專利名稱：攝像裝置和數(shù)碼相機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使光入射并進行光電變換的單位單元在半導體基板上1維或者2維配置的攝像裝置和具有該攝像裝置的數(shù)碼相機，特別是涉及用于解決多像素1單元的MOS型攝像元件特有的問題即像素間的電荷泄漏的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來，帶數(shù)碼相機的移動電話等攝像設(shè)備總地來說正在普及。
這些攝像設(shè)備為了減輕重量和延長連續(xù)使用時間而必須抑制電力消耗，所以大多安裝電力消耗明顯低于CCD型攝像元件的MOS型攝像元件。
在MOS型攝像元件中，存在通過各自對應(yīng)的讀取晶體管將信號從2個以上的光電二極管讀取到1個檢測部中的多像素1單元的類型。
另外，在MOS型攝像元件中，存在不具備行選擇晶體管，而利用賦予復位晶體管、讀取晶體管和電源端子的脈沖的定時控制進行行選擇，減少晶體管數(shù)量，提高像素密度的類型(專利文獻1日本特開2003-46864號公報，專利文獻2日本特開2004-312472號公報)。
另外，在非專利文獻1IEEE Journal of Solid-State Circuits，Vol.39 No.12.December 2004 P.2417～2425“A 3.9-μm Pixel Pitch VGA Format 10-b DigitalOutput CMOS Image Sensor With 1.5 Transistor/Pixel”中，公開了在4像素1單元中，按每個單元由1個復位晶體管(M5)承擔行選擇功能和復位功能的MOS型攝像元件(參考非專利文獻1的圖3、4)，記載了能夠通過一邊控制輸出信號線的電位一邊使想選擇的行的復位晶體管(M5)導通來選擇該行(參照非專利文獻1的圖4)，能夠減少晶體管的數(shù)量，提高像素密度。
但是，如下所述，存在僅僅在多像素1單元的MOS型攝像元件中產(chǎn)生的問題。
而且，在本說明書中，為了使說明變得簡單，主要對2像素1單元的MOS型攝像元件進行說明。
在2像素1單元的MOS型攝像元件中，強光入射到一個光電二極管上，在該光電二極管飽和的情況下，電荷從讀取晶體管溢出到檢測部中，而且溢出到檢測部中的電荷泄漏到?jīng)]有飽和的另一個光電二極管中，產(chǎn)生讀取不到正確的亮度信號的問題。
為了解決上述問題，如果是具有行選擇晶體管的類型，在行選擇晶體管的的源漏極之間非導通，成為非選擇狀態(tài)時，考慮使復位晶體管的源漏極間導通，使檢測部復位的解決方法。
但是，在不具有行選擇晶體管的類型時，在從選擇的單元的檢測部讀取電荷時，如果使未選擇的單元的檢測部復位，因為其已被選擇，所以上述解決方法不能適用。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠防止在多像素1單元的MOS型攝像元件中，強光入射到一部分光電二極管上并飽和，溢出到檢測部中的電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管中的情形的攝像裝置和具有該攝像裝置的數(shù)碼相機。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的攝像裝置是排列有多個積蓄與光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元的攝像裝置，各單位單元包含N個(N為2以上)光電二極管；1個檢測部；N個讀取晶體管，將上述N個光電二極管中的各個和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)，在非導通狀態(tài)時將亮度信息讀取到上述檢測部中；1個復位晶體管，將電源端子和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)；1個放大晶體管，將讀取到上述檢測部中的亮度信息放大，其中，上述N個讀取晶體管是增強型晶體管，上述復位晶體管是耗盡型晶體管。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的數(shù)碼相機的特征在于具有上面記載的攝像裝置。
因為讀取晶體管是增強型晶體管，復位晶體管是耗盡型晶體管，在強光入射到一部分光電二極管上并飽和，電荷溢出到檢測部中的情況下，在檢測部的電位成為0V之前，溢出到檢測部中的電荷排出到漏極，能夠防止電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管中的情形。
