專利名稱：屏蔽條的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)屏蔽設備，更具體地(并非排他地)涉及耐用的超柔軟屏蔽條。
背景技術：
所選電子部件輻射電磁波，這會導致在位于輻射部件特定附近的電子設備中出現(xiàn)噪音或不希望的信號。因此，為使用發(fā)射電磁輻射或易受電磁輻射影響的電路的電子元件提供屏蔽和/或接地是普遍的?？衫梅瓷浠蛳㈦姶烹姾珊碗姶艌龅膫鲗帘蝸砥帘芜@些元件，以減少不希望的電磁干擾和/或其磁化率效應(susceptibility effect)。可將這種屏蔽接地，以使得能夠在不妨害處于屏蔽中的電子元件的操作的情況下消散不希望的電荷和電場。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種屏蔽條總體上包括大體縱向延伸的區(qū)域。該屏蔽條沿著所述大體縱向延伸的區(qū)域還包括一排多個大體橫向延伸的槽。所述多個槽中的至少一些槽具有截面大于槽的截面的末端，并且使得所述具有更大截面的末端位于所述多個槽的交替端部。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的一種屏蔽條總體上包括大體縱向延伸的區(qū)域。該屏蔽條沿著所述大體縱向延伸的區(qū)域還包括至少一個大體橫向延伸的槽。所述槽在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近具有至少一個擴大部分。
另一方面，本發(fā)明提供了屏蔽條的制造方法。在一個示例性實施中，一種方法總體上包括如下步驟沿大體縱向延伸的區(qū)域形成至少一個大體橫向延伸的槽，使得該槽在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近包括至少一個擴大部分。
在另一示例性實施中，一種方法總體上包括如下步驟沿大體縱向延伸的區(qū)域形成一排多個大體橫向延伸的槽，使得所述多個槽中的至少一些槽具有截面大于槽的截面的末端，所述具有更大截面的末端位于所述多個槽的交替端部。
本發(fā)明的其他方面和特征將通過下面給出的詳細說明而變得顯而易見。應當理解的是，盡管詳細描述和具體示例闡述了本發(fā)明的示例性實施例，但這僅用于例示的目的而并非旨在限制本發(fā)明的范圍。


通過詳細描述和附圖，將更加充分地理解本發(fā)明，附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的屏蔽條的頂視立體圖；圖2為圖1所示的屏蔽條的底視立體圖；圖3為圖1所示的屏蔽條的端部正視圖；圖4為圖1所示的屏蔽條的底視平面圖；圖5為圖1所示的屏蔽條的頂視平面圖；圖6為圖1所示的屏蔽條的右側正視圖；并且圖7為圖1所示的屏蔽條的左側正視圖；圖8為圖1所示的屏蔽條置于安裝表面上的頂視立體圖；圖9為圖8所示的屏蔽條位于兩個部件之間的側面正視圖；圖10為形成之前的屏蔽條原坯的平面圖；圖11為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的屏蔽條的頂視立體圖；圖12為圖11所示的屏蔽條的底視立體圖；圖13為圖11所示的屏蔽條的端部正視圖；圖14為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的屏蔽條的頂視立體圖；圖15為圖14所示的屏蔽條的底視立體圖；圖16為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的屏蔽條的頂視立體圖；圖17為圖16所示的屏蔽條的底視立體圖；圖18為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的屏蔽條的頂視立體圖；
圖19為圖18所示的屏蔽條的底視立體圖；圖20為圖18所示的屏蔽條的端部正視圖；圖21為例示由接觸表面擠靠根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的屏蔽條所引起的應力集中的計算模型；圖22為對于圖1所示的屏蔽條每指狀件受力相對于插入距離的示例性線圖；圖23為示出屏蔽條上的負荷相對于安裝表面與擠靠在圖1所示的屏蔽條上的接觸表面之間的距離的示例性線圖；圖24為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的屏蔽條的頂視立體圖；圖25為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的屏蔽條的頂視立體圖；以及圖26為圖25所示的屏蔽條的另一頂視立體圖。
