等眾多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。目前，由于器件工藝的成熟，基于硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展了較為成熟的探測器件制備技術(shù)。但是，無論硅還是鍺都因其較窄的帶隙而對環(huán)境溫度敏感、抗輻射能力弱，因而將其裝備到強輻照環(huán)境下工作的系統(tǒng)中受到較大的限制。另一方面，對于化合物半導(dǎo)體，如II1-V族化合物GaAs、InGaAs、...
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