而且，在具有行選擇晶體管的類型中，也無需利用復位晶體管使未選擇的單元的檢測部復位這樣的特別控制。
而且，在攝像裝置中，還具有下述特征多個單位單元各自的上述放大晶體管的輸出線相互之間直接連接，該多個單位單元各自的被放大的亮度信息輸出到1根公共輸出線中。
而且，在數(shù)碼相機中，特征還在于，具有上面記載的攝像裝置。
這樣，因為攝像裝置是不具備行選擇晶體管的類型，所以在這一類型中，在從選擇的單元的檢測部中讀取電荷時，盡管不能使未選擇的單元的檢測部復位，還是能夠防止上述情形。
本發(fā)明的攝像裝置是排列有多個積蓄與光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元的攝像裝置，各單位單元包含N個(N為2以上)光電二極管；1個檢測部；N個讀取晶體管，將上述N個光電二極管中的各個和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)，在非導通狀態(tài)時將亮度信息讀取到上述檢測部中；和1個復位晶體管，將電源端子和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)，其中，上述N個讀取晶體管和上述復位晶體管是增強型晶體管，該攝像裝置具有將低偏壓施加給上述復位晶體管的柵極的偏壓電路。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的數(shù)碼相機的特征在于具有上面記載的攝像裝置。
這樣，因為將低偏壓施加給復位晶體管的柵極，所以在強光入射到一部分光電二極管上并飽和，電荷溢出到檢測部中的情況下，在檢測部的電位成為OV之前，溢出到檢測部中的電荷排出到漏極，能夠防止電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管中的情形。
而且，在具有行選擇晶體管的類型中，也無需利用復位晶體管使未選擇的單元的檢測部復位這樣的特別控制。
而且，在攝像裝置中，還具有下述特征多個單位單元各自的上述放大晶體管的輸出線相互之間直接連接，該多個單位單元各自的被放大的亮度信息輸出到1根公共輸出線中。
而且，在數(shù)碼相機中，特征還在于，具有上面記載的攝像裝置。
由此，因為攝像裝置是不具備行選擇晶體管的類型，所以在這一類型中，在從選擇的單元的檢測部中讀取電荷時，盡管不能使未選擇的單元的檢測部復位，還是能夠防止上述情形。


從下面的結(jié)合解釋本發(fā)明的具體實施例的附圖的說明中，本發(fā)明的這些和其它的目的、優(yōu)點和特征將變得顯而易見。在附圖中圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的數(shù)碼相機10的概略的附圖。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的固體攝像裝置11的概略結(jié)構(gòu)的附圖。
圖3是表示實施方式1的攝像裝置的電路概略的附圖。
圖4是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度的強光時各時刻的像素電路110中的各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖5是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度的強光時各時刻的像素電路110中的各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖6是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度的強光時各時刻的像素電路110中的各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖7是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度的強光時各時刻的像素電路110中的各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖8是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度的強光時各時刻的像素電路110中的各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖9是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度的強光時各時刻的像素電路110中的各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖10是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度的強光時各時刻的像素電路110中的各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖11是表示一個光接收元件111入射飽和程度的強光時和圖4相同的時刻的像素電路110中各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
圖12是表示輸出低偏壓的低偏壓電路的概略的附圖。
具體實施例方式
盡管通過參考附圖的實施例對本發(fā)明進行了充分的說明，但要注意的是各種變化和修改對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，只要這些變化和修改未脫離本發(fā)明的范圍，它們都應(yīng)推斷為包含于此文。
(實施方式1)<概略>
本發(fā)明的實施方式1是在多像素1單元的MOS型攝像元件中，通過將讀取晶體管做成增強型晶體管，將復位晶體管做成耗盡型晶體管，從而在強光入射到一部分光電二極管上并飽和，電荷溢出到檢測部中的情況下，在檢測部的電位成為0V之前，溢出到檢測部中的電荷排出到漏極，能夠防止電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管中的情形的攝像裝置和具有該攝像裝置的數(shù)碼相機。
<結(jié)構(gòu)>
圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的數(shù)碼相機10的概略的附圖。
如圖1所示，本發(fā)明的實施方式1的數(shù)碼相機10是能夠拍攝靜止畫面的攝像裝置，具有固體攝像裝置11和驅(qū)動控制裝置12。
固體攝像裝置11配置在通過遮光裝置的光成像的位置上，是排列有多個輸出和光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元的半導體元件及其外圍電路。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的固體攝像裝置11的基本結(jié)構(gòu)的附圖。
如圖2所示，本發(fā)明的實施方式1的固體攝像裝置11由攝像部1、負載電路2、行選擇編碼器3、列選擇編碼器4、信號處理部5、輸出電路6構(gòu)成。
攝像部1是1維或者2維排列單位單元的成像區(qū)域。這里，僅僅記載了3×3的2維配置的9個單位單元構(gòu)成的18像素的量，但實際的像素數(shù)量是1維時為數(shù)千個，2維時為數(shù)十萬～數(shù)百萬個左右。
負載電路2是按每一縱列連接有1個同一電路，為了讀取輸出電壓，在列單位中將負載施加給攝像部1的像素的電路。
行選擇編碼器3按每一橫行具有“RESET”、“READ1”、“READ2”3根控制線，對于攝像部1的像素，按行單位控制復位(初始化)、讀取1(讀取1)、讀取2(讀取2)。
列選擇編碼器4具有控制線，依次選擇列。
信號處理部5是按每一縱列連接有1個相同電路，處理來自攝像部1的列單位的輸出，并依次輸出。
輸出電路6對信號處理部5的輸出實施輸出到外部所必要的變換，并輸出。
圖3是表示實施方式1的攝像裝置的電路概略的附圖。
如圖3所示，實施方式1的攝像裝置具有負載電路100、像素電路110、信號處理電路120。
負載電路100記載了圖2的負載電路2中的1個電路，包含連接在第1信號輸出線和GND之間的負載用晶體管101，被供給負載電壓(LG)。
像素電路110記載了圖2的攝像部1中的1個單位單元，特征在于將放大初始化時的電壓后的復位電壓和放大讀取時的電壓后的讀取電壓輸出到第1信號輸出線中，包含對入射光進行光電變換，產(chǎn)生電荷(亮度信息)并積蓄，將積蓄的電荷作為電壓信號輸出的光電二極管等光接收元件111、112，積蓄由光接收元件111或者112產(chǎn)生的電荷的檢測部113，以檢測部113的顯示電壓成為初始電壓(這里是VDD)這樣的方式復位的復位晶體管114，將由光接收元件111輸出的電荷提供給檢測部113的讀取晶體管115，將由光接收元件112輸出的電荷提供給檢測部113的讀取晶體管116，和輸出根據(jù)檢測部113的顯示電壓變化的電壓的放大晶體管117。
