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顯示面板和提供顯示面板的方法與流程

文檔序號:39787238發(fā)布日期:2024-10-29 16:58閱讀:6來源:國知局
顯示面板和提供顯示面板的方法與流程

在此描述的本公開的實施例涉及顯示面板和制造(或提供)顯示面板的方法。更具體地,實施例涉及具有改善的工藝可靠性的顯示面板及制造(或提供)顯示面板的方法。


背景技術:

1、顯示裝置根據(jù)電信號而被激活。顯示裝置可以包括顯示圖像的顯示面板。在顯示面板中,有機發(fā)光顯示面板具有低功耗、高亮度和高響應速度。

2、有機發(fā)光顯示面板包括陽極、陰極和發(fā)射圖案。發(fā)射圖案對于相應的發(fā)射區(qū)域是分開的,并且陰極向發(fā)射區(qū)域提供共電壓。


技術實現(xiàn)思路

1、本公開的實施例提供了一種在不使用金屬掩模的情況下形成(或提供)的發(fā)光元件、一種包括在不使用金屬掩模的情況下提供的發(fā)光元件的顯示面板以及一種用于制造(或提供)該顯示面板的方法。

2、根據(jù)實施例,顯示面板包括:像素限定層,在像素限定層中限定有發(fā)光開口;屏障壁,位于像素限定層上并且是導電的;以及發(fā)光元件,屏障壁包括:第一下層,是導電的;第一上層,面對第一下層并且是導電的;以及第二下層,位于第一下層與第一上層之間,第二下層在其中限定有開口,并且第一上層通過第二下層的開口電連接到第一下層,發(fā)光元件包括位于發(fā)光開口中的第一電極、發(fā)射圖案和第二電極,并且第二電極接觸屏障壁的第一下層。

3、第一下層可以包括第一下側表面,第二下層可以包括第二下側表面,第一下側表面和第二下側表面可以限定屏障壁的屏障壁開口的與發(fā)光開口對應的部分,并且第一下側表面可以在遠離發(fā)光開口的方向上從第二下側表面凹進。

4、第二下層可以包括無機材料。

5、第二下層還可以包括從凹進的第一下側表面延伸的暴露下表面,并且顯示面板還可以包括無機圖案,無機圖案覆蓋第二電極、第一下側表面和整個暴露下表面。

6、第二電極可以接觸第一下側表面。

7、屏障壁還可以包括第二上層,第二上層面對第二下層,且第一上層位于第二上層與第二下層之間。

8、第一下層和第一上層可以包括相同的金屬材料。

9、第一下層和第一上層中的每個可以包括鉬。

10、第一上層可以包括第一上側表面,第二上層可以包括第二上側表面,第一上側表面和第二上側表面可以限定屏障壁開口的部分,并且第一上側表面可以在遠離發(fā)光開口的方向上從第二上側表面凹進。

11、第二下層可以限定屏障壁的第一尖端部,第一尖端部比第一下側表面進一步突出,并且第二上層可以限定屏障壁的第二尖端部,第二尖端部比第一上側表面進一步突出。

12、第二上層可以包括無機材料。

13、第二下層和第二上層可以包括彼此不同的無機材料。

14、第二尖端部從第一上側表面突出的長度可以大于第一尖端部從第一下側表面突出的長度。

15、第一下層和第一上層可以包括彼此不同的金屬材料。

16、第一下側表面可以在遠離發(fā)光開口的方向上從第一上側表面凹進。

17、第一尖端部從第一下側表面突出的長度可以大于第二尖端部從第一上側表面突出的長度。

18、第一上層可以包括鋁,并且第一下層可以包括鋁合金。

19、第二下層和第二上層中的每個可以包括鈦。

20、第一尖端部可以包括第二下層的從第一下側表面延伸的暴露下表面,第二尖端部可以包括第二上層的從第一上側表面延伸的暴露下表面,并且顯示面板還可以包括無機圖案,無機圖案覆蓋第二電極、整個第一下側表面、第一尖端部的整個暴露下表面和第二尖端部的整個暴露下表面。

