專利名稱：多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
多晶硅還原爐技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種多晶硅還原爐，主要是用三氯氫硅和氫氣在加熱的硅芯上 進(jìn)行化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)多晶硅的還原爐。
背景技術(shù)：
目前,國內(nèi)外生產(chǎn)多晶硅的主要工藝技術(shù)是"改良西門子法"用氯氣和氫 氣合成氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然后對三氯氫硅進(jìn) 行分離精餾提純，提純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按比例混合后通入多晶硅還原 爐內(nèi)，在一定的溫度和壓力下，在通電高溫硅芯上進(jìn)行沉積反應(yīng)生成多晶硅， 反應(yīng)溫度控制在1080攝氏度左右，最終生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，同時生成四氯化 硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產(chǎn)物。多晶硅還原爐是"改良西門子法"生產(chǎn)多晶硅的主要設(shè)備，由底盤、含夾 套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進(jìn)氣管、混和氣尾氣出氣 管、爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進(jìn)水管、底盤冷卻水 出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn) 品的污染。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種多晶硅還原爐，該多晶硅還原爐單爐產(chǎn)量比現(xiàn)有 的多晶硅還原爐單爐產(chǎn)量有大幅度提升。本發(fā)明多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、 視鏡孔、混和氣進(jìn)氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水 出水管、底盤冷卻水進(jìn)水管、底盤冷卻水出水管、連接硅芯與電極的石墨夾頭
及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn)品的污 染，每對電極分正、負(fù)極均勻的設(shè)置在底盤上，混和氣進(jìn)氣管分為數(shù)個噴口均勻的設(shè)置在底盤上，其特征是在還原爐底盤上均勻布置24對電極。該種還原爐每批次產(chǎn)量較現(xiàn)有的還原爐有大幅度的提升，每公斤多晶硅的 電耗相應(yīng)降低，多晶硅的綜合生產(chǎn)成本和能耗也相應(yīng)降低。


以下附圖結(jié)合說明書具體的說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些附圖中所 展示出的具體形態(tài)。圖1為該多晶硅還原爐主視圖。圖2為24對電極多晶硅還原爐底盤俯視圖。
具體實施方式
本發(fā)明涉及的多晶硅還原爐主視圖如圖1所示，1為含夾套冷卻水的鐘罩 式雙層爐體，2為視鏡孔，3為底盤，4為底盤冷卻水進(jìn)水管，5為底盤冷卻水 出水管，6為混和氣進(jìn)氣管，7為進(jìn)氣管噴口， 8為混和氣尾氣出氣管，9為爐 體冷卻水進(jìn)水管，IO為爐體冷卻水出水管，11為連接硅芯與電極的石墨夾頭， 12為電極，13為硅芯，14為夾套冷卻水導(dǎo)流板，準(zhǔn)備生產(chǎn)時，在底盤3上的各 對電極12上安裝好連接硅芯與電極的石墨夾頭11并安裝好硅芯13 ，再把含夾 套冷卻水的鐘罩式雙層爐體1吊裝安裝在底盤3上，進(jìn)行氣密性試驗，確認(rèn)不 漏氣后，通過電極12對硅芯13通電加熱，控制溫度至1080攝氏度，通過進(jìn) 氣管噴口 7噴出的三氯氫硅和氫氣的混合氣在高溫通電硅芯13上進(jìn)行化學(xué)氣相 沉積反應(yīng)，最終生成棒狀多晶硅產(chǎn)品。本發(fā)明涉及的多晶硅還原爐底盤俯視圖如圖2所示，7為進(jìn)氣管噴口， 8為
混和氣尾氣出氣管，12為電極，在還原爐底盤上分別均勻布置24對電極。
權(quán)利要求多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進(jìn)氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進(jìn)水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染，每對電極分正、負(fù)極均勻的設(shè)置在底盤上，混和氣進(jìn)氣管分為數(shù)個噴口分布設(shè)置在底盤上，其特征是在還原爐底盤上均勻布置24對電極。
專利摘要多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進(jìn)氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進(jìn)水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進(jìn)水管、底盤冷卻水出水管、及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質(zhì)，以減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染，混和氣進(jìn)氣管分為數(shù)個噴口均勻的設(shè)置在底盤上，其特征是在還原爐底盤上分別均勻布置24對電極，該種多晶硅還原爐單臺爐每批次產(chǎn)量較現(xiàn)有的還原爐產(chǎn)量有大幅度的提升。
文檔編號C30B29/06GK201214631SQ20082010559
公開日2009年4月1日 申請日期2008年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月20日
發(fā)明者朱青松, 王存惠 申請人:徐州東南多晶硅材料研發(fā)有限公司