一種分布參數(shù)rlc集成低通濾波器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及低通濾波器制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種分布參數(shù)RLC集成低通濾波器.
【背景技術(shù)】
[0002]低通濾波器是容許低于截止頻率的信號通過，但高于截止頻率的信號不能通過的電子濾波裝置。RC低通濾波器的本質(zhì)是低通濾波器，現(xiàn)在加了 RC只是說明它是由電阻電容構(gòu)成，這是最簡單的濾波器組成形式。低通濾波器是濾波器的一種，是一種信號選擇電路，容許低于截止頻率的信號通過，但高于截止頻率的信號不能通過。在儀器、音響、信號處理等電路中都有作用，可以實(shí)現(xiàn)按頻率對信號進(jìn)行選擇，避免高頻信號的干擾。濾波器是信號處理電路中必不可少的元件之一，主要有無源濾波器和有源濾波器。無源濾波器因其體積大、成本高等缺點(diǎn)，逐步被有源濾波器所取代。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，該分布參數(shù)RLC集成低通濾波器通過將電阻器、電感器和電容器三種基本元件巧妙的集成在一起，解決了其體積大、成本高、濾波特性較差的缺點(diǎn)，具有廣闊的應(yīng)用前景。
[0004]本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，包括絕緣基板、正極輸入端、電容器電介質(zhì)層、陰極引出材料層、負(fù)極引出端、正極輸出端和電阻體，所述絕緣基板上固定設(shè)置有電阻體，所述電阻體的中部上表面及側(cè)面上均設(shè)有電容器電介質(zhì)層，所述正極輸入端和正極輸出端分別與電容器電介質(zhì)層的左右兩端連接并固定在電阻體的上表面，所述電容器電介質(zhì)層的外表面上沉積有陰極引出材料層，所述陰極引出材料層上還設(shè)置有負(fù)極引出端。
[0006]所述電阻體為閥金屬、閥金屬合金或閥金屬的化合物。
[0007]所述電阻體通過物理或化學(xué)方法涂覆、沉積附著到絕緣基板上。
[0008]所述電容器電介質(zhì)層通過濺射或陽極氧化方法形成于電阻體表面上。
[0009]所述陰極引出材料層通過濺射、高溫分解或聚合的方法形成于電容器電介質(zhì)層的外表面上。
[0010]一種用于制造權(quán)利要求1或2中所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器的制造方法，包括以下步驟:
[0011]①選用合適尺寸的絕緣基板；
[0012]②在絕緣基板上通過物理或化學(xué)的方法沉積或涂覆上一層金屬層作為電阻體的基材；
[0013]③將金屬層進(jìn)行切割，以獲得具有相應(yīng)大小的電感量和電阻值的電阻體；
[0014]④對電阻體的表面進(jìn)行拋光、燒結(jié)；
[0015]⑤在電阻體的特定部位通過陽極氧化或?yàn)R射等物理化學(xué)方法進(jìn)行處理，以獲得電容器電介質(zhì)層；
[0016]⑥通過高溫?zé)岱纸夥椒?、聚合或?yàn)R射方法在電容器電介質(zhì)層的表面形成陰極引出材料層；
[0017]⑦通過粘接、電鍍方法將正極輸入端和正極輸出端固定在電阻體上;通過粘接、電鍍方法將負(fù)極引出端固定在陰極引出材料層上；
[0018]⑧對濾波器進(jìn)行封裝。
[0019]所述步驟⑧中的濾波器封裝方式為模壓塑封、陶瓷封裝、金屬外殼封裝。
[0020]所述電阻體為塊體材料或薄膜材料。
[0021 ]所述電阻體為多孔塊體材料。
[0022]本實(shí)用新型的有益效果在于:將電容器、電感器和電容器巧妙的融合在一起，將集中參數(shù)元件轉(zhuǎn)化為分布參數(shù)元件，在一個(gè)元件上實(shí)現(xiàn)了 RLC無源濾波器的高度集成和多階化，極大程度地提高了濾波效果，具有體積小、設(shè)計(jì)靈活、使用簡單、效果明顯的特點(diǎn)。
【附圖說明】
[0023]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0024]圖2是圖1沿A-A的剖面圖；
[0025]圖3是圖1中電阻體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4是圖1的RLC集成低通濾波器的等效電路圖；
[0027]圖中:1_絕緣基板，2-正極輸入端，3-電容器電介質(zhì)層，4-陰極引出材料層，5-負(fù)極引出端，6-正極輸出端，7-電阻體。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面進(jìn)一步描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但要求保護(hù)的范圍并不局限于所述。
[0029]如圖1?3所示的一種分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，包括絕緣基板1、正極輸入端
2、電容器電介質(zhì)層3、陰極引出材料層4、負(fù)極引出端5、正極輸出端6和電阻體7，所述絕緣基板I上固定設(shè)置有電阻體7，所述電阻體7的中部上表面及側(cè)面上均設(shè)有電容器電介質(zhì)層3，所述正極輸入端2和正極輸出端6分別與電容器電介質(zhì)層3的左右兩端連接并固定在電阻體7的上表面，所述電容器電介質(zhì)層3的外表面上沉積有陰極引出材料層4，所述陰極引出材料層4上還設(shè)置有負(fù)極引出端5。電阻體7同時(shí)還是電感體和電容器的陽極體，即電阻器、電感器和電容器集成為一個(gè)濾波器，通過將其電阻器、電感器和電容器集成制造在一起，把集中參數(shù)元件轉(zhuǎn)變?yōu)榉植紖?shù)元件，最大限度提高了其濾波效果，解決了無源濾波器體積大、集成度低、濾波效果不好的問題。絕緣基板I可以是陶瓷材料，也可以是其它絕緣材料。
