專(zhuān)利名稱(chēng)：用于在故障時(shí)停用電元件的設(shè)置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括電元件的設(shè)置，并且還涉及一種包括所述設(shè) 置的設(shè)備以及一種方法。
所述電元件的例子包括發(fā)光二極管，所述設(shè)備的例子包括消費(fèi)產(chǎn) 品 以及非消費(fèi)產(chǎn) 品o
背景技術(shù)：
WO 01/33912 Al公開(kāi)了一種發(fā)光二極管陣列，其具有與所述發(fā)光 二極管并聯(lián)連接的有源旁路、用于感測(cè)所述發(fā)光二極管的故障的感測(cè) 裝置以及用于激活已經(jīng)感測(cè)到其故障的每一個(gè)發(fā)光二極管的所迷有源 旁路的控制裝置。
正如在WO 01/33912 Al的第6頁(yè)第30行到第7頁(yè)第2行所公開(kāi) 的那樣，所述遠(yuǎn)程感測(cè)和數(shù)字控制邏輯優(yōu)選地被設(shè)計(jì)成存儲(chǔ)發(fā)生故障 的發(fā)光二極管的身份，從而不再需要在每次啟動(dòng)主機(jī)設(shè)備時(shí)都重復(fù)順 序輪詢(xún)處理。在所述遠(yuǎn)程感測(cè)和數(shù)字控制邏輯中對(duì)所述故障的發(fā)光二 極管的身份進(jìn)行存儲(chǔ)是相對(duì)復(fù)雜的。此外，需要有激活的電壓源來(lái)保 活所述邏輯。當(dāng)所述電壓源被停用(deactivate)時(shí)，所述有源旁路 通常再次返回其初始狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的特別是提供一種相對(duì)簡(jiǎn)單的設(shè)置。 本發(fā)明的其他目的特別是提供一種相對(duì)簡(jiǎn)單的設(shè)備和方法。 根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置包括
用于在饋電模式下接收饋電信號(hào)并且在非饋電模式下不接收所述 饋電信號(hào)的電元件；以及
用于在所述饋電模式下檢測(cè)電元件的故障的電路，所述電路包括 響應(yīng)于檢測(cè)結(jié)果在全部?jī)煞N模式下停用所述電元件的有源開(kāi)關(guān)。
在所述饋電模式下，諸如發(fā)光二極管、白熾燈或揚(yáng)聲器之類(lèi)的所 述電元件處于操作中，并且接收所述饋電信號(hào)。在所述非饋電模式下，所述電元件不處于操作中，并且不接收所述饋電信號(hào)。在所述饋電模式下，所述電路檢測(cè)所述電元件的故障或故障狀況或故障狀態(tài)。響應(yīng)于檢測(cè)結(jié)果，諸如微繼電器或半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之類(lèi)的所述有源開(kāi)關(guān)對(duì)于全部?jī)煞N模式停用所述電元件。換句話說(shuō)，所述有源開(kāi)關(guān)對(duì)于所述饋電模式停用所述電元件，并且對(duì)于所述非饋電模式也停用所述電元件。
因此，在停用所述電元件之后，不管所述饋電信號(hào)是否被提供，所述有源開(kāi)關(guān)都保持所述電元件被停用。結(jié)果不再需要把故障的發(fā)光二極管的身份存儲(chǔ)在一個(gè)中心位置處，因此根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置相對(duì)簡(jiǎn)單。此外，不需要輔助電源電壓來(lái)把所述有源開(kāi)關(guān)保持在其適當(dāng)狀態(tài)
下u
權(quán)利要求2限定了所述設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例。 一般來(lái)說(shuō)，所述故障包括在所述饋電模式下與所述電元件的正常阻抗和/或電壓值的偏差(deviation)。更具體來(lái)說(shuō)，所述故障包括在所述饋電模式下與所述電元件的標(biāo)稱(chēng)阻抗和/或電壓值的最小偏差。在串聯(lián)耦合的多個(gè)電元件的情況下， 一個(gè)電元件的阻抗值的過(guò)高值將會(huì)妨礙其他電元件的適當(dāng)工作u在并聯(lián)耦合的多個(gè)電元件的情況下， 一個(gè)電元件的阻抗值的過(guò)低值將會(huì)妨礙其他電元件的適當(dāng)工作，
