專利名稱：印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電器設(shè)備制造領(lǐng)域，尤其涉及一種印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，適用于 繼電保護(hù)裝置的印制電路板的抗干擾，用于電力系統(tǒng)綜合自動(dòng)化。
技術(shù)背景由于國(guó)內(nèi)各地區(qū)氣候的差異，對(duì)繼電保護(hù)裝置的抗電磁干擾性能要求各異。如今生產(chǎn)繼 電保護(hù)裝置廠家林立，對(duì)保護(hù)裝置抗電磁干擾的處理方式各有不同，大部分廠家都是通過改 進(jìn)印制電路板的布線或者改進(jìn)機(jī)箱結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。近年來(lái)隨著電子技術(shù)的發(fā)展，印制電路板 上微處理器和邏輯電路中的時(shí)鐘速率越來(lái)越快，信號(hào)的上升/下降時(shí)間越來(lái)越短，同時(shí)印制 電路板上的器件密度和布線密度不斷增加，印制電路板的電磁兼容問題變得日益突出。印制 電路板抗電磁兼容要考慮三個(gè)要素l.保證信號(hào)在板上的可靠傳輸，確保信號(hào)的完整性； 2.抑制電磁干擾的傳播；3.加強(qiáng)防護(hù)，防止因抗繞度不足引起靈敏度故障。但印制電路板布線受印刷板的大小、層面和各不同回路的電氣性能限制，因此印制板的抗電磁干擾性能不能 完全得到約束，只能在其它方面進(jìn)行改進(jìn)來(lái)消減電磁輻射。選擇機(jī)箱材料可以不同程度減弱對(duì)繼電保護(hù)裝置的電磁輻射，對(duì)繼電保護(hù)電路起屏蔽作 用。用電磁屏蔽的方法來(lái)解決電磁干擾問題的最大好處是不會(huì)影響電路的正常工作，對(duì)電路 的要求不是很高。如果輻射源在屏蔽機(jī)箱的外部(例如，屏蔽是為了機(jī)箱內(nèi)的電路免受外界 干擾的影響)，則反射損耗和吸收損耗都對(duì)屏蔽效能有貢獻(xiàn)，這種情況可通過機(jī)箱的改進(jìn)實(shí) 現(xiàn)抗干擾。但是如果輻射源在機(jī)箱內(nèi)部，這種情況通過機(jī)箱的改進(jìn)已經(jīng)無(wú)法實(shí)現(xiàn)抗干擾。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決某些電器設(shè)備無(wú)法通過改進(jìn)線路板上的布線和電器設(shè)備機(jī)箱來(lái)實(shí)現(xiàn)抗電磁干擾的技術(shù)問題；提供一種印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，確保電器設(shè)備中繼電保護(hù)裝 置的抗電磁干擾。本實(shí)用新型的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的本實(shí)用新型包括印制 電路板，所述的印制電路板的正面和反面都安裝有第一屏蔽防護(hù)罩。第一屏蔽防護(hù)罩將印制 電路板上的元器件與外部的輻射源(包括機(jī)箱內(nèi)的輻射源)隔離開來(lái)，結(jié)合印制電路板上的 布線改進(jìn)和機(jī)箱的改進(jìn)，使電器設(shè)備達(dá)到更好的抗電磁干擾性能。作為優(yōu)選，所述的第一屏蔽防護(hù)罩采用高導(dǎo)磁率材料。對(duì)于頻率極低(如直流或50Hz)3的磁場(chǎng)，用高導(dǎo)磁率材料做屏蔽時(shí)，除了吸收損耗以外，其磁旁路作用也是十分重要的高 導(dǎo)磁率材料構(gòu)成的屏蔽體為磁場(chǎng)提供了一條低磁阻的通路，使磁場(chǎng)繞過敏感器件。因此屏蔽 體的磁阻越小，屏蔽效能越高。為了減小屏蔽體的磁阻，應(yīng)該使屏蔽體盡量小，這樣可以使 磁路盡量短，從而達(dá)到減小磁阻的目的，增加磁路的截面積，使用導(dǎo)磁率盡量高的材料。 作為優(yōu)選，所述的第一屏蔽防護(hù)罩的厚度為O. 4 0. 6毫米。作為優(yōu)選，所述的印制電路板的正面和反面還安裝有第二屏蔽防護(hù)罩，第二屏蔽防護(hù)罩 位于第一屏蔽防護(hù)罩的外面。作為優(yōu)選，所述的第一屏蔽防護(hù)罩采用高導(dǎo)磁率材料，所述的第二屏蔽防護(hù)罩采用導(dǎo)磁 率較低且不容易飽和的材料。當(dāng)要屏蔽的磁場(chǎng)很強(qiáng)時(shí)，存在一對(duì)矛盾，即為了獲得較高的屏 蔽性能，需要使用導(dǎo)磁率較高的材料，但這種材料容易飽和。如果用比較不容易飽和的材料 ，往往由于靜磁導(dǎo)率m較低，屏蔽性能又達(dá)不到要求。采用雙層屏蔽防護(hù)罩可以解決這個(gè)問 題。先用導(dǎo)磁率較低，但不容易飽和的材料(即第二屏蔽防護(hù)罩)將磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減到較低的 程度，然后用高導(dǎo)磁率材料(即第一屏蔽防護(hù)罩)提供足夠的屏蔽。多層屏蔽的屏蔽效能要 比單層屏蔽(即使沒有飽和)的屏蔽效能高，因?yàn)槎嗔藘蓪臃瓷浣缑?。本?shí)用新型的有益效果是通過在印制電路板的正面和反面設(shè)置單層或多層屏蔽防護(hù)罩，將機(jī)箱內(nèi)的輻射源及機(jī)箱外的輻射源與印制電路板上的元器件隔離開來(lái)，有效提高了印制 電路板的抗電磁干擾性能，提高電器設(shè)備的穩(wěn)定性。