[0030]所述電阻體7同時(shí)也是電感體，一般選用閥金屬或其合金或化合物;所述電阻體7通過物理或化學(xué)方法涂覆、沉積附著到絕緣基板I上。
[0031]所述電容器電介質(zhì)層3通過濺射或陽極氧化方法形成于電阻體7表面上。
[0032]所述陰極引出材料層4通過濺射、高溫分解或聚合的方法形成于電容器電介質(zhì)層3的外表面上。
[0033]一種用于制造權(quán)利要求1或2中所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器的制造方法，包括以下步驟:
[0034]①選用合適尺寸的絕緣基板I;
[0035]②在絕緣基板I上通過物理或化學(xué)的方法沉積或涂覆上一層金屬層作為電阻體7的基材;電阻體7不限于塊體材料，也可以是薄膜，為了獲得更多的表面積(增大電容量)，還可以采用多孔體；
[0036]③將金屬層進(jìn)行切割，以獲得具有相應(yīng)大小的電感量和電阻值的電阻體7;
[0037]④對電阻體7的表面進(jìn)行拋光、燒結(jié)；
[0038]⑤在電阻體7的特定部位通過陽極氧化或?yàn)R射等物理化學(xué)方法進(jìn)行處理，以獲得電容器電介質(zhì)層3;
[0039]⑥通過高溫?zé)岱纸夥椒?、聚合或?yàn)R射方法在電容器電介質(zhì)層3的表面形成陰極引出材料層4 ；
[0040]⑦通過粘接、電鍍方法將正極輸入端2和正極輸出端6固定在電阻體7上；通過粘接、電鍍方法將負(fù)極引出端5固定在陰極引出材料層4上；
[0041 ]⑧對濾波器進(jìn)行封裝。
[0042]所述步驟⑧中的濾波器封裝方式為模壓塑封、陶瓷封裝、金屬外殼封裝。
[0043]如圖4所示的本實(shí)用新型濾波器的等效電路，圖中的R、L和C組成低通濾波器，R、L和C的值理論上無限小，因而濾波器理論上由無數(shù)組RLC濾波器串聯(lián)連接而成，其電路參數(shù)分布于整個(gè)濾波器中，具有分布參數(shù)的典型特征。
[0044]本實(shí)用新型通過將其電阻器、電感器和電容器集成制造在一起，把集中參數(shù)元件轉(zhuǎn)變?yōu)榉植紖?shù)元件，在一個(gè)元件上實(shí)現(xiàn)了 RLC無源濾波器的高度集成和多階化，極大程度地提高了濾波效果，具有體積小、設(shè)計(jì)靈活、使用簡單、效果明顯的特點(diǎn)，解決了無源濾波器體積大、集成度低、濾波效果不好的問題，具有廣闊的應(yīng)用前景。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，其特征在于:包括絕緣基板(I)、正極輸入端(2)、電容器電介質(zhì)層(3)、陰極引出材料層(4)、負(fù)極引出端(5)、正極輸出端(6)和電阻體(7)，所述絕緣基板(I)上固定設(shè)置有電阻體(7)，所述電阻體(7)的中部上表面及側(cè)面上均設(shè)有電容器電介質(zhì)層(3)，所述正極輸入端(2)和正極輸出端(6)分別與電容器電介質(zhì)層(3)的左右兩端連接并固定在電阻體(7)的上表面，所述電容器電介質(zhì)層(3)的外表面上沉積有陰極引出材料層(4)，所述陰極引出材料層(4)上還設(shè)置有負(fù)極引出端(5)。2.如權(quán)利要求1所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，其特征在于:所述電阻體(7)為閥金屬、閥金屬合金或閥金屬的化合物。3.如權(quán)利要求1或2所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，其特征在于:所述電阻體(7)通過物理或化學(xué)方法涂覆、沉積附著到絕緣基板(I)上。4.如權(quán)利要求1或2所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，其特征在于:所述電容器電介質(zhì)層(3)通過濺射或陽極氧化方法形成于電阻體(7)表面上。5.如權(quán)利要求1或2所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，其特征在于:所述陰極引出材料層(4)通過濺射、高溫分解或聚合的方法形成于電容器電介質(zhì)層(3)的外表面上。6.如權(quán)利要求1或2所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，其特征在于:所述電阻體(7)為塊體材料或薄膜材料。7.如權(quán)利要求1或2所述的分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，其特征在于:所述電阻體(7)為多孔塊體材料。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種分布參數(shù)RLC集成低通濾波器，包括絕緣基板、正極輸入端、電容器電介質(zhì)層、陰極引出材料層、負(fù)極引出端、正極輸出端和電阻體，所述絕緣基板上固定設(shè)置有電阻體，所述電阻體的中部上表面及側(cè)面上均設(shè)有電容器電介質(zhì)層，所述正極輸入端和正極輸出端分別與電容器電介質(zhì)層的左右兩端連接并固定在電阻體的上表面，所述電容器電介質(zhì)層的外表面上沉積有陰極引出材料層，所述陰極引出材料層上還設(shè)置有負(fù)極引出端。本實(shí)用新型將電容器、電感器和電容器巧妙的融合在一起，將集中參數(shù)元件轉(zhuǎn)化為分布參數(shù)元件，在一個(gè)元件上實(shí)現(xiàn)了RLC無源濾波器的高度集成和多階化，極大程度地提高了濾波效果。
【IPC分類】H03H7/01
【公開號】CN205377807
【申請?zhí)枴緾N201620104556
【發(fā)明人】潘齊鳳, 張選紅, 王剛, 胡鑫利, 敬通國, 劉承艷, 葉虎, 楊生川
【申請人】中國振華（集團(tuán)）新云電子元器件有限責(zé)任公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2016年2月2日