權(quán)利要求3限定了所述設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例。在串聯(lián)耦合的多個(gè)電元件的情況下， 一個(gè)電元件的大于其上閾值的阻抗和/或電壓值將妨礙其他電元件的適當(dāng)工作。通過(guò)把所述有源開(kāi)關(guān)并聯(lián)耦合到所述電元件，所述電元件被橋接以用于所述停用。換句話說(shuō)，所述停用包括橋接所述電元件。隨后，其他的電元件可以適當(dāng)?shù)毓ぷ鳌?br> 權(quán)利要求4限定了所述設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例。所述有源開(kāi)關(guān)包括半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，比如一次性可編程閃速功率MOSFET之類(lèi)的非易失性功率半
導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。
權(quán)利要求5限定了所述設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例。所述電路還包括彼此串聯(lián)耦合的電壓相關(guān)元件和電壓無(wú)關(guān)元件，以便把所述電路保持得較
為簡(jiǎn)單。
權(quán)利要求6限定了所述設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例。所述電壓相關(guān)元件是簡(jiǎn)單的齊納二極管，并且所述電壓無(wú)關(guān)元件是簡(jiǎn)單的電阻器。
權(quán)利要求7限定了所述設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例。在并聯(lián)耦合的多個(gè)電元件的情況下， 一個(gè)電元件的小于其下閾值的阻抗和/或電壓值將會(huì)妨礙其他電元件的適當(dāng)工作。通過(guò)把所述有源開(kāi)關(guān)與所述電元件串聯(lián)耦合，經(jīng)過(guò)所述電元件的路徑被中斷以用于所述停用。換句話說(shuō)，所述停用包括中斷經(jīng)過(guò)所述電元件的路徑。隨后，其他的電元件可以適當(dāng)?shù)毓ぷ鳌?br> 優(yōu)選地，所述電元件包括越來(lái)越常被用在越來(lái)越多的應(yīng)用中的發(fā)光二極管，并且所述設(shè)置是可以在低成本下簡(jiǎn)單生產(chǎn)的集成設(shè)置。
權(quán)利要求8限定了所述設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例。通常來(lái)說(shuō)，所述設(shè)置還包括一個(gè)或多個(gè)另外的電元件。所述另外的電元件在所迷饋電模式下接收另外的饋電信號(hào)，并且在所述非饋電模式下不接收所述另外的饋電信號(hào)。在所迷另外的電元件與所述電元件串聯(lián)耦合的情況下，所
者可以丄二對(duì)完全相同的饋電n:在所述另外的電元;:所述電^i件并聯(lián)耦合的情況下，所述饋電信號(hào)和所述另外的饋電信號(hào)可以主饋電電流的不同部分，或者可以是相對(duì)完全相同的饋電電壓。另外的電路在所述饋電模式下檢測(cè)所述另外的電元件的故障。該另外的電路可以與用來(lái)檢測(cè)所述另外的電元件的故障的電路完全分開(kāi)?？商鎿Q地，所述另外的電路可以與所迷電路部分地重合，該電路在后面的情況下例如按照時(shí)間多路復(fù)用的方式檢測(cè)多于一個(gè)電元件的故障。所述另外的電路包括另外的有源開(kāi)關(guān)，其響應(yīng)于另外的檢測(cè)結(jié)果在全部?jī)煞N模式下停用所述另外的電元件。為了能夠單獨(dú)地停用所述電元件，可能需要單獨(dú)的有源開(kāi)關(guān)。
根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備以及根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置的實(shí)施例.
