技術(shù)編號：10658586
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。發(fā)光二極管(Light Emitting D1de，簡稱LED)是一種能夠?qū)㈦娔苡行мD(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件，目前氮化鎵基LED受到越來越多的關(guān)注和研究。LED外延片包括藍(lán)寶石襯底、以及依次層疊在藍(lán)寶石襯底上的GaN緩沖層、未摻雜 GaN層、N型GaN層、有源層、P型AlGaN層、P型GaN層。當(dāng)有電流通過時(shí)，N型GaN層的電子和P型 GaN層的空穴進(jìn)入有源層復(fù)合發(fā)光。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題空穴的質(zhì)量比電子大，迀移率和迀移速...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。