具體實施例方式
以下對示例性實施例的說明實質上僅僅為示例性的，并非對本發(fā)明應用或使用的限制。
圖1至圖9例示了依照本發(fā)明原理的示例性屏蔽和/或接地條100。在下文中，屏蔽和/或接地條100將被稱作屏蔽條100，盡管屏蔽條100也可以或另選地被用作接地條。如圖1和圖2所示，屏蔽條100包括大體縱向延伸的區(qū)域104和一排多個大體橫向延伸的槽108。每個槽108都包括截面比槽108大的末端或端部112。在一個示例性實施例中，末端或端部112的曲率半徑大于槽寬。優(yōu)選的是，末端112位于預定的高應力集中區(qū)域，并且優(yōu)選地被配置(例如，被確定大小及構形)為將高應力區(qū)域分散至低應力區(qū)域。繼而，當接觸表面152(圖9)擠靠在屏蔽條100上時，這也有助于減小剪切接觸負荷及法向接觸負荷。
圖8和圖9總體上例示了軟接觸負荷在維持可受剪切負荷部件時的重要性。在圖8和圖9中，屏蔽條100安裝在軌道128上。然而，屏蔽條100還沒有置于第一部件150與第二部件154之間。圖9例示了置于第一部件150與第二部件154之間之后的屏蔽條100，接觸表面152緊靠在屏蔽條100的上表面上。在圖9中，虛線代表如圖8所示的屏蔽條100的上部。部件150和154可包括廣范圍部件中的任一種，例如可滑動抽屜。在一個特定實施例中，部件150和/或154能夠彼此相對移動，由此將屏蔽條100定位于其間。也就是說，當?shù)诙考?54保持不動時，第一部件150可朝第二部件154移動，或當?shù)谝徊考?50保持不動時，第二部件154可朝第一部件150移動，或者兩個部件150和154可彼此相向移動。
僅僅作為示例，圖8和圖9還表示了安裝在部件150和/或154上的大體三角形部件158。這些部件有助于保持部件150與154之間的間隙或空隙。否則，如果部件150與154之間沒有間隙，屏蔽條100與接觸表面152之間的相對滑動會導致接觸表面阻礙并可能損傷屏蔽條100。
在一個特定實施例中，屏蔽條100的長度約為14.194英寸(公差為+/-0.060英寸)、寬度約為0.325英寸(公差為+/-0.015英寸)、并且高度約為0.105英寸(公差為+/-0.015英寸)。這些尺寸(如在此列出的所有尺寸)僅僅是用于例示，因為特定應用的具體尺寸例如可取決于屏蔽條的長度、期望屏蔽效果、屏蔽條的材料數(shù)據(jù)以及具體安裝(例如，屏蔽條將置于其上的安裝表面或軌道的厚度，等等)。另外，尺寸可根據(jù)位置而變化，從而使得屏蔽條在一個區(qū)域厚于另一個區(qū)域以適應封殼位置和連接器位置處的厚度不同的間隙。因此，屏蔽條的尺寸可以據(jù)此變化以獲得期望的接觸。
下面參照圖3，區(qū)域104沿屏蔽條100的長度彎曲，由此屏蔽條100的橫截或截面輪廓大體為弓形。也就是說，屏蔽條100具有跨其頂部的基本上為凹形或半圓形的彎曲部分。在一個特定實施例中，區(qū)域104的曲率半徑120約為0.212英寸，公差為+/-0.015英寸。另選的是，取決于將要使用屏蔽條100的具體應用，區(qū)域104能夠被彎曲為具有更小或更大的曲率半徑。
在各種不同的實施例中，將屏蔽條100設置具有圓形或彎曲的輪廓有助于均衡在屏蔽條100置于部件150與154之間時屏蔽條100上的負荷。通過與具有更具三角形輪廓(例如圖20所示的大體為三角形的輪廓)的屏蔽條相比較，負荷的峰值隨著三角形輪廓的一邊的斜面接觸到表面(例如，圖9中的接觸表面152)而變化。在這一點上，在達到三角形輪廓的中點并使負荷均衡之前將屏蔽條持續(xù)壓向接觸表面將導致負荷中出現(xiàn)峰值。但是對于屏蔽條100來說采用更為圓形的輪廓(例如，圖3所示的輪廓)能夠至少有助于減小在屏蔽條100可滑動地插入部件150與154之間時負荷的任何驟然峰值形成。這是因為更為圓形的輪廓使得在整個插入動作中能夠有更為連貫的負荷。然而，另選的是，也可采用其他適合的截面輪廓。
