專利名稱：安裝結(jié)構(gòu)體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用表面安裝技術(shù)(Surface Mount Technology,以下簡述為SMT)的方式制作的安裝結(jié)構(gòu)體。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的安裝結(jié)構(gòu)體通過如下所述的一系列SMT方式的工序來制作。首先，通過掩模印刷，將由球狀的固體金屬焊料和液狀的助焊劑構(gòu)成的焊料糊料涂布在設(shè)置于絕緣基板的表面的基板電極上。接下來，將具有電子元器件電極的芯片電容器、IC等電子元器件裝載在焊料糊料上。然后，通過加熱到焊料的熔點以上，使焊料熔融。最后，通過進行冷卻來使焊料凝固，將基板電極和電子元器件電極導(dǎo)通連接。在該利用SMT方式的工序的安裝結(jié)構(gòu)體的制作工序中，有時會存在產(chǎn)生焊球的問題。圖12是安裝結(jié)構(gòu)體產(chǎn)生了焊球時的主要部分放大圖。在圖12中，21是基板電極， 23是抗蝕層，25是電子元器件J6是電子元器件電極，27是由助焊劑和焊料構(gòu)成的焊料糊料，四是焊球。焊球四是如圖12所示的球狀焊料，在電子元器件25旁邊的抗蝕層23上產(chǎn)生。焊球四產(chǎn)生的原因如下由于印刷在基板電極21上的焊料糊料27在裝載電子元器件25時、 被擠壓到電子元器件25的下部的抗蝕層23上，或者，由于在加熱時產(chǎn)生的、包含焊料粒子的助焊劑進行流動的過熱現(xiàn)象，導(dǎo)致焊料粒子朝著電子元器件25的下部流動。由于該焊球四未與基板電極21、電子元器件電極沈進行金屬接合，因此，在產(chǎn)生動載荷時，有可能從電子元器件25旁邊脫落。由于脫落的焊球四移動到未進行電連接的兩個基板電極之間，有可能產(chǎn)生短路，因此，成為電子設(shè)備產(chǎn)生誤動作或故障等不良的原因。 特別是，對于用于汽車的絕緣基板的情況，動作時的振動等動載荷較大，焊球四發(fā)生脫落的頻度較高，因此，抑制焊球四的產(chǎn)生在設(shè)備的安全性和動作可靠性的層面上是重要的。作為現(xiàn)有的以抑制焊球的產(chǎn)生為目的的安裝結(jié)構(gòu)體，存在抑制焊料糊料在裝載電子元器件時朝著元器件下部流出的形狀的安裝結(jié)構(gòu)體(例如，參照專利文獻1)。圖13表示專利文獻1中記載的安裝結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)，圖13(a)是側(cè)視圖，圖13(b) 是俯視圖。圖13 (a)、圖13(b)的安裝結(jié)構(gòu)體包括電子元器件25、電子元器件電極沈、焊料糊料27、以及具有基板電極21的絕緣基板20。在圖13(a)、圖13(b)中，在電子元器件電極沈的下側(cè)形成金屬掩模的開口部，使得焊料糊料27的邊緣部27a、即金屬掩模的開口部的邊緣部(省略圖示)比基板電極21的邊緣部21a要靠近內(nèi)側(cè)，在裝載電子元器件25時從基板電極21擠壓出的焊料糊料27的量減少，而焊料糊料27的總量不會顯著減少，從而抑制焊球的產(chǎn)生。專利文獻1 日本專利公開2002-359461號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，在圖13(a)、圖13(b)所示的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，雖然能抑制印刷在基板電極21上的焊料糊料27在裝載電子元器件25時被擠壓到電子元器件25下部，但由于無法抑制助焊劑在SMT方式的工序中加熱時進行流動的過熱，因此，無法抑制焊料朝著電子元器件25下部流動。在助焊劑因過熱而流動時，由于在絕緣基板20與電子元器件25之間，形成寬度為 100 μ m左右的空間S，因此，因毛細現(xiàn)象而對助焊劑產(chǎn)生向電子元器件25下部的力，使助焊劑流動。由此，基板電極21上的焊料朝著電子元器件25的下部流動。該焊料在凝固時存在于電子元器件25的旁邊，從而生成焊球。這樣一來，由于過熱所引起的焊料的流動是產(chǎn)生焊球的主要原因，因此，在上述現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，抑制焊球的效果不充分。