技術(shù)編號：10614155
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。如圖1所示，動態(tài)存儲器存儲單元是由一個(gè)晶體管，一個(gè)電容構(gòu)成，數(shù)據(jù)存儲在電容上，由于存在漏電路徑，電容上的電荷會丟失，所以動態(tài)存儲器必須要有刷新操作以保持電容上的數(shù)據(jù)。動態(tài)存儲器的刷新操作在內(nèi)部是由多個(gè)激活(ACT)操作組成。如附圖2所示，激活操作原理如下激活操作前，字線電壓為低，位線(bl)及參考位線(ref_bl)電壓為一個(gè)中間電壓，假設(shè)存儲單元存儲的值為‘I’，其電壓一般為位線上中間電壓的兩倍，激活操作后，經(jīng)過地址譯碼，字線被選中電壓升高，這時(shí)晶體管N...
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