屏蔽條100還包括縱向延伸的側邊區(qū)域或腹板124。如圖9所示，這些邊緣區(qū)域124可被配置為大體位于安裝軌道128附近。在一個特定實施例中，邊緣區(qū)域124被形成(例如，卷繞或彎曲)在區(qū)域104下方，使得邊緣區(qū)域124各自具有的寬度約為0.75英寸(公差為+/-0.005英寸)并且彎曲部分132(圖3)的半徑約0.020英寸(公差為+/-0.015英寸)。邊緣區(qū)域124的配置(例如，寬度、曲率半徑等)例如可根據(jù)將要使用屏蔽條100的具體應用而改變。此外，在其他實施例中，屏蔽條100可另外或另選地包括用于將屏蔽條100安裝到軌道128上的其他手段。
圖10例示了可形成屏蔽條100的材料的大體平坦原坯136。如圖中所示，屏蔽條100包括將指狀件140限定其間的多個槽108。槽108允許指狀件140向外彎曲并相對獨立地運動。在所例示的實施例中，槽108沒有完全在屏蔽條100上延伸，從而沿原坯136的各縱邊形成實體邊沿144。沿各邊的實體邊沿144沿屏蔽條100的長度提供了連續(xù)長度的材料，并為屏蔽條100提供了額外的剛度。
為了改善屏蔽條100的撓性并且為了便于安裝，各個槽108都包括第二末端或端部116，該第二末端或端部116至少部分地在側邊區(qū)域124內延伸，如圖2和圖4所示。在該特定實施例中，槽108交替地從區(qū)域104向屏蔽條100的相對一邊延伸。另選的是，槽不必延伸進側邊區(qū)域。例如，圖10至圖12例示了槽208沒有延伸到側邊區(qū)域224中的示例性屏蔽條200。其他實施例可包括具有延伸進兩個側邊區(qū)域的槽的屏蔽條。另有實施例可包括具有如下槽的屏蔽條，該槽包括至少一個延伸進側邊區(qū)域的擴大端部。另外的實施例包括具有至少一個開端槽的屏蔽條，該開端槽完全延伸穿過側邊區(qū)域。
繼續(xù)參照圖1至圖9，屏蔽條100的一個特定實施例包括多個槽108，這些槽108各自具有的寬度約為0.0180英寸(公差為+/-0.003英寸)。該特定屏蔽條還包括指狀件140，指狀件140的寬度約為0.169英寸(公差為+/-0.003英寸)。例如，槽108和指狀件140的尺寸、形狀、排列、朝向和數(shù)量可根據(jù)屏蔽條的長度、期望屏蔽效果、屏蔽條的材料屬性以及具體安裝(例如，屏蔽條將置于其上的安裝表面或軌道的厚度，等等)而改變。屏蔽條的另選實施例例如可包括數(shù)量比圖中所示的更少或更多的槽和指狀件。其他實施例可包括除圖中所示的橫向延伸的槽以外的其他槽排列和朝向。
在所例示的特定實施例中，各個槽108僅包括一個擴大末端112。各個槽108的另一端或末端116的截面不大于槽108的截面。然而，在另選實施例中，槽可在兩端均包括擴大末端。例如，圖24例示了一種具有槽708的示例性屏蔽條700。各個槽708在其各端都包括一個擴大的基本上為球根狀的末端72。在其他實施例中，一個或更多個槽可不具有任何擴大末端。例如，圖25和圖26例示了一種示例性屏蔽條800，該屏蔽條800具有帶擴大端部812的槽808。屏蔽條800還包括置于槽808之間、具有基本上均勻的截面的其他的槽862。在還有的實施例中，一個或更多個槽可另外或另選地在除端部外的其他位置(例如，在其他預定的高應力集中區(qū)域)處包括擴大部分。
在所例示的實施例中，擴大部分112位于槽108的交替端部。如前所述，屏蔽條100的圓形輪廓有助于在其可滑動地位于部件150與154之間時均勻地分散應力負荷。通過除去與高應力集中相關聯(lián)的槽端部的表面區(qū)域，擴大末端112將高應力區(qū)域分散至低應力區(qū)域。繼而，這樣有助于減小由擠靠在屏蔽條100上的接觸表面152所產生的剪切接觸負荷和法向接觸負荷。
針對擴大末端112可采用廣范圍的形狀。在所例示的實施例中，擴大末端112基本上為淚珠狀或球根狀。另選的是，針對擴大末端112，可采用其他形狀，例如三角形、矩形、圓形、卵形、箭頭形和這些形狀的組合以及其他形狀。
例如，圖14和圖15例示了具有槽308的示例性屏蔽條300。各個槽308具有大體為三角形的擴大末端312，使得這些擴大末端位于槽308的交替端部。
圖16和圖17例示了具有槽408的示例性屏蔽條400。各個槽408具有擴大的基本上為球根狀的末端412。
圖18到圖20例示了具有槽508的示例性屏蔽條500。各個槽508包括大體為箭頭形的擴大末端512。在該特定實施例中，屏蔽條500還包括大體為三角形的截面輪廓，如圖20所示。在各種不同的實施例中，槽的截面可變化以適應如前所述在將屏蔽條可滑動地置于部件之間時可出現(xiàn)的所得高應力區(qū)域或負荷峰值。
