本發(fā)明屬于半導體集成電路技術領域,具體涉及一種石英晶體振蕩器電路。
背景技術:
石英晶體振蕩器簡稱石英晶振,是利用具有壓電效應的石英晶體片制成的。這種石英晶體薄片受到外加交變電場的作用時會產生機械振動,當交變電場的頻率與晶體的固有頻率相同時,振動便變得很強烈,這就是晶體諧振特性的反應。利用這種特性,就可以用諧振器取代lc(線圈和電容)諧振回路、濾波器等。由于諧振器具有體積小、重量輕、可靠性高、頻率穩(wěn)定度高等優(yōu)點,被應用于家用電器和通信設備中。石英晶體振蕩器器因具有極高的頻率穩(wěn)定性,故主要用在要求頻率十分穩(wěn)定的振蕩電路中作諧振元件。
傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器電路如圖1所示,包括:第一電阻r1、第一電感l(wèi)1、第一電容c1和第二電容c2。第一電容c1、第一電感l(wèi)1、第一電阻r1依次串聯后與第二電容c2并聯,接于輸入端uin與輸出端uout之間。
該傳統(tǒng)石英晶體振蕩器電路具有振蕩頻率低的缺點,絕大部分石英晶體振蕩器的振蕩頻率都小于一百兆赫茲。這使得在很多高頻的應用場合,需要使用石英晶體振蕩器加上高頻的鎖相環(huán)來搭建高頻的時鐘系統(tǒng),這給系統(tǒng)設計增加了設計的復雜度,而且提高了系統(tǒng)的成本。
技術實現要素:
為解決現有石英晶體振蕩器振蕩頻率低的技術問題,本發(fā)明對傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器進行了改進,提供了一種振蕩頻率高的石英晶體振蕩器電路。
一種石英晶體振蕩器電路,包括:第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第一電感l(wèi)1、第二電感l(wèi)2、第一電容c1和第二電容c2;所述第一電阻r1、第一電感l(wèi)1串聯后再與所述第一電容c1和所述第三電阻r3并聯后的電路串聯構成第一支路;所述第二電容c2與所述第二電感l(wèi)2和所述第二電阻r2并聯后的電路串聯構成第二支路;所述第一支路與所述第二支路并聯后接于輸入端uin與輸出端uout之間。
本發(fā)明的石英晶體振蕩器電路在傳統(tǒng)的晶體振蕩器電路的基礎上,引入了第二電感l(wèi)2、第二電阻r2和第三電阻r3;與現有的石英晶體振蕩電路相比,本發(fā)明的電路振蕩頻率能高達幾百兆赫茲,這大大擴充了石英晶體振蕩器的應用范圍。
附圖說明
圖1是傳統(tǒng)的晶體振蕩器的電路結構示意圖;
圖2是本發(fā)明提供的石英晶體振蕩器的電路結構示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明了,下面結合具體實施方式并參照附圖,對本發(fā)明進一步詳細說明。應該理解,這些描述只是示例性的,而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外,在以下說明中,省略了對公知結構和技術的描述,以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。
為了解決傳統(tǒng)晶體振蕩器振蕩頻率低的技術問題,本發(fā)明提供了一種石英晶體振蕩器電路,如圖2所示,包括:第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第一電感l(wèi)1、第二電感l(wèi)2、第一電容c1和第二電容c2;所述第一電阻r1、第一電感l(wèi)1串聯后再與所述第一電容c1和所述第三電阻r3并聯后的電路串聯構成第一支路;所述第二電容c2與所述第二電感l(wèi)2和所述第二電阻r2并聯后的電路串聯構成第二支路;所述第一支路與所述第二支路并聯后接于輸入端uin與輸出端uout之間。
本發(fā)明的石英晶體振蕩器電路在傳統(tǒng)的晶體振蕩器電路的基礎上,引入了第二電感l(wèi)2、第二電阻r2和第三電阻r3;與現有的石英晶體振蕩電路相比,本發(fā)明的電路振蕩頻率能高達幾百兆赫茲,這大大擴充了石英晶體振蕩器的應用范圍。
應當理解的是,本發(fā)明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理,而不構成對本發(fā)明的限制。因此,在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。此外,本發(fā)明所附權利要求旨在涵蓋落入所附權利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內的全部變化和修改例。