本發(fā)明是用于解決上述現(xiàn)有的問題，其目的在于提供一種抑制助焊劑的過熱所引起的焊料流動、抑制焊球的產(chǎn)生的安裝結(jié)構(gòu)體。為了達到上述目的，第一本發(fā)明是一種安裝結(jié)構(gòu)體，所述安裝結(jié)構(gòu)體包括絕緣基板，該絕緣基板在表面具有至少設(shè)置了一個間隙的基板電極、以及以包圍所述基板電極的方式形成的抗蝕層；電子元器件，該電子元器件具有與所述基板電極進行電接合的電子元器件電極； 以及焊料糊料，該焊料糊料印刷在所述基板電極的表面上，用于所述基板電極和所述電子元器件電極的焊料接合，所述間隙具有以下關(guān)系 0 < h ( μ m)彡 χ ( μ m) +75 ( μ m)，此時，h ( μ m)表示所述間隙的寬度，X ( μ m)表示所述間隙的深度，所述間隙的寬度被定義為作為所述間隙的短邊方向的尺寸，所述間隙形成為從位于所述電子元器件電極的下方的、所述基板電極的區(qū)域的端部或所述基板電極的區(qū)域的內(nèi)側(cè)到所述基板電極的外周側(cè)面，所述間隙未到達位于所述電子元器件的下方的、所述基板電極的外周側(cè)面。第二本發(fā)明是在上述第一本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體中，所述間隙的一端在所述基板電極的所述區(qū)域的所述端部、或所述基板電極的所述區(qū)域的所述內(nèi)側(cè)封閉，另一端在除了位于所述電子元器件的下方的所述基板電極的所述外周側(cè)面之外的所述基板電極的外周側(cè)面開放。第三本發(fā)明是在上述第二本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體中，所述電子元器件的外形呈長方體狀，在所述電子元器件的長邊方向的兩端配置有所述電子元器件電極，所述間隙的所述另一端在與所述兩端的所述電子元器件電極對應(yīng)配置的一對的所述基板電極的各自的所述外周側(cè)面上，彼此位于相反側(cè)的位置。 第四本發(fā)明是在上述第三本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體中， 所述間隙形成為從所述一對的所述基板電極的各自的所述區(qū)域的所述內(nèi)部到位于所述電子元器件的短邊方向的中央位置的、沿所述長邊方向的所述各自的外周側(cè)面的所述相反側(cè)的位置。第五本發(fā)明是在上述第一至第四的任一項本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體中，在所述基板電極中形成多個所述間隙。第六本發(fā)明是在上述第一至第四的任一項本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體中，所述間隙的所述深度相當(dāng)于所述基板電極的厚度。第七本發(fā)明是在上述第一至第四的任一項本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體中，所述抗蝕層具有與所述間隙相對的第二間隙。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在間隙，因毛細現(xiàn)象而引起助焊劑的流動，能抑制助焊劑朝著電子元器件下部的空間流動。根據(jù)本發(fā)明，由于能抑制助焊劑因在SMT方式的工序中加熱時的過熱而朝著電子元器件下部流動，從而能抑制焊料朝著電子元器件下部流動，因此，起到能抑制焊球的產(chǎn)生的效果。


圖1(a)是將本發(fā)明的實施方式1中的安裝結(jié)構(gòu)體的主要部分放大后的示意圖的俯視圖，圖1(b)是其A-A，剖視圖。圖2是表示使本實施方式1的電極缺口部寬度發(fā)生變化時焊球產(chǎn)生率的變化的圖。圖3是表示本實施方式1的焊球產(chǎn)生率與所產(chǎn)生的焊球的最大直徑的關(guān)系的圖。圖4是表示本發(fā)明的實施方式2中的電極缺口部寬度和焊球產(chǎn)生率的變化的圖。圖5是表示本實施方式1、2的電極缺口部深度與電極缺口部最大寬度的關(guān)系的圖。圖6是表示本發(fā)明的實施方式3中的電極缺口部長度和焊球產(chǎn)生率的變化的圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式4中的安裝結(jié)構(gòu)體的放大主要部分的俯視圖。