可根據(jù)屏蔽條的具體輪廓和/或將使用該屏蔽條的應用，來定制槽的擴大部分的特定形狀、尺寸和位置。此外，槽的各擴大部分不必采用相同的形狀。
針對本發(fā)明的屏蔽條(例如，100、200、300、400、500、700、800等)，可采用廣范圍的材料，優(yōu)選地采用可回彈柔軟且導電的材料。在各種實施例中，屏蔽條由可回彈柔軟的材料形成，其本質上是彈性的，彈性模量足以使得屏蔽條和/或指狀件可受力從非加負位置移至加負位置，并將在不超過材料的屈服點的情況下在撤去該力后返回到未加荷位置。另外或另選的是，一些實施例中的屏蔽條由能夠在其中傳導電流并具有足夠低的阻抗以作為有效的EMI/RFI屏蔽的導電材料形成。
通過其他的示例，一個實施例包括由鈹銅合金(例如，鈹銅合金25等)或不銹鋼形成的屏蔽條。鈹銅合金可包括在約1.8％(重量)與約2.0％(重量)之間的鈹，最多約0.6％(重量)的鈷、鎳和鐵的組合，并且其余是銅，該合金具有約22％和約28％IACS(國際退火銅標準)之間的導電率。適合的合金示例是可從Brush Wellman，Cleveland，Ohio獲得的Brush合金25(銅合金UNS編號C17200)。
也可使用其他適合的材料，例如磷青銅、銅包鋼、黃銅、蒙乃爾銅-鎳合金、鋁、鋼、鎳黃銅和其他鈹銅合金以及其他材料。此外，為了與材料要在安裝于其上的表面的電流兼容性，可有選擇地對該材料進行預電鍍或后電鍍。另選的是，該材料可為經加載或涂敷而可導電的模塑或鑄塑聚合物。
通過接觸用具有垂直于屏蔽條100的縱向軸的分量的力擠靠在屏蔽條100的指狀件140和頂部148上的另一表面，屏蔽條100可用作屏蔽和/或接地條。使用中，指狀件140和頂部148可與另一表面擠靠而使得指狀件140沿其長度彎曲，從而使頂部148更靠近安裝表面128，如圖9所示。
當加荷表面從與屏蔽條100的接觸狀態(tài)撤去時，構造屏蔽條100和/或指狀件140的材料的回彈特性，使得指狀件140能夠返回其未加荷位置，如圖8所示?？蛇x擇如下材料來構造屏蔽條100在使用屏蔽條100作為屏蔽和/或接地條期間，不會達到該材料的屈服點，并且不會發(fā)生材料的塑性變形。
在另一種形式中，本發(fā)明還提供了屏蔽條的制造方法。在一個示例性實施中，制造方法包括如下步驟沿大體縱向延伸的區(qū)域形成至少一個大體橫向延伸的槽，并使得該槽在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近包括至少一個擴大部分。
作為示例，可通過利用非線性有限元分析進行計算建模來找出該預定的高應力集中區(qū)域。另選的是，可采用其他計算建模來找出預定的高應力集中區(qū)域。
圖21例示了表示通過利用非線性有限元分析而確定的應力集中的計算模型。這些應力集中是由擠靠安裝于軌道628上的屏蔽條600上的接觸表面652所產生的。圖例(示于圖21的左側)從上至下表示量級逐漸減少的應力集中。在此特定實施例中，屏蔽條600的計算模型包括大體為弓形的橫截或截面輪廓，并且包括截面基本上均勻的多個槽。因此，該計算模型中的槽不包括擴大的端部。
如圖21所示，與屏蔽條600的模型的其他區(qū)域相比，統(tǒng)指為656的區(qū)域代表高應力集中。既然確定了高應力集中區(qū)域，就可對槽的截面進行調整以將高應力集中分散至低應力集中區(qū)域。例如，在各種實施例中，將槽的截面制造為大于計算模型指示將產生高應力集中之處656的截面。通過將高應力集中分散至低應力集中區(qū)域，對槽的截面的調整可有助于防止屏蔽條在高應力區(qū)域出現(xiàn)塑性變形。然而，是否發(fā)生塑性變形將至少部分地取決于屏蔽條的具體材料和其他屬性。
圖22為在摩擦系數(shù)為0.15的情況下每指狀件受力相對于屏蔽條100(圖1至9)的插入距離的示例性線圖。圖22繪出了屏蔽條指狀件140上的插入力或剪切負荷相對于插入距離的圖。圖22還繪出了由向下擠靠屏蔽條指狀件140的接觸表面152所施加的垂直力或法向負荷相對于插入距離的圖。在此特定實施例中，插入距離是指屏蔽條100可滑動地置于接觸表面152下方的距離?？赏ㄟ^使部件150和154彼此相對移動來將屏蔽條100置于它們之間，從而將屏蔽條100置于接觸表面152下方。也就是說，當?shù)诙考?54保持不動時，第一部件150可朝第二部件154移動，或當?shù)谝徊考?50保持不動時，第二部件154可朝第一部件150移動，或者兩個部件150和154能夠彼此相向移動。
