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一種ccd器件系統(tǒng)增益測量裝置及方法

文檔序號:7809508閱讀:262來源:國知局
一種ccd器件系統(tǒng)增益測量裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種CCD器件系統(tǒng)增益測量裝置,包括:激光器、激光穩(wěn)功率系統(tǒng)、連續(xù)可調(diào)衰減片及控制器、積分球、精密位移臺、暗室和主控計算機,所述積分球、位移臺以及被測CCD器件放置在光學暗室中;所述衰減片、位移臺以及被測CCD器件由相關接口連接到主控計算機上;所述激光器發(fā)出的光經(jīng)穩(wěn)功率系統(tǒng)以及衰減片后直接入射到積分球中;調(diào)整位移臺,使被測CCD器件正對積分球出光口。本發(fā)明通過連續(xù)調(diào)節(jié)衰減片改變光源強度來獲得CCD不同響應值的明場圖,不需要設置CCD的曝光時間;只需獲取一次暗場圖,然后即可連續(xù)獲取明場圖,過程簡單,數(shù)據(jù)量小,不需要繁瑣的開、關快門操作。
【專利說明】-種CCD器件系統(tǒng)增益測量裝置及方法

【技術(shù)領域】
[0001] 本發(fā)明涉及測試【技術(shù)領域】,特別涉及一種C⑶器件系統(tǒng)增益測量裝置,還涉及一 種CCD器件系統(tǒng)增益測量方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 系統(tǒng)增益代表了 CCD (Charge Coupled Device)電子學系統(tǒng)放大特性,是確定CCD 器件讀出噪聲、量子效率、滿阱容量等的重要參數(shù),其他性能的評估也大都以它為基礎。在 CO)器件增益測試中,光子轉(zhuǎn)移曲線方法(PTC, photon transfer curve)目前應用最為廣 泛,傳統(tǒng)的光子轉(zhuǎn)移曲線方法需要連續(xù)改變CCD相機的曝光時間來獲取明場圖和暗場圖, 而實際實施時某些類型的CCD器件曝光時間的設置并不方便,甚至無法人為改變,這就給 這些CCD的系統(tǒng)增益測試帶來了一定的困難,并且明、暗場圖交替獲取造成了測試方案的 繁瑣,且數(shù)據(jù)量較大不易處理。
[0003] (XD器件的增益定義一個模數(shù)轉(zhuǎn)換單位(ADU)對應的原始光生電子數(shù),單位為e7 ADU。目前測量增益最常用的方法為光子轉(zhuǎn)移曲線法。根據(jù)該方法,CCD的系統(tǒng)增益可以表 示為:
[0004]

【權(quán)利要求】
1. 一種CCD器件系統(tǒng)增益測量裝置,其特征在于,包括:激光器、穩(wěn)功率系統(tǒng)、衰減片及 其控制器、積分球、精密位移臺、暗室和主控計算機,所述積分球、位移臺以及被測CCD器件 放置在光學暗室中;所述衰減片、位移臺以及被測(XD器件由相關接口連接到主控計算機 上;所述激光器發(fā)出的光經(jīng)穩(wěn)功率系統(tǒng)以及衰減片后直接入射到積分球中;調(diào)整位移臺, 使被測C⑶器件正對積分球出光口。
2. 如權(quán)利要求1所述的CCD器件系統(tǒng)增益測量裝置,其特征在于,被測CCD器件到積分 球出光口的距離大于4倍的出光口 口徑。
3. 如權(quán)利要求1所述的CCD器件系統(tǒng)增益測量裝置,其特征在于,所述激光器采用 HeNe激光器,中心波長為632. 8nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的CCD器件系統(tǒng)增益測量裝置,其特征在于,所述積分球直徑為 40-60cm,出光口直徑為8-12cm,入光口直徑為0· 5-2cm。
5. 如權(quán)利要求4所述的CCD器件系統(tǒng)增益測量裝置,其特征在于,所述積分球直徑為 50cm,出光口直徑為10cm,入光口直徑為lcm。
6. -種C⑶器件系統(tǒng)增益測量方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟(a),連接設備,關閉激光器,將衰減片調(diào)至最大衰減,設置被測(XD器件的曝光時 間; 步驟(b),通過被測CCD器件獲取若干張圖像,此時獲得的圖像為暗場圖,選取兩張計 算平均灰度值μ y.daA和方差
平均灰度值和方差的計算方法為式(2)和式(3):
(2) (3) 其中μ和σ 2為圖像的平均灰度值和方差;μ i和μ 2分別代表選取的兩張圖像,Μ、N 分別為獲取圖像的行像素數(shù)和列像素數(shù); 步驟(c),打開激光器,穩(wěn)定后通過被測CCD器件獲取若干張明場圖,并選取兩張計算 平均灰度值μ y和方差
,計算方法同所述步驟(b); 步驟(d),使用計算機控制連續(xù)調(diào)節(jié)衰減片,判斷被測C⑶器件是否達到飽和,如未達 到飽和,則重復步驟(c); 步驟(e),以μ y_y y.daA作為橫坐標,以
作為縱坐標描點,選取被測CCD器件 曝光量在飽和值70%以下的點進行直線擬合。
7. 如權(quán)利要求6所述的CCD器件系統(tǒng)增益測量方法,其特征在于,所述步驟(e)中,直 線擬合的步驟中y軸截距為0。
【文檔編號】H04N17/00GK104125456SQ201410351291
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月15日
【發(fā)明者】王洪超, 劉紅元, 王恒飛, 應承平, 吳斌 申請人:中國電子科技集團公司第四十一研究所
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