本發(fā)明的 一種認(rèn)識(shí)特別在于，把故障的發(fā)光二極管的身份存儲(chǔ)在一個(gè)中心位置處是相對(duì)復(fù)雜的。
本發(fā)明的一個(gè)基本想法特別可以是將有源開(kāi)關(guān)用于在全部?jī)煞N模式下停用所述電元件。
本發(fā)明特別解決了提供一種相對(duì)簡(jiǎn)單的設(shè)置、設(shè)備和方法的問(wèn)題。本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)特別在于，由于更為簡(jiǎn)單因此可能導(dǎo)致所述
設(shè)置的緊致程度提高，并且可能導(dǎo)致所述設(shè)置內(nèi)部的各電元件的無(wú)關(guān)
性得到提高。
參照下面描述的(多個(gè))實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其他方面將得顯而易見(jiàn)。


在附圖中
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備，其包括根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置的；以
及
圖2示出了有源開(kāi)關(guān)。
具體實(shí)施例方式
圖1中示出的根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備2包括根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置1。所述設(shè)置1包括電元件11，其用于在饋電模式下接收來(lái)自饋電源3的饋電信號(hào)，并且在非饋電模式下不接收所述饋電信號(hào)。所述設(shè)置1還包括電路12，其用于在所述饋電模式下檢測(cè)所述電元件11的故障。所述電路12包括響應(yīng)于檢測(cè)結(jié)果在全部?jī)煞N模式下停用所述電元件11的有源開(kāi)關(guān)13。
所述設(shè)置1還包括另外的電元件21，其用于在所述饋電模式下接收來(lái)自所述饋電源3的另外的饋電信號(hào)，并且在所述非饋電模式下不接收所述另外的饋電信號(hào)，該另外的電元件21串聯(lián)耦合到所述電元件11。所述設(shè)置1還包括另外的電路22，其用于在所述饋電模式下檢測(cè)所述另外的電元件21的故障。所述另外的電路22包括響應(yīng)于另外的檢測(cè)結(jié)果在全部?jī)煞N模式下停用所迷另外的電元件21的另外的有源開(kāi)關(guān)23。
所述有源開(kāi)關(guān)13例如包括諸如M0SFET之類(lèi)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。其主電極耦合到所述電元件11的各端子。所述另外的有源開(kāi)關(guān)23例如包括諸如另外的M0SFET的另外的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。其主電極耦合到所述另外的電元件21的各端子。有源開(kāi)關(guān)可以是電壓控制的開(kāi)關(guān)和/或放大的開(kāi)關(guān)和/或由控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān).
所述電路12例如包括電壓相關(guān)元件14和電壓無(wú)關(guān)元件15,所述電壓相關(guān)元件14比如是耦合到所述電元件11的其中一個(gè)端子的齊納二極管，所述電壓無(wú)關(guān)元件15比如是耦合到所述電元件11的另一個(gè)端子的電阻器，所述電壓相關(guān)元件14和電壓無(wú)關(guān)元件15還彼此耦合并 合到所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的控制電極。所述電路22例如包括另外的電壓相關(guān)元件24和另外的電壓無(wú)關(guān)元件25，所述另外的電壓相關(guān)元件24比如是耦合到所述另外的電元件21的其中一個(gè)端子的另外的齊納二極管，所述另外的電壓無(wú)關(guān)元件25比如是耦合到所述電元件21的另一個(gè)端子的另外的電阻器，所述另外的電壓相關(guān)元件24和另外的電壓無(wú)關(guān)元件25還彼此耦合并且耦合到所述另外的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的控制電極
通常來(lái)說(shuō)，電元件ll、 21的故障包括在所述饋電模式下與所述電元件11、 21的正常阻抗和/或電壓值的偏差。更具體來(lái)說(shuō)，故障的電元件ll、 21可能具有低于通常情況的阻抗和/或電壓值(并且變?yōu)?短路，，)，或者可能具有高于通常情況的阻抗和/或電壓值(并且變?yōu)殚_(kāi)路)。
在圖1中示出的串聯(lián)實(shí)施例中，如果所述電元件ll、 21的其中之--變?yōu)?短路"，另一個(gè)電元件仍然可以適當(dāng)?shù)毓ぷ?。但是如果所述電元件ll、 21的其中之一變?yōu)?開(kāi)路，，，則不再有電流流過(guò)，并且另--個(gè)電元件不再能夠適當(dāng)工作。