圖23為示出屏蔽條100(圖1至9)上的負荷相對于板間距的示例性線圖。在此特定實施例中，屏蔽條100由鍍錫的鈹銅形成。板間距通常是指將部件150與接觸表面152隔開的間隙(圖8和圖9)。
圖22和圖23中繪出的值僅出于示例的目的而并非用于限制。在其他實施例中，這些值可例如根據(jù)特定屏蔽條及其材料、橫截或截面輪廓、以及/或者槽的排列而不同。
因此，本發(fā)明的各種實施例所提供的屏蔽條足夠堅固和剛性以在不離開安裝表面的情況下實現(xiàn)了良好的電接觸、防損傷并且抗使用中產生的力。這些實施例所提供的屏蔽條還相當柔軟和可彎曲，足以相對容易地裝設在廣范圍的應用中，例如空間有限的應用、面板操作、插件單元、子軌道裝配、底盤外殼和后連線板。
通過除去高應力集中的位置處的表面區(qū)域以將高應力區(qū)域分散至低應力區(qū)域，各種實施例給出了還能夠提供近連續(xù)的EMI接觸的低剪切接觸屏蔽條。
對本發(fā)明的描述實質上僅為示例性的，從而不違背本發(fā)明要旨的變化均落入本發(fā)明的范圍之內。這種變化并不被認為是對本發(fā)明的精神和范圍的背離。
權利要求
1.一種屏蔽條，該屏蔽條包括縱向延伸的中央區(qū)域和沿該縱向延伸的中央區(qū)域的一排橫向延伸的多個槽，各個所述槽的末端的截面大于所述槽的截面，并使得具有更大截面的末端位于所述多個槽的交替端部。
2.根據(jù)權利要求1所述的屏蔽條，其中，所述多個槽交替地從所述中央區(qū)域朝所述屏蔽條的相對邊延伸。
3.根據(jù)權利要求1所述的屏蔽條，其中，各個所述末端基本上為淚珠形。
4.根據(jù)權利要求1所述的屏蔽條，其中，各個所述末端基本上為球根狀。
5.根據(jù)權利要求1所述的屏蔽條，該屏蔽條還包括卷繞到所述中央區(qū)域下方的縱向延伸的多個側邊區(qū)域，并且其中，各個所述槽包括至少部分地在所述多個側邊區(qū)域中的至少一個側邊區(qū)域內延伸的第二末端。
6.根據(jù)權利要求1所述的屏蔽條，其中，所述中央區(qū)域沿所述屏蔽條的長度彎曲，由此使所述屏蔽條具有弓形的截面輪廓。
7.根據(jù)權利要求1所述的屏蔽條，其中，所述屏蔽條包括大體為三角形的截面輪廓。
8.根據(jù)權利要求1所述的屏蔽條，其中，所述末端被配置為將高應力區(qū)域分散至低應力區(qū)域。
9.一種屏蔽條，該屏蔽條包括縱向延伸的中央區(qū)域和沿該縱向延伸的中央區(qū)域的至少一個橫向延伸的槽，該槽在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近具有至少一個截面大于所述槽的截面的擴大部分。
10.根據(jù)權利要求9所述的屏蔽條，其中，所述至少一個擴大部分位于所述至少一個槽的端部。
11.根據(jù)權利要求9所述的屏蔽條，其中，所述至少一個槽包括一排橫向延伸的多個槽，各個所述槽在預定的高應力集中區(qū)域具有至少一個擴大部分。
12.根據(jù)權利要求11所述的屏蔽條，其中，所述擴大部分位于所述多個槽的交替端部。
13.根據(jù)權利要求9所述的屏蔽條，該屏蔽條還包括卷繞到所述中央區(qū)域下方的縱向延伸的多個側邊區(qū)域，并且其中，所述多個槽包括至少部分地在所述多個側邊區(qū)域中的至少一個側邊區(qū)域內延伸的端部。
14.根據(jù)權利要求9所述的屏蔽條，其中，所述中央區(qū)域沿所述屏蔽條的長度彎曲，由此使所述屏蔽條具有弓形的截面輪廓。
15.根據(jù)權利要求9所述的屏蔽條，其中，所述屏蔽條包括大體為三角形的截面輪廓。
16.根據(jù)權利要求9所述的屏蔽條，其中，所述擴大部分被配置為將與所述預定的高應力集中區(qū)域相關聯(lián)的應力分散至預定的低應力集中區(qū)域。
17.一種制造具有縱向延伸的中央區(qū)域的屏蔽條的方法，該方法包括如下步驟沿所述縱向延伸的中央區(qū)域形成至少一個橫向延伸的槽，使得該槽在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近包括至少一個擴大部分。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，該方法還包括如下步驟通過對具有截面基本上均勻的至少一個槽的屏蔽條進行計算建模來確定所述預定的高應力集中區(qū)域，并且其中，所述形成步驟包括在所述計算建模指示將產生高應力集中之處形成所述擴大部分。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中，計算建模包括非線性有限元分析。