圖l是本實(shí)用新型實(shí)施例l的一種立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例2的一種側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。 圖中l(wèi).印制電路板，2.第一屏蔽防護(hù)罩，3.第二屏蔽防護(hù)罩。
具體實(shí)施方式
下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說(shuō)明。 實(shí)施例l:本實(shí)施例的印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括印制電路板l，印 制電路板1的正面和反面都安裝有第一屏蔽防護(hù)罩2，第一屏蔽防護(hù)罩2將印制電路板1上的元 器件、印制電路板l上的布線罩在其里面，第一屏蔽防護(hù)罩2的厚度為0.5毫米，第一屏蔽防 護(hù)罩2采用高導(dǎo)磁率材料制成。本實(shí)施例既屏蔽了機(jī)箱內(nèi)的輻射源又屏蔽了機(jī)箱外的輻射源 ，繼電保護(hù)裝置的印制電路板為了抵抗外部干擾尤其需要這種屏蔽結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例適合屏蔽 較弱的磁場(chǎng)時(shí)使用。實(shí)施例2:本實(shí)施例的印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，如圖2所示，印制電路板l的正面和反面都安裝有第一屏蔽防護(hù)罩2、第二屏蔽防護(hù)罩3，第一屏蔽防護(hù)罩2將印制電路板1上的元 器件、印制電路板l上的布線罩在其里面，第二屏蔽防護(hù)罩3位于第一屏蔽防護(hù)罩2的外面， 將第一屏蔽防護(hù)罩2罩在其里面，第一屏蔽防護(hù)罩2采用高導(dǎo)磁率材料制成，第二屏蔽防護(hù)罩 3采用導(dǎo)磁率較低且不容易飽和的材料制成。其余的同實(shí)施例l。本實(shí)施例適合屏蔽較強(qiáng)的磁 場(chǎng)時(shí)使用。先用導(dǎo)磁率較低、但不容易飽和的材料(即第二屏蔽防護(hù)罩)將磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減到 較低的程度，然后用高導(dǎo)磁率材料(即第一屏蔽防護(hù)罩)提供足夠的屏蔽。多層屏蔽的屏蔽 效能要比單層屏蔽(即使沒有飽和)的屏蔽效能高。
權(quán)利要求1.一種印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，包括印制電路板(1)，其特征在于所述的印制電路板(1)的正面和反面都安裝有第一屏蔽防護(hù)罩(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述的第一屏蔽防護(hù)罩(2)采用高導(dǎo)磁率材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的第一屏蔽防護(hù)罩(2)的厚度為0.4 0.6毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述的印制電路板(1)的正面和反面還安裝有第二屏蔽防護(hù)罩(3)，第二屏蔽防護(hù)罩(3)位 于第一屏蔽防護(hù)罩(2)的外面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述的第一屏蔽防護(hù)罩(2)采用高導(dǎo)磁率材料，所述的第二屏蔽防護(hù)罩(3)采用導(dǎo)磁率較低 且不容易飽和的材料。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種印制電路板抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，包括印制電路板，印制電路板的正面和反面都安裝有第一屏蔽防護(hù)罩，第一屏蔽防護(hù)罩將印制電路板上的元器件、印制電路板上的布線罩在其里面，第一屏蔽防護(hù)罩的厚度為0.4～0.6毫米，第一屏蔽防護(hù)罩采用高導(dǎo)磁率材料制成。本實(shí)用新型通過在印制電路板的正面和反面設(shè)置單層或多層屏蔽防護(hù)罩，將機(jī)箱內(nèi)的輻射源及機(jī)箱外的輻射源與印制電路板上的元器件隔離開來(lái)，有效提高了印制電路板的抗電磁干擾性能，提高電器設(shè)備的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H05K1/02GK201422235SQ20092030128
公開日2010年3月10日 申請(qǐng)日期2009年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月13日
發(fā)明者劉文杰, 戴俊軍, 饒思奎 申請(qǐng)人:杭州德力西集團(tuán)有限公司