技術(shù)編號：10371111
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 單粒子效應(yīng)是單個高能質(zhì)子或重離子入射到電子器件上所引發(fā)的福射效應(yīng)，根據(jù) 效應(yīng)機(jī)理的不同，可分為單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子鎖定、單粒子燒毀等多種類型。目前，F(xiàn)PGA、DSP 等數(shù)字信號處理器件，大多數(shù)采用的生產(chǎn)工藝均為CMOS工藝。對于CMOS器件，由于其制造工 藝自身不可避免的特點，其極易受到單粒子鎖定。 單粒子鎖定(SE；L，Single Event Latchup)指高能帶電粒子穿過CMOS電路的PN/PN 結(jié)構(gòu)時，電離作用會使CMOS電路中的可控娃結(jié)構(gòu)被觸...
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