20.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述形成步驟包括形成一排橫向延伸的多個槽，各個所述槽具有擴大端部，并使得所述擴大端部位于所述多個槽的交替端部。
21.根據(jù)權利要求17所述的方法，該方法還包括如下步驟將所述屏蔽條的縱向延伸的多個側邊部分卷繞到所述中央區(qū)域下方，從而使得所述槽至少部分地延伸進所述多個側邊部分中的至少一個側邊部分。
22.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述方法包括如下步驟使所述中央區(qū)域沿所述屏蔽條的長度彎曲，從而使所述屏蔽條具有弓形的截面輪廓。
23.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述屏蔽條包括大體為三角形的截面輪廓。
24.一種屏蔽條，該屏蔽條包括大體縱向延伸的區(qū)域和沿該大體縱向延伸的區(qū)域的一排大體橫向延伸的多個槽，所述多個槽中的至少一些槽具有截面大于槽的截面的末端，并使得所述具有更大截面的末端位于所述多個槽的交替端部。
25.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述多個具有更大截面的末端中的至少一個末端的曲率半徑大于槽寬。
26.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述具有更大截面的末端交替地從所述大體縱向延伸的區(qū)域朝所述屏蔽條的相對邊延伸。
27.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述多個具有更大截面的末端中的至少一個末端基本上為淚珠形或基本上為球根狀。
28.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，該屏蔽條還包括置于所述大體縱向延伸的區(qū)域下方的大體縱向延伸的側邊區(qū)域。
29.根據(jù)權利要求28所述的屏蔽條，其中，所述多個槽中的至少一個槽包括其截面不大于所述槽的截面的、并且至少部分地延伸進所述多個側邊區(qū)域中的至少一個側邊區(qū)域的末端。
30.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述大體縱向延伸的區(qū)域具有大體為弓形的橫截輪廓。
31.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述屏蔽條包括大體為三角形的橫截輪廓。
32.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述具有更大截面的末端被配置為將高應力區(qū)域分散至低應力區(qū)域。
33.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述多個槽中的至少一個槽僅包括一個截面大于該槽的末端。
34.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述多個槽中的至少一個槽包括多于一個、截面大于所述槽的末端。
35.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述屏蔽條包括至少一個截面基本上均勻的槽。
36.根據(jù)權利要求24所述的屏蔽條，其中，所述多個槽在其間限定了指狀件，所述指狀件被配置為大體向外彎曲并彼此相對獨立地運動。
37.一種包括權利要求24所述的屏蔽條的電子設備。
38.一種屏蔽條，該屏蔽條包括大體縱向延伸的區(qū)域和沿該大體縱向延伸的區(qū)域的至少一個大體橫向延伸的槽，該槽在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近具有至少一個截面大于所述槽的擴大部分。
39.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述至少一個擴大部分位于所述至少一個槽的端部。
40.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述至少一個槽包括一排大體橫向延伸的多個槽，各個所述槽在預定的高應力集中區(qū)域具有至少一個擴大部分。
