技術(shù)編號:10538105
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。圖1-2是一種感性負載的驅(qū)動的電路圖,MOSFET開關(guān)信號LIN高電平則Q2導通,母線電壓加載在電磁極EMP的兩端,產(chǎn)生如圖1所示的驅(qū)動電流i,LIN為低電平時Q2關(guān)閉,電流i如圖2所示經(jīng)二極管Dl續(xù)流,通過調(diào)整LIN的占空比來調(diào)節(jié)電流的大小,這種控制方式導通損耗高,且開關(guān)頻率受續(xù)流二極管Dl反向恢復(fù)時間恢復(fù)時間及開關(guān)損耗的制約,一般只適用于小功率場合。圖3-4給出一種低電壓大電流的感性負載驅(qū)動控制方案,電路采用推挽式結(jié)構(gòu),開關(guān)控制時序如圖5所示,當HIN...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。