一種具有ar和af功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于平板顯示器件領(lǐng)域，特別涉及一種具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板。
【背景技術(shù)】
[0002]碳是自然界廣泛分布的一種元素，以多種形式存在，常見的有石墨，無定形碳和金剛石，以及近年來熱門的類金剛石(DLC)。類金剛石是一類含有金剛石結(jié)構(gòu)(SP3雜化鍵)和石墨結(jié)構(gòu)(SP2雜化鍵)的亞穩(wěn)態(tài)非晶態(tài)物質(zhì)，碳原子主要以SP3和SP2雜化鍵合。類金剛鉆石膜有著和金剛石幾乎一樣的性質(zhì)，如高硬度、耐磨損、高表面光潔度、高電阻率、優(yōu)良的場發(fā)射性能，高透光率及化學(xué)惰性等，它的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在機械、電子、微電子機械系統(tǒng)(MEMS)、光學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等各個領(lǐng)域。而類金剛石和金剛石相比，又以沉積溫度低，沉積方法容易被受關(guān)注。
[0003]碳化硅俗稱金剛砂，具備高的折射率，在可見光部分可達(dá)到2.6，介電常數(shù)9.66左右，其具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，和類金剛石一樣具有優(yōu)良的導(dǎo)熱系數(shù)，莫氏硬度為9.5級，一樣接近于金剛石。目前人們追求的藍(lán)寶石蓋板因其具備良好的化學(xué)穩(wěn)定性、高的介電常數(shù)以及高硬度被推舉，可因藍(lán)寶石加工工藝復(fù)雜造成昂貴的成本，人們一直在苦苦尋找著在同等性能的情況下，廉價的替代品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，該蓋板生產(chǎn)工藝常規(guī)化，最可靠的是物理氣相沉積方法(PVD)，能低溫成膜，介電常數(shù)高，附著力好，防指紋，高透過率硬度大，如果使用基材為康寧的鋼化玻璃，可以替代目前推舉的藍(lán)寶石蓋板而且成本低，取材容易。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，所述蓋板采用三明治薄膜結(jié)構(gòu)，包括基材，以及基材上面依次沉積的Si3N4/SiC/DLC或AlN/SiC/DLC膜系結(jié)構(gòu)。
[0007]所述的Si3N4或AlN的膜層厚度在30-50nm之間。
[0008]所述的SiC的膜層厚度在45-55nm之間。
[0009]所述的DLC的膜層厚度在30-40nm之間。
[0010]該蓋板可以一次連續(xù)性PVD沉積生產(chǎn)。
[0011]該蓋板的硬度在10?40GPa，介電常數(shù)在7?12。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板使用在工控觸膜屏、手機、PDA、及車載導(dǎo)航或者各類移動終端上，創(chuàng)新體現(xiàn)在:
[0013]一、形成3層折射率匹配的光學(xué)膜系，達(dá)到高透的效果(即AR性能)；
[0014]二、選材都可以進行低溫物理方法沉積，連續(xù)生產(chǎn)；
[0015]三、在硬度匹配上是逐級遞增，有利于產(chǎn)生高硬度；
[0016]四、最上層的采用的是F_DLC(摻氟類金剛石)產(chǎn)生防指紋的效果(即AF性能)；
[0017]五、因三種材料都具備高的介電常數(shù)，在整體成膜后，高的介電常數(shù)可以提高電容屏的靈敏度和抗干擾性。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明實施例1的蓋板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是本發(fā)明實施例2的蓋板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。以下是對本發(fā)明的進一步說明，而不是對本發(fā)明的限制。以下實施例中所使用的DLC為F-DLC (摻氟類金剛石)，實施例中所使用的所有原料均來源于市售。
[0021]實施例1
[0022]請參閱圖1，本實施例的蓋板的結(jié)構(gòu)是Si3N4/SiC/DLC，Si3N4的厚度在40-50nm之間，SiC的厚度在45-55nm之間，DLC厚度在30_40nm之間，使用連續(xù)在線磁控濺射的方法，SiC和DLC層分別采用硅靶和石墨靶，制備溫度常溫，通入Ar和N2以及CF4氣到工作真空0.25Pa，靶的功率密度在2-3W/cm2，采用低沉積速率方式在鋼化玻璃或者其它光學(xué)塑料基材上鍍膜。本實施例的蓋板具有AR和AF功能，硬度在32GPa，介電常數(shù)在11。
[0023]實施例2
[0024]請參閱圖2，本實施例的蓋板結(jié)構(gòu)為AlN/SiC/DLC，AlN的厚度在30_50nm之間，SiC的厚度在45-55nm之間，DLC厚度在40_100nm之間，采用連續(xù)在線磁控及多弧離子鍍的方法，AlN采用鋁靶，SiC采用硅靶，DLC采用石墨靶，制備溫度常溫，通入Ar和N2使用磁控濺射制備A1N，通入Ar和CH4使用磁控濺射制備SiC，以及通入Ar和CF4使用多弧離子鍍方法，工作真空在0.25Pa，靶電流在20-40A，采用低沉積速率方式在鋼化玻璃或者其它光學(xué)塑料基材上鍍膜，采用低沉積速率方式沉積DLC薄膜。本實施例的蓋板具有AR和AF功能，硬度在35GPa，介電常數(shù)在10.5。
[0025]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，其特征在于:所述蓋板包括基材，以及基材上面依次沉積的Si3N4/SiC/DLC或AlN/SiC/DLC膜系結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，其特征在于:所述Si3N4或AlN膜層的厚度在30-50nm之間。
3.如權(quán)利要求1所述的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，其特征在于:所述SiC膜層的厚度在45_55nm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，其特征在于:所述DLC的膜層的厚度在30_40nm之間。
5.一種具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，其特征在于:所述蓋板采用一次連續(xù)性PVD沉積生產(chǎn)。
6.一種具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，其特征在于:所述蓋板的硬度為10?40GPa，介電常數(shù)為7?12。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有AR和AF功能的高硬度高介電常數(shù)的蓋板，該蓋板使用在工控觸膜屏、手機、PDA、及車載導(dǎo)航或者各類移動終端上，主要在基材上依次沉積三明治薄膜結(jié)構(gòu)，基材為鋼化玻璃或者其它光學(xué)塑料，基材上面依次沉積的薄膜結(jié)構(gòu)為Si3N4(或AlN)/SiC/DLC；所述蓋板直接采用PVD方法沉積，所述的Si3N4(或AlN)的膜層厚度在30-50nm之間，SiC的膜層厚度在45-55nm之間，而DLC的膜層厚度在30-40nm之間；由此膜系所組成的蓋板既有增透和防指紋的效果，又具備了高硬度和高電介電常數(shù)的性能，如果使用基材為康寧的鋼化玻璃，可以替代目前的藍(lán)寶石玻璃蓋板，降低了生產(chǎn)成本。
【IPC分類】C23C14-06, B32B9-04
【公開號】CN104647820
【申請?zhí)枴緾N201510115403
【發(fā)明人】黃華凜, 苗蕾, 唐郭強, 張道強, 柳錫運, 呈浩亮
【申請人】廣東迪奧應(yīng)用材料科技有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年3月16日