為了避免這種情況，所述有源開(kāi)關(guān)13、 23與所述電元件11、 21并聯(lián)耦合。如果所述電元件ll、 21的其中之一的阻抗值變得大于上閾值，則具有主饋電電壓的形式的所述饋電信號(hào)的較大部分將存在于該電元件11、 21的兩端以及包括齊納二極管和電阻器的相應(yīng)的分壓器的兩端 結(jié)果，相應(yīng)的電路12、 22檢測(cè)到該電元件11、 21的故障，并1響應(yīng)于該檢測(cè)結(jié)果對(duì)相應(yīng)的有源開(kāi)關(guān)13、 23進(jìn)行開(kāi)關(guān)，從而橋接該電元件ll、 21以用于所述停用。因此，在這種情況下，通過(guò)切換到"短路，，狀態(tài)下的所述有源開(kāi)關(guān)13、 23否決(overrule) 了所述故障的電元件11、 21變?yōu)?開(kāi)路"的事實(shí)。
如果所述饋電信號(hào)是饋電電流，則所述電元件ll、 n的其中之一的阻抗值變得大于上閾值這一事實(shí)仍將導(dǎo)致一個(gè)較大的電壓存在于該電元件11、 21的兩端以及包括齊納二極管和電阻器等等的相應(yīng)的分壓器的兩端。
在未示出的并聯(lián)實(shí)施例中，如果其中一個(gè)并聯(lián)電元件變?yōu)?開(kāi)路"，另一個(gè)電元件仍然可以適當(dāng)?shù)毓ぷ?。但是如果其中一個(gè)并聯(lián)電元件變?yōu)?短路"，所述并聯(lián)電元件兩端的電壓就變?yōu)榱?，并且所述另一個(gè)電元件不再能夠適當(dāng)?shù)毓ぷ鳛榱吮苊膺@種情況，將所述有源開(kāi)關(guān)串聯(lián)耦合到所述電元件并且 將所述另外的有源開(kāi)關(guān)串聯(lián)耦合到所述另外的電元件，從而產(chǎn)生將彼 此并聯(lián)耦合的兩條串聯(lián)分支。如果其中一個(gè)所述電元件的阻抗和/或電 壓值變得小于下閾值，則具有主饋電電流的形式的所述饋電信號(hào)的較 大部分將流經(jīng)該電元件，并且例如流經(jīng)該電元件與其有源開(kāi)關(guān)之間的 串聯(lián)阻抗。流經(jīng)所述串聯(lián)阻抗的較大電流將在該串聯(lián)阻抗兩端引入較 大電壓。結(jié)果，相應(yīng)的電路檢測(cè)到該電元件的故障，并且響應(yīng)于該檢 測(cè)結(jié)果對(duì)相應(yīng)的有源開(kāi)關(guān)進(jìn)行開(kāi)關(guān)，從而中斷經(jīng)過(guò)該電元件的路徑以 用于所述停用。因此，在這種情況下，通過(guò)切換到"開(kāi)路"狀態(tài)下的 所述有源開(kāi)關(guān)而否決了所述故障的電元件變?yōu)?短路"的事實(shí)。
如果所述饋電信號(hào)是饋電電壓，則所述電元件的其中之一的阻抗 和/或電壓值變得小于下閾值這一事實(shí)仍將導(dǎo)致較大的電流流經(jīng)該電 元件等等。
所述有源開(kāi)關(guān)可以是一次性可編程開(kāi)關(guān)，這意味著一旦所述有源 開(kāi)關(guān)被切換到某一狀態(tài)之后，該有源開(kāi)關(guān)就保持在該狀態(tài)下，即使在 饋電源被關(guān)斷的情況下也是如此。這種有源開(kāi)關(guān)例如是雙穩(wěn)態(tài)微繼電
器 如圖2中所示，另一種有源開(kāi)關(guān)是非易失性功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，比 如閃速功率MOSFET。
在圖2的上半部分中示出了對(duì)應(yīng)于MOSFET的經(jīng)由熱電子注入的編 程 源極SRC連接到0伏特，漏極DRN連接到12伏特，柵極連接到l2 伏特，并且浮動(dòng)?xùn)艠OFLG與漏極DRN相距大約200A。在圖2的下半部 分中示出了對(duì)應(yīng)于MOSFET的經(jīng)由隧道化的擦除。源極SRC開(kāi)路(由0P 表示)，漏極DRN連接到12伏特，柵極連接到0伏特，并且浮動(dòng)?xùn)艠O FLG與漏極DRN相距大約200A。
內(nèi)部浮動(dòng)?xùn)艠OFLG的目的可能是建立鎖存功能。取決于外部柵極 處的電壓，電子被移動(dòng)("注入")到該柵極上或者被從該柵極移除 ("擦除")(這可能需要漏極DRN與浮動(dòng)?xùn)艠OFLG之間的相對(duì)較短的 距離，比如200A)。這可以被視為"熱電子注入"以及"經(jīng)由隧道化 的擦除，，。由于浮動(dòng)?xùn)艠OFLG的良好絕緣，所述電荷將保持在該處達(dá) 許多年。為此，所述MOSFET可以保持接通而無(wú)需外部電壓源。
在圖1中示出了標(biāo)準(zhǔn)M0SFET。可以通過(guò)選擇柵極電阻器R的相對(duì) 較高的阻抗來(lái)延長(zhǎng)在不涉及外部電壓源的情況下的接通時(shí)間。所述在不涉及外部電壓源的情況下的接通時(shí)間于是由RC時(shí)間常數(shù)決定，其中 C是所述MOSFET (壓控開(kāi)關(guān))的輸入柵極電容。