21、第二上層可以限定從第二上層的上表面凹進的凹陷,凹陷與限定在第二下層中的開口對應。

22、顯示面板還可以包括位于像素限定層的發(fā)光開口中的犧牲圖案,犧牲圖案位于第一電極上,并且在犧牲圖案中限定有犧牲開口,犧牲開口對應于發(fā)光開口,像素限定層可以覆蓋犧牲圖案。

23、根據(jù)實施例,用于制造顯示面板的方法包括以下步驟:提供初始顯示面板,初始顯示面板包括發(fā)光元件的第一電極以及覆蓋第一電極的初始像素限定層;在初始像素限定層上設置屏障壁的初始第一下層和初始第二下層;在初始第二下層中設置開口;在其中限定有開口的初始第二下層上設置屏障壁的初始第一上層,初始第一上層通過開口與初始第一下層電連接;對初始第一上層、初始第二下層和初始第一下層進行圖案化,以提供屏障壁的屏障壁開口,屏障壁具有對應的第一上層、第二下層和第一下層,屏障壁開口對應于發(fā)光元件的第一電極并且使第一電極暴露于屏障壁外部;在暴露的第一電極上設置發(fā)光元件的發(fā)射圖案;以及在發(fā)射圖案上設置發(fā)光元件的第二電極,第二電極在第一下層處接觸屏障壁。

24、所述方法還可以包括在初始第一上層上設置初始第二上層。進行圖案化的步驟可以包括:對初始第一下層、初始第二下層、初始第一上層和初始第二上層進行第一蝕刻,以分別提供經(jīng)蝕刻的第一下層、屏障壁的第二下層、經(jīng)蝕刻的第一上層和屏障壁的第二上層;以及對經(jīng)蝕刻的第一下層和經(jīng)蝕刻的第一上層進行第二蝕刻,以分別提供屏障壁的第一下層和第一上層。

25、第二下層的材料可以具有比第二上層的材料的蝕刻速率高的蝕刻速率。

26、第一蝕刻可以包括限定:第二下層的第二下側表面;以及第二上層的第二上側表面,第二下側表面和第二上側表面分別限定屏障壁開口的部分,并且在沿著第一電極的方向上,第二下側表面處的屏障壁開口大于第二上側表面處的屏障壁開口。

27、第一下層的材料可以具有比第一上層的材料的蝕刻速率高的蝕刻速率。

28、第二蝕刻可以包括限定:第一下層的第一下側表面;以及第一上層的第一上側表面,第一下側表面和第一上側表面分別限定屏障壁開口的部分,并且在沿著第一電極的方向上,第一下側表面處的屏障壁開口大于第一上側表面處的屏障壁開口。

29、在其中限定有開口的初始第二下層上設置初始第一上層的步驟與在初始第一上層上設置初始第二上層的步驟一起可以提供從初始第二上層的上表面凹進的凹陷,凹陷與限定在初始第二下層中的開口對應。

30、在初始第二下層中設置開口的步驟可以包括干法蝕刻工藝。

31、所述方法還可以包括:在設置第二電極的步驟之后,設置覆蓋第二電極的無機圖案。

32、所述方法還可以包括:在第一電極上設置發(fā)射圖案的步驟之前,對初始像素限定層進行圖案化,以提供像素限定層和發(fā)光開口,發(fā)光開口限定在像素限定層中并且對應于屏障壁開口。



技術特征:

1.一種顯示面板,所述顯示面板包括:

2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其中,

3.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板,其中,所述第二下層包括無機材料。

4.根據(jù)權利要求3所述的顯示面板,其中,

5.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板,其中,所述第二電極接觸所述第一下側表面。

6.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板,其中,所述屏障壁還包括第二上層,所述第二上層面對所述第二下層,且所述第一上層位于所述第二上層與所述第二下層之間。