41.根據(jù)權利要求40所述的屏蔽條，其中，所述擴大部分位于所述多個槽的交替端部。
42.根據(jù)權利要求40所述的屏蔽條，其中，所述多個槽中的至少一個槽僅包括一個擴大部分。
43.根據(jù)權利要求40所述的屏蔽條，其中，所述多個槽中的至少一個槽包括多于一個的擴大部分。
44.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述屏蔽條包括至少一個截面基本上均勻的槽。
45.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，該屏蔽條還包括置于所述大體縱向延伸的區(qū)域下方的大體縱向延伸的多個側邊區(qū)域。
46.根據(jù)權利要求22所述的屏蔽條，其中，所述至少一個槽包括至少部分地延伸進所述多個側邊區(qū)域中的至少一個側邊區(qū)域的端部。
47.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述至少一個擴大部分的曲率半徑大于槽寬。
48.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述至少一個擴大部分基本上為淚珠形或基本上為球根狀。
49.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述大體縱向延伸的區(qū)域具有大體為弓形的橫截輪廓。
50.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述屏蔽條包括大體為三角形的橫截輪廓。
51.根據(jù)權利要求38所述的屏蔽條，其中，所述至少一個擴大部分被配置為將與所述預定的高應力集中區(qū)域相關聯(lián)的應力分散至預定的低應力集中區(qū)域。
52.一種包括權利要求38所述的屏蔽條的電子設備。
53.一種制造具有大體縱向延伸的區(qū)域的屏蔽條的方法，該方法包括如下形成步驟沿所述大體縱向延伸的區(qū)域形成至少一個大體橫向延伸的槽，并使得該槽在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近包括至少一個擴大部分。
54.根據(jù)權利要求53所述的方法，該方法還包括如下步驟通過對具有截面基本上均勻的至少一個槽的屏蔽條進行計算建模來確定所述預定的高應力集中區(qū)域，并且其中，所述形成步驟包括在所述計算建模指示將產生高應力集中之處形成所述擴大部分。
55.根據(jù)權利要求54所述的方法，其中，所述形成步驟包括形成一排大體橫向延伸的多個槽，所述多個槽中的至少一些槽具有擴大端部，并使得所述擴大端部位于所述多個槽的交替端部。
56.一種制造具有大體縱向延伸的區(qū)域的屏蔽條的方法，該方法包括如下形成步驟沿所述大體縱向延伸的區(qū)域形成一排大體橫向延伸的多個槽，所述多個槽中的至少一些槽具有截面大于槽的截面的末端，并使得所述具有更大截面的末端位于所述多個槽的交替端部。
57.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中，所述形成步驟包括在至少一個預定的高應力集中區(qū)域附近形成所述多個具有更大截面的末端中的至少一個末端。
58.根據(jù)權利要求57所述的方法，該方法還包括如下確定步驟通過對具有截面基本上均勻的至少一個槽的屏蔽條進行計算建模來確定所述至少一個預定的高應力集中區(qū)域，并且其中，所述形成步驟包括在所述計算建模指示將產生高應力集中之處形成所述多個具有更大截面的末端中的至少一個末端。
全文摘要
本發(fā)明提供了屏蔽條。根據(jù)本發(fā)明一個方面的屏蔽條(100)包括大體縱向延伸的區(qū)域和沿該大體縱向延伸的區(qū)域的至少一個大體橫向延伸的槽(108)。槽(108)具有至少一個截面大于槽(108)的擴大部分(112)。所述擴大部分(112)可例如位于槽(108)的端部和/或位于預定的高應力集中區(qū)域附近。本發(fā)明的其他方面包括制造屏蔽條(100)的方法。
文檔編號H05K9/00GK101040574SQ200580035306
公開日2007年9月19日 申請日期2005年7月28日 優(yōu)先權日2005年2月11日
發(fā)明者菲爾·范·哈斯特爾 申請人:萊爾德技術股份有限公司