VDDCELL是周期性地重復Hi電位(VDD)和Lo電位(GND)的電源輸入。
這里，讀取晶體管115、116是增強型晶體管，復位晶體管114是耗盡型晶體管。
信號處理電路120的特征在于，記載了圖2的信號處理部5中的1個縱列用的1個電路，輸出表示由該單位單元輸出的復位電壓和該讀取電壓的差的亮度信息，包含在第1信號輸出線和第2信號輸出線之間串聯(lián)的采樣晶體管121和鉗位電容122、在第2信號輸出線和GND之間串聯(lián)的采樣電容123、第2信號輸出線和基準電壓端子(這里是VDD)之間串聯(lián)的鉗位晶體管124。
驅(qū)動控制裝置12是將控制信號提供給固體攝像裝置11、驅(qū)動并且控制的半導體元件及其外圍電路，等待從外部輸入攝像指示，一旦攝像指示被輸入，則在經(jīng)過合適的曝光時間之后，從所有的單位單元中依次讀取亮度信息。
這里，在像素電路110中，在信號處理電路120中，確定了采樣脈沖(SP)、和鉗位脈沖(CP)的時刻，從驅(qū)動控制裝置12提供復位脈沖(初始化信號RESET)、讀取脈沖1(讀取脈沖1READ1)、以及讀取脈沖2(讀取脈沖2READ2)，且分別和這些控制脈沖對應(yīng)的晶體管被開閉(截止/導通)。
<動作>
本發(fā)明的固體攝像裝置是2像素1單元的固體攝像裝置，所以在同一單元中，在各像素中重復相同的動作，各像素的詳細的動作和專利文獻2中公開的現(xiàn)有的固體攝像裝置相同。
圖4～圖10是表示光接收元件111、112沒有入射飽和程度強的光線時(以下，記為“通常情況下”)各時刻的像素電路110中各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
這里，圖4～圖10中各圖的上半部分表示電路的概略，下半部分是表示和上半部分的電路的各位置對應(yīng)的各區(qū)域的電位狀態(tài)。
如圖4所示，讀取晶體管115、116、復位晶體管114為截止狀態(tài)，在光接收元件111、112中產(chǎn)生電荷，通常情況下這些電荷不移動到檢測部113中。
如圖5所示，緊接著圖4的狀態(tài)，讀取晶體管115、116繼續(xù)保持截止，一旦復位晶體管114成為導通狀態(tài)，則由光接收元件111、112產(chǎn)生的電荷仍沒有移動到檢測部113中，檢測部113的電荷移動到VDDCELL端子中。
如圖6所示，在圖5的狀態(tài)之后，一旦VDDCELL端子的電位為VDD時復位晶體管114從導通變成截止，則因為讀取晶體管115、116、復位晶體管114截止，所以檢測部113的電壓復位到VDD，而且此時鉗位晶體管124導通，第2信號輸出線的電壓復位到VDD。
接下來，鉗位晶體管124從導通變成截止，復位電壓和VDD的差的相當量保持在鉗位電容122中。
如圖7所示，在圖6的狀態(tài)之后，復位晶體管114保持截止，一旦讀取晶體管115變?yōu)閷?，在光接收元?11中產(chǎn)生的電荷就移動到檢測部113中。
如圖8所示，在圖7的狀態(tài)之后，復位晶體管114保持截止，一旦讀取晶體管115變?yōu)榻刂?，在光接收元?11中產(chǎn)生的電荷就被讀取到檢測部113中。
這里，檢測部113的電壓發(fā)生變化，該變化之后的電壓由放大晶體管117放大，所以第1信號輸出線的電壓變?yōu)樽x取電壓，而且復位電壓和VDD的差的相當量保持在鉗位電容122中，所以第2信號輸出線的電壓變成相當于VDD-第1信號輸出線的電壓的變化量的相當量，該電壓作為亮度信息被輸出(第1信號輸出線的電壓變化量為SIG，鉗位電容122為Ccp，采樣電容123為Csp第2信號輸出線的電壓為VDD-SIG×Ccp/(Ccp+Csp))。
接下來，經(jīng)過圖5、圖6的狀態(tài)，如圖9所示，在圖6的狀態(tài)之后，復位晶體管114保持截止，讀取晶體管116變?yōu)閷?，由光接收元?12產(chǎn)生的電荷移動到檢測部113中。
如圖10所示，在圖9的狀態(tài)之后，復位晶體管114保持截止，讀取晶體管116變?yōu)榻刂?，在光接收元?12中產(chǎn)生的電荷被讀取到檢測部113中。
以下的動作和上面相同。
圖11是表示一個光接收元件111入射飽和程度強的光線時(以下，記為“異常情況下”)和圖4相同的時刻的像素電路110中各區(qū)域的電位狀態(tài)的附圖。
這里，和圖4～圖10相同，圖11的上半部分表示電路的概略，下半部分表示和上半部分的電路的各位置對應(yīng)的各區(qū)域的電位狀態(tài)。