圖8是表示本實施方式4的電極缺口部寬度和焊球產(chǎn)生率的變化的圖。圖9(a)、圖9(b)是表示本實施方式的設(shè)置有多個電極缺口部的安裝結(jié)構(gòu)體的示例的圖。圖10(a) 圖10(d)、圖10(g)是表示本實施方式的設(shè)置有多個電極缺口部的安裝結(jié)構(gòu)體的其他示例的圖，圖10(e)、圖10(f)是表示安裝結(jié)構(gòu)體的其他基板電極的示例的圖。圖11(a)、圖11(b)是表示本實施方式的安裝結(jié)構(gòu)體中的電極缺口部的其他結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖12是表示在現(xiàn)有的安裝結(jié)構(gòu)體中產(chǎn)生了焊球的狀態(tài)的主要部分放大圖。圖13(a)是表示現(xiàn)有的安裝結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖13(b)是其俯視圖。
具體實施例方式下面，參照附圖，詳細說明本發(fā)明的實施方式。(實施方式1)圖1 (a)、圖1 (b)是將本發(fā)明的實施方式1中的安裝結(jié)構(gòu)體的主要部分放大后的示
5意圖，圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是A-A’剖視圖。圖1 (a)、圖1 (b)中的安裝結(jié)構(gòu)體18包括在表面具有基板電極11和抗蝕層13的絕緣基板10、具有電子元器件電極16的電子元器件15、以及用于基板電極11和電子元器件電極16的焊料接合的焊料糊料17?；咫姌O11具有一個電極缺口部12。焊料糊料17 是對金屬組成為Sn-3. 5Ag-0. 5Β -6. OIn、粒徑為38 53 μ m的焊料混合IOwt %的助焊劑， 粘度約為200Pa · s?；咫姌O11通過在粘貼了銅箔的絕緣基板10上、將銅箔蝕刻加工成規(guī)定的圖案來形成?；咫姌O11的厚度為35μπι?；咫姌O11的形狀是長方形，基板電極11的尺寸以所裝載的電子元器件15的方向來表示，長邊軸方向為0. 7mm，短邊軸方向為0. 9mm。另外， 如圖1(a)所示，長邊軸方向?qū)?yīng)于長邊軸A-A’的方向，短邊軸方向?qū)?yīng)于短邊軸B-B’的方向。電極缺口部12通過利用化學(xué)蝕刻將基板電極11的一部分在厚度方向上完全去除來形成，其尺寸和寬度將在后面闡述。對于電極缺口部12的位置，利用裝載了電子元器件 15的基板電極11的配置來進行說明。此外，電極缺口部12的寬度被定義為作為電極缺口部12的短邊方向的尺寸(參照圖1(a)中的h)。另外，本發(fā)明的間隙的一個示例相當(dāng)于本實施方式的電極缺口部12。此外，本發(fā)明的間隙的寬度的一個示例相當(dāng)于本實施方式的電極缺口部12的寬度h(y m)。此外，本發(fā)明的電子元器件的長邊方向的一個示例相當(dāng)于本實施方式的長邊軸方向，本發(fā)明的電子元器件的短邊方向的一個示例相當(dāng)于本實施方式的短邊軸方向。如圖1(a)所示，從上方觀察安裝結(jié)構(gòu)體18時，配置有電極缺口部12的位置在端點12a與端點12b之間，該端點1 在位于所裝載的電子元器件15的電子元器件電極16 與基板電極11重疊以進行接合的區(qū)域的下方的、基板電極11的區(qū)域100(在圖1(a)中為標(biāo)注斜線的區(qū)域)的端部上，并在電子元器件15的長邊軸A-A’上，該端點12b在長邊軸 A-A'上的電子元器件15的外側(cè)(位于電子元器件電極16與基板電極11重疊的區(qū)域的下方的、基板電極11的區(qū)域100的外側(cè))，并在基板電極11的外周的側(cè)面上。電極缺口部12 設(shè)置成端點12b側(cè)貫穿基板電極11的外周側(cè)面，在長邊軸A-A’方向電極缺口部12的長度為0. 3mm。此外，電極缺口部12的深度χ與基板電極11的厚度相同，為35 μ m。此外，由于電極缺口部12在端點12b貫穿基板電極11的側(cè)面，因此，與在基板電極11的側(cè)面與抗蝕層13之間產(chǎn)生的間隙110相連通。另外，雖然在圖1(a)中示出該間隙110沿左右配置的一對四邊形基板電極11的外側(cè)的一邊形成的情況，但并不限于此，間隙110也可以形成為包圍基板電極11的外周側(cè)面。這對于其他附圖也是相同的。另外，本發(fā)明的間隙的一端的一個示例相當(dāng)于本實施方式的端點12a，而本發(fā)明的間隙的另一端的一個示例相當(dāng)于本實施方式的端點12b。此外，本發(fā)明的基板電極的區(qū)域一個示例相當(dāng)于本實施方式的區(qū)域100。利用印刷機及厚度為150 μ m的金屬掩模將焊料糊料17印刷在基板電極11及電極缺口部12上。利用1608尺寸的芯片電阻，由安裝機來裝載電子元器件15。
