技術(shù)編號：10589553
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在傳統(tǒng)單晶硅生長過程中，在純硅原料中摻雜VA族元素，使單晶硅中產(chǎn)生自由電子型載流子，從而形成N型半導(dǎo)體單晶硅。由于摻雜元素與硅元素晶格不匹配，在單晶硅生長過程中存在分凝現(xiàn)象，即摻雜元素結(jié)晶于單晶硅晶錠中的濃度小于熔體(原料)中的濃度，使得摻雜元素在樹禍中的濃度不斷升高，從而使單晶娃晶錠中摻雜元素的濃度也不斷升高，致使單晶硅晶錠生長末期摻雜元素濃度急劇升高，載流子密度隨之顯著升高，晶錠電阻率急劇下降，晶錠軸向電阻率變化梯度較大。近年來伴隨著電子元器件尤其是功...
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