如圖11所示，在和圖4相同的時刻，在異常情況下，在光接收元件111中產(chǎn)生的電荷超過讀取晶體管115的閾值，溢出到檢測部113中，但因為復位晶體管114的閾值比讀取晶體管116低，該電荷與超過讀取晶體管116的柵極相比先超過復位晶體管114的的柵極，所以沒有泄漏到光接收元件112中。
<總結(jié)>
如上所述，利用本發(fā)明的實施方式1，由增強型晶體管構(gòu)成讀取晶體管，由耗盡型晶體管構(gòu)成復位晶體管，所以在強光入射到一部分光電二極管上并飽和，電荷溢出到檢測部中的情況下，在檢測部的電位成為0V之前，溢出到檢測部中的電荷排出到漏極，能夠防止電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管中的情形。
在不具備行選擇晶體管的類型中，在從選擇的單元的檢測部中讀取電荷時，盡管不能使未選擇的單元的檢測部復位，還是能夠防止上述情形，所以特別有用。
而且，在具有行選擇晶體管的類型中，也無需利用復位晶體管使未選擇的單元的檢測部復位這樣的特別控制，所有是有用的。
(變形例1)<概略>
本發(fā)明的變形例1是在多像素1單元的MOS型攝像元件中，通過使讀取晶體管和復位晶體管為增強型晶體管，將低偏壓施加給上述復位晶體管的柵極，從而在強光入射到一部分光電二極管上并飽和，電荷溢出到檢測部中的情況下，在檢測部的電位成為0V之前，溢出到檢測部中的電荷排出到漏極，能夠防止電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管中的情形的攝像裝置和具有該攝像裝置的數(shù)碼相機。
<結(jié)構(gòu)>
和實施方式1相比，不同的是，本發(fā)明的變形例1的復位晶體管不是象實施方式1那樣為耗盡型晶體管，而是增強型晶體管，將低偏壓施加給該復位晶體管的柵極。
圖12是表示輸出低偏壓的低偏壓電路的概略的附圖。
Tr200是開關(guān)晶體管，驅(qū)動控制裝置12輸出Hi電壓(VDD)時導通，輸出Lo電壓(GND)時不導通。
D201和D202是防止電流逆流的二極管，分別連接到Hi電壓端子和低偏壓端子上，C203是用于僅僅輸出脈沖成分的電容器，R204是接地電阻。
<動作>
從圖12可知，在驅(qū)動控制裝置12輸出Hi電壓(VDD)的情況下，Tr200導通，低偏壓電路通過D201從Hi電壓端子輸出Hi電壓，在驅(qū)動控制裝置12輸出Lo電壓的情況下，Tr200非導通，低偏壓電路通過D202從低偏壓端子輸出低偏壓。
而且，讀取晶體管和復位晶體管并非一定為增強型晶體管。也可以是例如耗盡型晶體管，即使為不同的晶體管，也可以是通過將低偏壓施加給復位晶體管的柵極，在檢測部的電位變?yōu)?V之前，成為溢出到檢測部中的電荷排出到漏極的狀態(tài)即可。
(工業(yè)上的可利用性)本發(fā)明能夠用于電視攝影機和數(shù)碼相機等攝像設(shè)備。利用本發(fā)明，在多像素1單元的MOS型攝像元件中，能夠防止強光入射到一部分光電二極管上并飽和，溢出到檢測部中的電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管中的情形，能夠讀取正確的亮度信號，能夠提高攝像設(shè)備的圖像質(zhì)量，所以其工業(yè)上的利用價值極高。
權(quán)利要求
1.一種攝像裝置，排列有多個積蓄與光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元，各單位單元包含N個(N為2以上)光電二極管；1個檢測部；N個讀取晶體管，將上述N個光電二極管中的各個和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)，將亮度信息讀取到上述檢測部中；1個復位晶體管，將電源端子和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)；1個放大晶體管，將讀取到上述檢測部中的亮度信息放大，其中，上述N個讀取晶體管是增強型晶體管，上述復位晶體管是耗盡型晶體管。
2.如權(quán)利要求1的攝像裝置，每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的上述放大晶體管的輸出線相互之間直接連接，該每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的被放大的亮度信息分別輸出到1根公共輸出線中。