因此，如果在圖1中將要延長(zhǎng)所述接通時(shí)間，例如從幾秒或幾分 鐘延長(zhǎng)到幾年或幾十年， 一種概念可以是引入圖2中示出的浮動(dòng)?xùn)艠O "LG。
所述電元件ll、 21例如分別包括一個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管?？商鎿Q 地，電元件可以包括白熾燈或揚(yáng)聲器等等。當(dāng)然，如果所述饋電信號(hào) 不是DC饋電信號(hào)而是AC饋電信號(hào)，則可能需要向所述電路12、 22添 加二極管和/或整流器，并且/或者可能需要把半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)耦合到 已經(jīng)存在的所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)等等。
優(yōu)選地，所述設(shè)置1是一種集成設(shè)置。這種集成設(shè)置簡(jiǎn)單、成本 低且穩(wěn)健，并且可以與所述設(shè)備分開(kāi)生產(chǎn)和/或銷(xiāo)售。 一個(gè)設(shè)備可以包 括串聯(lián)和/或并聯(lián)連接的多于一個(gè)設(shè)置。
所述設(shè)置的優(yōu)點(diǎn)可能包括由于容錯(cuò)性提高而提高了可靠性、易 于集成、低成本實(shí)現(xiàn)方式、不需要附加端子、不需要附加(局部)電 壓源、傳導(dǎo)損失可能非常低以及使用了有利的非易失性技術(shù)。
并不排除其他替換實(shí)施例。例如，可以存在多于兩個(gè)串聯(lián)和/或并 聯(lián)的電元件，并且每一個(gè)電元件可以包括串聯(lián)和/或并聯(lián)連接的多于一 個(gè)二極管或燈泡或揚(yáng)聲器。分壓器僅僅是一個(gè)實(shí)施例，并不排除例如 包括一個(gè)或多個(gè)電壓相關(guān)元件以及/或者一個(gè)或多個(gè)電壓無(wú)關(guān)元件的 其他實(shí)施例。所述饋電源可以形成所述設(shè)備2的一部分，或者可以形 成所述設(shè)置l的一部分，或者可以位于所述設(shè)備2的外部。
并不排除其他的和/或另外的模式，比如操作模式和非操作模式等 等。在所述操作模式下，所述設(shè)置處在使用中并且/或者所述設(shè)備處在 使用中，而在所述非操作模式下，所述設(shè)置不在使用中并且/或者所述 設(shè)備不在使用中。在所述操作模式下，所述電元件可以在所述饋電模 式下被饋電，并且不能在所述非饋電模式下被饋電。因此，所述操作 模式包括所述饋電模式和非饋電模式，所述非操作模式是不同于所述 饋電模式和非饋電模式等的另外的模式。
總而言之，本發(fā)明提供了設(shè)置l，所述設(shè)置具有電元件ll、 21，
其用于在饋電模式下接收饋電信號(hào)并且在非饋電模式下不接收所述饋 電信號(hào)；以及電路12、 22,其用于在所述饋電模式下檢測(cè)所述電元件
10200780028427.0
11、 21的故障。所述電路12、 22包括(基本想法)有源開(kāi)關(guān)13、 23， 其響應(yīng)于檢測(cè)結(jié)果在全部?jī)煞N模式下(換句話說(shuō)就是在所述饋電模式 以及非饋電模式下)停用所述電元件11、 21。所述設(shè)置l相對(duì)簡(jiǎn)單。 所述電元件ll、 21例如包括發(fā)光二極管、白熾燈或揚(yáng)聲器等等。所述 有源開(kāi)關(guān)13、 23例如包括雙穩(wěn)態(tài)微繼電器或半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(比如一次性 可編程閃速功率MOSFET等非易失性功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān))。優(yōu)選地，所述 設(shè)置l是集成設(shè)置。
雖然在附圖和前述說(shuō)明中詳細(xì)圖示并描述了本發(fā)明，但是這種圖 示和描述應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明性或示例性而非限制性的；本發(fā)明不限于所 公開(kāi)的實(shí)施例。通過(guò)研究附圖、公開(kāi)內(nèi)容和所附權(quán)利要求書(shū)，本領(lǐng)域
附權(quán)利;求^中，"包括:二詞不排除其他:件或步驟，':'一個(gè)，，不
排除多個(gè)。單一處理器或其他單元可以實(shí)現(xiàn)在所附權(quán)利要求書(shū)中所引 述的幾項(xiàng)的功能。在互不相同的從屬權(quán)利要求中引述某些措施并不表 示不能使用這些措施的組合來(lái)獲益。所附權(quán)利要求書(shū)中的任何附圖標(biāo) 記都不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制其范圍。
1權(quán)利要求