7.根據(jù)權利要求6所述的顯示面板,其中,所述第一下層和所述第一上層包括相同的金屬材料。

8.根據(jù)權利要求7所述的顯示面板,其中,所述第一下層和所述第一上層中的每個包括鉬。

9.根據(jù)權利要求6所述的顯示面板,其中,

10.根據(jù)權利要求9所述的顯示面板,其中,

11.根據(jù)權利要求10所述的顯示面板,其中,所述第二上層包括無機材料。

12.根據(jù)權利要求11所述的顯示面板,其中,所述第二下層和所述第二上層包括彼此不同的無機材料。

13.根據(jù)權利要求12所述的顯示面板,其中,所述第二尖端部從所述第一上側表面突出的長度大于所述第一尖端部從所述第一下側表面突出的長度。

14.根據(jù)權利要求10所述的顯示面板,其中,所述第一下層和所述第一上層包括彼此不同的金屬材料。

15.根據(jù)權利要求14所述的顯示面板,其中,所述第一下側表面在遠離所述發(fā)光開口的所述方向上從所述第一上側表面凹進。

16.根據(jù)權利要求15所述的顯示面板,其中,所述第一尖端部從所述第一下側表面突出的長度大于所述第二尖端部從所述第一上側表面突出的長度。

17.根據(jù)權利要求14所述的顯示面板,其中,

18.根據(jù)權利要求17所述的顯示面板,其中,所述第二下層和所述第二上層中的每個包括鈦。

19.根據(jù)權利要求10所述的顯示面板,其中,

20.根據(jù)權利要求6所述的顯示面板,其中,所述第二上層限定從所述第二上層的上表面凹進的凹陷,所述凹陷與限定在所述第二下層中的所述開口對應。

21.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,所述顯示面板還包括位于所述像素限定層的所述發(fā)光開口中的犧牲圖案,所述犧牲圖案位于所述第一電極上,并且在所述犧牲圖案中限定有犧牲開口,所述犧牲開口對應于所述發(fā)光開口,

22.一種用于提供顯示面板的方法,所述方法包括以下步驟:

23.根據(jù)權利要求22所述的方法,所述方法還包括在所述初始第一上層上設置初始第二上層,

24.根據(jù)權利要求23所述的方法,其中,所述第二下層的材料具有比所述第二上層的材料的蝕刻速率高的蝕刻速率。

25.根據(jù)權利要求24所述的方法,其中,所述第一蝕刻包括限定:所述第二下層的第二下側表面;以及所述第二上層的第二上側表面,

26.根據(jù)權利要求23所述的方法,其中,所述第一下層的材料具有比所述第一上層的材料的蝕刻速率高的蝕刻速率。

27.根據(jù)權利要求26所述的方法,其中,所述第二蝕刻包括限定:所述第一下層的第一下側表面;以及所述第一上層的第一上側表面,

28.根據(jù)權利要求23所述的方法,其中,在其中限定有所述開口的所述初始第二下層上設置所述初始第一上層的步驟與在所述初始第一上層上設置所述初始第二上層的步驟一起提供從所述初始第二上層的上表面凹進的凹陷,所述凹陷與限定在所述初始第二下層中的所述開口對應。

29.根據(jù)權利要求22所述的方法,其中,在所述初始第二下層中設置所述開口的步驟包括干法蝕刻工藝。

30.根據(jù)權利要求22所述的方法,所述方法還包括:在設置所述第二電極的步驟之后,設置覆蓋所述第二電極的無機圖案。

31.根據(jù)權利要求22所述的方法,所述方法還包括:在所述第一電極上設置所述發(fā)射圖案的步驟之前,對所述初始像素限定層進行圖案化,以提供像素限定層和發(fā)光開口,所述發(fā)光開口限定在所述像素限定層中并且對應于所述屏障壁開口。


技術總結
提供了一種顯示面板和提供顯示面板的方法。所述顯示面板包括:像素限定層,在像素限定層中限定有發(fā)光開口;屏障壁,位于像素限定層上并且是導電的,屏障壁包括:第一下層,是導電的;第一上層,面對第一下層并且是導電的;以及第二下層,位于第一下層與第一上層之間,第二下層在其中限定與發(fā)光開口相鄰的開口,并且第一上層通過第二下層的開口電連接到第一下層;以及發(fā)光元件,包括位于發(fā)光開口中的第一電極、發(fā)射圖案和第二電極,并且第二電極接觸屏障壁的第一下層。

技術研發(fā)人員:樸俊龍,申鉉億,楊受京,李東敏,鄭镕彬
受保護的技術使用者:三星顯示有限公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2024/10/28
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