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利用大氣壓下的回流爐，將峰值溫度加熱到約為235°C，從而將電子元器件電極 16和基板電極11導(dǎo)通連接。圖2是表示在本實施方式1中使電極缺口部12的寬度h(ym)變化時、焊球的產(chǎn)生率(％ )的變化的圖。在(表1)示出本實施方式1中準(zhǔn)備的電極缺口部12的寬度h(ym)和焊球產(chǎn)生率(％ )。[表1]
電極缺口部寬度(μιη)608090100110120焊球產(chǎn)生率(％)000102025圖3是表示本實施方式1中的焊球產(chǎn)生率與所產(chǎn)生的焊球中的最大焊球的直徑的關(guān)系的圖。在(表2)中示出圖3所示的值。[表 2]
焊球產(chǎn)生率(％ )102030焊球直徑(μ m)75141231如圖3所示，焊球的產(chǎn)生率越高，越容易產(chǎn)生直徑較大的焊球。此外，在現(xiàn)有例中，所產(chǎn)生的焊球中的最大焊球的直徑約為210μπι。由于當(dāng)前一般使用的BGA(Ball Grid Array 球柵陣列)元器件的端子間隔的最小值為200 μ m左右，因此，當(dāng)產(chǎn)生該間隔以上的焊球時，發(fā)生短路的可能性變大。因此，將本發(fā)明產(chǎn)生效果的焊球產(chǎn)生率的上限值設(shè)為不會產(chǎn)生200 μ m以上的焊球的20%以下。如圖2所示，若電極缺口部12的寬度在90 120 μ m之間，則隨著電極缺口部12 的寬度h變小，焊球產(chǎn)生率變低，在電極缺口部12的寬度h為110 μ m以下的情況下，本發(fā)明產(chǎn)生效果，在電極缺口部12的寬度h為90 μ m以下的情況下，焊球產(chǎn)生率成為0%。根據(jù)圖2的結(jié)果，在本實施方式1中，為了抑制焊球，需要將電極缺口部12的寬度 h設(shè)定為110 μ m以下，特別是，優(yōu)選設(shè)定為90 μ m以下(但是，去除未設(shè)置電極缺口部12的情況即0 μ m)。在圖2中，將表示焊球產(chǎn)生率為20 %的線條用虛線200來表示，將表示未形成有電極缺口部的情況下的焊球產(chǎn)生率(30%)用實線210來表示以作為參考。對于圖4、圖8也相同。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)助焊劑因SMT加熱時的過熱而流動時，毛細現(xiàn)象所產(chǎn)生的力作用于電極缺口部12附近的助焊劑，從存在于電極缺口部12的周邊部的助焊劑依次引入到電極缺口部12。其結(jié)果是，助焊劑朝著電極缺口部12的方向流動，抑制助焊劑因過熱而朝著電子元器件15下部的空間S流動，并抑制隨之而來的焊料的流動。另外，沿電極缺口部12產(chǎn)生的助焊劑的流動是從端點12a向間隙110移動。如上所述，根據(jù)本實施方式1的安裝結(jié)構(gòu)體18，由于能抑制焊料朝著電子元器件 15的下部流動，因此，能抑制焊球的產(chǎn)生。(實施方式2)在本發(fā)明的實施方式2中，說明將在上述實施方式1中設(shè)定為35 μ m的基板電極 11的厚度變更為105 μ m的情況。