3.一種攝像裝置，排列有多個積蓄與光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元，各單位單元包含N個(N為2以上)光電二極管；1個檢測部；N個讀取晶體管，將上述N個光電二極管中的各個和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)，將亮度信息讀取到上述檢測部中；和1個復位晶體管，將電源端子和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)；1個放大晶體管，將讀取到上述檢測部中的亮度信息放大，其中，上述N個讀取晶體管和上述復位晶體管是增強型晶體管，該攝像裝置具有將低偏壓施加給上述復位晶體管的柵極的偏壓電路。
4.如權(quán)利要求3的攝像裝置，每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的上述放大晶體管的輸出線相互之間直接連接，該每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的被放大的亮度信息分別輸出到1根公共輸出線中。
5.一種數(shù)碼相機，具有排列有多個積蓄與光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元的攝像裝置，各單位單元包含N個(N為2以上)光電二極管；1個檢測部；N個讀取晶體管，將上述N個光電二極管中的各個和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)，將亮度信息讀取到上述檢測部中；1個復位晶體管，將電源端子和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)；1個放大晶體管，將讀取到上述檢測部中的亮度信息放大，其中，上述N個讀取晶體管是增強型晶體管，上述復位晶體管是耗盡型晶體管。
6.如權(quán)利要求5的數(shù)碼相機，每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的上述放大晶體管的輸出線相互之間直接連接，該每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的被放大的亮度信息分別輸出到1根公共輸出線中。
7.一種數(shù)碼相機，具有排列有多個積蓄與光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元的攝像裝置，各單位單元包含N個(N為2以上)光電二極管；1個檢測部；N個讀取晶體管，將上述N個光電二極管中的各個和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)，將亮度信息讀取到上述檢測部中；和1個復位晶體管，將電源端子和上述檢測部之間切換為導通狀態(tài)或者非導通狀態(tài)；1個放大晶體管，將讀取到上述檢測部中的亮度信息放大，其中，上述N個讀取晶體管和上述復位晶體管是增強型晶體管，該攝像裝置具有將低偏壓施加給上述復位晶體管的柵極的偏壓電路。
8.如權(quán)利要求7的數(shù)碼相機，每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的上述放大晶體管的輸出線相互之間直接連接，該每預(yù)定數(shù)量的單位單元各自的被放大的亮度信息分別輸出到1根公共輸出線中。
全文摘要
在多像素1單元的MOS型攝像元件中，能夠防止強光入射到一部分光電二極管上并飽和，溢出到檢測部的電荷泄漏到?jīng)]有飽和的其它光電二極管的情形的攝像裝置。排列有多個存儲與光接收量對應(yīng)的亮度信息的單位單元的攝像裝置，包含各單位單元包含N個(N為2以上)光接收元件(111、112)(光電二極管)；1個檢測部(113)；將N個光電二極管中的各個和檢測部之間切換為導通或者非導通狀態(tài)，在非導通狀態(tài)時將亮度信息讀取到檢測部中的N個讀取晶體管(115、116)；將電源端子和檢測部之間切換為導通或者非導通狀態(tài)的1個復位晶體管(114)；將讀取到檢測部中的亮度信息放大的1個放大晶體管，N個讀取晶體管是增強型晶體管，復位晶體管是耗盡型晶體管。
文檔編號H04N5/3745GK1856043SQ200610082088
公開日2006年11月1日 申請日期2006年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月25日
發(fā)明者宮川良平 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社