1、一種設(shè)置(1)，其包括電元件(11)，其用于在饋電模式下接收饋電信號(hào)并且在非饋電模式下不接收所述饋電信號(hào)；以及電路(12)，其用于在所述饋電模式下檢測(cè)所述電元件(11)的故障，該電路(12)包括響應(yīng)于檢測(cè)結(jié)果在全部?jī)煞N模式下停用所述電元件(11)的有源開(kāi)關(guān)(13)。
2、 如權(quán)利要求1所述的設(shè)置(1),所述故障包括在所述饋電模 式下與所述電元件(11)的正常阻抗和/或電壓值的偏差。
3、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)置(1 )，所述電元件(11 )的阻抗和/ 或電壓值大于上閾值，并且所述有源開(kāi)關(guān)(13)并聯(lián)耦合到所述電元 件(11),從而響應(yīng)于所述檢測(cè)結(jié)果橋接所述電元件(11)以用于所 述停用。
4、 如權(quán)利要求3所述的設(shè)置(1),所述有源開(kāi)關(guān)(13)包括半 導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的主電極耦合到所述電元件(11)的各端子u
5、 如權(quán)利要求4所述的設(shè)置(1)，所述電路(12)還包括耦合 到所述電元件(11)的其中一個(gè)端子的電壓相關(guān)元件(14)以及耦合 到所述電元件(11)的另一個(gè)端子的電壓無(wú)關(guān)元件(15)，所述電壓 相關(guān)元件(14)和電壓無(wú)關(guān)元件(15)還彼此耦合并且耦合到所述半 導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的控制電極。
6、 如權(quán)利要求5所述的設(shè)置(1)，所述電壓相關(guān)元件(14)是 齊納二極管，所述電壓無(wú)關(guān)元件(15)是電阻器。
7、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)置(1)，所述電元件(11)的阻抗和/ 或電壓值小于下閾值，并且所述有源開(kāi)關(guān)U3)串聯(lián)耦合到所述電元 件(11),從而響應(yīng)于所述檢測(cè)結(jié)果中斷經(jīng)過(guò)所述電元件(11)的路 徑以用于所述停用。
8、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)置(1)，還包括另外的電元件(21)，其用于在饋電模式下接收另外的饋電信號(hào)， 并且在非饋電模式下不接收所述另外的饋電信號(hào)，該另外的電元件 (21 )耦合到所述電元件(11 );以及另外的電路(22),其用于在所述饋電模式下檢測(cè)所述另外的電元件(21 )的故障，該另外的電路(22 )包括響應(yīng)于另外的檢測(cè)結(jié)果 在全部?jī)煞N模式下停用所述另外的電元件(21)的另外的有源開(kāi)關(guān) (23)。
9、 一種包括如權(quán)利要求1所述的設(shè)置(1 )的設(shè)備(2 )'
10、 一種用于停用電元件(11)的方法，所述電元件(11)在饋 電模式下接收饋電信號(hào)并且在非饋電模式下不接收所述饋電信號(hào)，所 述方法包括以下步驟在所述饋電模式下檢測(cè)所述電元件(11)的故 障；以及響應(yīng)于檢測(cè)結(jié)果通過(guò)有源開(kāi)關(guān)(13)在全部?jī)煞N模式下停用 所述電元件(11)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種設(shè)置(1)，所述設(shè)置包括電元件(11，21)，其用于在饋電模式下接收饋電信號(hào)并且在非饋電模式下不接收所述饋電信號(hào)；以及電路(12，22)，其用于在所述饋電模式下檢測(cè)所述電元件(11，21)的故障。所述電路(12，22)包括有源開(kāi)關(guān)(13，23)，其響應(yīng)于檢測(cè)結(jié)果在全部?jī)煞N模式下停用所述電元件(11，21)，換句話說(shuō)是在所述饋電模式以及所述非饋電模式下停用所述電元件。所述電元件(11，21)例如包括發(fā)光二極管、白熾燈或揚(yáng)聲器等等。所述有源開(kāi)關(guān)(13，23)例如包括雙穩(wěn)態(tài)微繼電器或半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，比如一次性可編程閃速功率MOSFET等的非易失性功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。優(yōu)選地，所述設(shè)置(1)是集成設(shè)置。
文檔編號(hào)H05B33/08GK101496448SQ200780028427
公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2007年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月26日
發(fā)明者G·索爾蘭德, G·胡格扎德 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司