此夕卜，電極缺口部12的深度χ與基板電極11的厚度相同，為105 μ m。與上述實施方式1相同，如圖1(a)所示，從上方觀察安裝結(jié)構(gòu)體18時，配置有電極缺口部12的位置在端點1 與端點12b之間，該端點1 在位于所裝載的電子元器件15的電子元器件電極 16與基板電極11重疊的區(qū)域的下方的、基板電極11的區(qū)域100的端部上，并在電子元器件 15的長邊軸A-A’上，該端點12b在長邊軸A-A’上的電子元器件15的外側(cè)，并在基板電極 11的外周的側(cè)面上。電極缺口部12設(shè)置成端點12b側(cè)貫穿基板電極11的外周側(cè)面，在長邊軸A-A’方向電極缺口部12的長度為0. 3mm。圖4是表示在本實施方式2中使電極缺口部12的寬度h(ym)變化時、焊球的產(chǎn)生率(％ )的變化的圖。在(表3)示出本實施方式2中準(zhǔn)備的電極缺口部12的寬度h( μ m)和焊球產(chǎn)生率(％ )。[表 3]
電極缺口部寬度(um)80100110120130140150160170180190200210220焊球產(chǎn)生率(％ )000005510101520252525與實施方式1的情況相同，本發(fā)明產(chǎn)生效果的焊球產(chǎn)生率的基準(zhǔn)值為20%以下。如圖4所示，若電極缺口部12的寬度h在130 210 μ m之間，則隨著電極缺口部 12的寬度h變小，焊球產(chǎn)生率變低，在電極缺口部12的寬度h為190 μ m以下的情況下，本發(fā)明產(chǎn)生效果，在電極缺口部12的寬度h為130μπι以下的情況下，焊球產(chǎn)生率成為0%。根據(jù)圖4的結(jié)果，在本實施方式2中，為了抑制焊球，需要將電極缺口部12的寬度 h設(shè)定為190 μ m以下，特別是，優(yōu)選設(shè)定為130 μ m以下。圖5是表示本實施方式1、2中的電極缺口部12的深度χ與本發(fā)明產(chǎn)生效果的電極缺口部12的最大寬度h之間的關(guān)系的圖。如圖5所示，在電極缺口部12的深度χ為35 μ m的情況下，電極缺口部12的最大寬度h為110 μ m (參照圖5的A點(35，110))，在電極缺口部12的深度χ為105 μ m的情況下，電極缺口部12的最大寬度h為190 μ m(參照圖5的B點(105，190))。電極缺口部12的深度χ越大，電極缺口部12的與寬度方向(圖1的短邊軸B_B’ 的方向)平行的剖面的面積越大。因此，毛細現(xiàn)象所產(chǎn)生的使助焊劑朝著電極缺口部12的方向流動的作用變大，能將本發(fā)明產(chǎn)生效果的電極缺口部12的寬度h設(shè)計得更大。根據(jù)圖5，對于電極缺口部12的個數(shù)是一個的情況，當(dāng)基板電極的厚度范圍為一般的9 μ m以上、1000 μ m以下時，在電極缺口部12的寬度h ( μ m)和深度χ ( μ m)具有下式 (1)0 < h ( μ m) ^ χ ( μ m) +75 ( μ m)......(1)的關(guān)系的情況下，本發(fā)明產(chǎn)生效果。即，圖5所示的直線300是通過A點(35，110)和B點(105，190)、與縱軸(表示電極缺口部寬度h的軸)的截距為75(μπι)的直線，具有下式O)h ( μ m) = χ ( μ m) +75 ( μ m)......(2)的關(guān)系。因而，將縱軸作為基準(zhǔn)，若是在滿足式O)的直線300的下方區(qū)域存在的、電極缺口部12的寬度h(ym)與深度x(ym)的組合，則本發(fā)明產(chǎn)生效果。
(實施方式3)在本發(fā)明的實施方式3中，說明使圖1中說明過的電極缺口部12的端點12a的位置發(fā)生變化的情況。此外，電極缺口部12的另一端點12b的位置與實施方式1、2相同。因而，由于電極缺口部12的長度由電極缺口部12的端點1 的位置來確定，在下面的說明中，用電極缺口部12的長度來表示電極缺口部12的端點12a的位置。另外，本實施方式3的電極缺口部12的深度χ與基板電極11的厚度相同，為 35 μ m, ^ith 力 80ym。圖6是表示本實施方式3中的電極缺口部12的長度和焊球產(chǎn)生率的變化的圖。當(dāng)電極缺口部12在長邊軸A-A’方向上的長度為0.3mm時(參照圖1的安裝結(jié)構(gòu)體18)，電極缺口部12的端點1 位于電子元器件電極16的端部的下方。此外，如圖6中的安裝結(jié)構(gòu)體180b所示，當(dāng)電極缺口部12的長度為0. 7mm時，電極缺口部12的端點1 處于將基板電極11的外周側(cè)面貫穿的狀態(tài)。此外，在圖6中的安裝結(jié)構(gòu)體180a中，電極缺口部12的長度為大于0. 3mm且小于 0. 7mm的值，在圖6中的安裝結(jié)構(gòu)體180c中，電極缺口部12的長度在0 0. 2mm之間。在(表4)示出本實施方式3中準(zhǔn)備的電極缺口部12的長度和焊球產(chǎn)生率。[表4]
權(quán)利要求
1.一種安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于，包括絕緣基板，該絕緣基板在表面具有至少設(shè)置了一個間隙的基板電極、以及以包圍所述基板電極的方式形成的抗蝕層；電子元器件，該電子元器件具有與所述基板電極進行電接合的電子元器件電極；以及焊料糊料，該焊料糊料印刷在所述基板電極的表面上，用于所述基板電極和所述電子元器件電極的焊料接合， 所述間隙具有以下關(guān)系 0 < h ( μ m)彡 χ ( μ m) +75 ( μ m),此時，h(ym)表示所述間隙的寬度，χ(μ m)表示所述間隙的深度， 所述間隙的寬度被定義為作為所述間隙的短邊方向的尺寸，所述間隙形成為從位于所述電子元器件電極的下方的、所述基板電極的區(qū)域的端部或所述基板電極的區(qū)域的內(nèi)側(cè)到所述基板電極的外周側(cè)面，所述間隙未到達位于所述電子元器件的下方的、所述基板電極的外周側(cè)面。
2.如權(quán)利要求1所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述間隙的一端在所述基板電極的所述區(qū)域的所述端部、或所述基板電極的所述區(qū)域的所述內(nèi)側(cè)封閉，另一端在除了位于所述電子元器件的下方的所述基板電極的所述外周側(cè)面之外的所述基板電極的外周側(cè)面開放。
3.如權(quán)利要求2所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述電子元器件的外形呈長方體狀，在所述電子元器件的長邊方向的兩端配置有所述電子元器件電極，所述間隙的所述另一端在與所述兩端的所述電子元器件電極對應(yīng)配置的一對的所述基板電極的各自的所述外周側(cè)面上，彼此位于相反側(cè)的位置。
4.如權(quán)利要求3所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述間隙形成為從所述一對的所述基板電極的各自的所述區(qū)域的所述內(nèi)部到位于所述電子元器件的短邊方向的中央位置的、沿所述長邊方向的所述各自的外周側(cè)面的所述相反側(cè)的位置。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 在所述基板電極中形成多個所述間隙。
6.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 所述間隙的所述深度相當(dāng)于所述基板電極的厚度。
7.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 所述抗蝕層具有與所述間隙相對的第二間隙。
全文摘要
本發(fā)明公開的安裝結(jié)構(gòu)體在利用SMT方式制作安裝結(jié)構(gòu)體時，抑制助焊劑的過熱所引起的焊料流動，抑制焊球的產(chǎn)生。安裝結(jié)構(gòu)體(18)包括具有至少設(shè)置了一個電極缺口部(12)的基板電極(11)和抗蝕層(13)的絕緣基板(10)、具有與基板電極進行電接合的電子元器件電極(16)的電子元器件(15)、以及配置在基板電極的表面上以用于基板電極和電子元器件電極的焊料接合的焊料糊料(17)，在設(shè)電極缺口部的寬度為h、深度為x時，電極缺口部(12)具有0＜h(μm)≤x(μm)+75(μm)的關(guān)系，電極缺口部(12)形成為從位于電子元器件電極的下方的、基板電極的區(qū)域(100)的端部或基板電極的區(qū)域(100)的內(nèi)側(cè)到基板電極的外周側(cè)面，電極缺口部(12)未到達位于電子元器件的下方的、基板電極的外周側(cè)面。
文檔編號H05K13/04GK102281751SQ201110138310
公開日2011年12月14日 申請日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月20日
發(fā)明者古澤彰男, 日根清裕, 酒谷茂昭 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社