一種高耐壓的固態(tài)繼電器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種固態(tài)繼電器，特別是一種光耦控制的固態(tài)繼電器。本發(fā)明公開了一種具有高耐壓的固體繼電器，包括順次串聯(lián)的輸入電路（21）、光耦電路（22）、輸出開關(guān)電路（23）；其中光耦電路（22）由兩個(gè)光耦元件（P1和P2），輸出開關(guān)電路（23）由兩個(gè)單向可控硅（T1和T2）組成。本發(fā)明的具有高耐壓的固體繼電器用于驅(qū)動功率器件的電子開關(guān)，以毫安級的微小信號控制大功率負(fù)載的導(dǎo)通與斷開。
【專利說明】一種高耐壓的固態(tài)繼電器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種固態(tài)繼電器，特別是一種光耦控制的固態(tài)繼電器。

【背景技術(shù)】
[0002]固體繼電器是一種以可控硅、MOS管、IGBT等功率器件作為開關(guān)，以光耦或者電磁繼電器等隔離開關(guān)作為驅(qū)動功率器件的電子開關(guān)，以毫安級的微小信號控制大功率負(fù)載的導(dǎo)通與斷開。在以往的固態(tài)繼電器的設(shè)計(jì)中，其光耦部分一般使用的是雙向可控硅來實(shí)現(xiàn)對交流電的雙向?qū)ǎ绨l(fā)明專利CN 102594319 A中指出的一種雙燈指示固態(tài)繼電器，在光耦觸發(fā)控制電路使用的是兩個(gè)光耦器件串聯(lián)的形式，其中光耦器件中使用的是雙向可控硅型的光耦。但由于雙向可控硅型的光耦，受限于光耦的體積以及雙向可控硅本身的性能，光耦的耐壓能力以及抗干擾能力比功率器件的低，無法發(fā)揮功率器件的最高性能，需要按照光耦的最低性能來設(shè)計(jì)工作電路。當(dāng)固體繼電器在工作中，交流電源上出現(xiàn)電沖擊時(shí)(瞬間大電流，瞬間大電壓)，并超過光耦的所能承受的最大電壓上升率或者電流上升率，光耦極易失效直通。目前市場上雙向可控硅型光耦的耐壓最高為800V，對于普通環(huán)境可以適用，但是在條件惡劣的環(huán)境下由于觸發(fā)控制電路中的雙向可控硅型的光耦耐壓與抗干擾能力的不足，極易在電沖擊下使光耦內(nèi)部雙向可控硅失效直通，并導(dǎo)致功率組件可控硅誤觸發(fā)，從而引發(fā)嚴(yán)重的安全事故。如應(yīng)用在加熱設(shè)備中的固體繼電器發(fā)生上述失效后將使加熱設(shè)備持續(xù)加熱并最終因過熱損壞，嚴(yán)重的還將引發(fā)火災(zāi)；當(dāng)應(yīng)用在電機(jī)類負(fù)載中時(shí)，電機(jī)突然啟動工作，也將引發(fā)各種安全事故。
[0003]為了提高固態(tài)繼電器的耐壓能力，已經(jīng)提出了使用各種改進(jìn)電路來提升固態(tài)繼電器耐壓能力的措施。例如發(fā)明專利CN 103095262 A中提出一種固態(tài)繼電器輸出端的緩沖電路，通過緩沖電路能夠保護(hù)固態(tài)繼電器在遇到電沖擊時(shí)不被擊穿燒壞。但是，這種緩沖電路的設(shè)計(jì)增加了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度并且不利于在傳統(tǒng)固態(tài)繼電器電路的基礎(chǔ)上進(jìn)行升級改進(jìn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種運(yùn)用單向可控硅型的光耦作為觸發(fā)控制電路的耐高壓的固態(tài)繼電器。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明的固態(tài)繼電器包括:輸入電路，根據(jù)實(shí)際的需要給光耦觸發(fā)控制電路提供必要的觸發(fā)信號；光耦觸發(fā)控制電路，接收來自輸入電路的觸發(fā)信號，根據(jù)接收到的觸發(fā)信號的類型來判定光耦觸發(fā)控制電路的導(dǎo)通狀態(tài)，單向的控制輸出開關(guān)電路的導(dǎo)通與斷開；輸出開關(guān)電路，與負(fù)載設(shè)備相連，控制負(fù)載電路的導(dǎo)通與斷開；所述的光耦觸發(fā)控制電路由兩個(gè)光耦器件Pl和P2組成；所述的光耦觸發(fā)控制電路中的光耦器件由發(fā)光二極管及光敏單向可控硅構(gòu)成；所述的光耦器件Pl和P2中的兩個(gè)發(fā)光二極管串聯(lián)在輸入電路中；所述的光耦器件Pl和P2中的兩個(gè)光敏單向可控硅器件反向并聯(lián)連接，光耦器件Pl中的光敏單向可控硅的陰極與電阻R5串聯(lián)后單向可控硅T2的門極相連，光耦器件P2中的光敏單向可控硅的陰極與單向可控硅Tl的門極相連，或者將電阻R5串接在光耦器件P2中的光敏單向可控硅的陰極與單向可控硅Tl的門極相連的連接線上；所述的輸出開關(guān)電路由兩個(gè)單向可控硅構(gòu)成；所述的兩個(gè)單向可控硅Tl與T2反向并聯(lián)并引出線到輸出端Ol與輸出端02后與負(fù)載串聯(lián)。
[0006]在上述技術(shù)方案中，將傳統(tǒng)的光稱觸發(fā)控制電路中的雙向可控娃光稱器件替換成單向可控硅光耦器件，這種替換能夠使傳統(tǒng)型的繼電器的耐壓程度提高到1000V以上。光耦器件Pl的導(dǎo)通控制單向可控硅T2的導(dǎo)通，光耦器件P2的導(dǎo)通控制單向可控硅Tl的導(dǎo)通，由于單向可控硅Tl與單向可控硅T2為反向并聯(lián)連接，對應(yīng)于負(fù)載端的交流電的正負(fù)兩個(gè)半波周期時(shí)單向可控硅Tl與單向可控硅T2實(shí)現(xiàn)一個(gè)導(dǎo)通一個(gè)截止的分別狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)交流電的傳輸。同時(shí)，將傳統(tǒng)的雙向可控娃型光I禹電路改進(jìn)為這種高耐壓的單向可控娃型光耦電路只需將傳統(tǒng)的雙向可控硅光耦器件替換為單向可控硅光耦器件，同時(shí)現(xiàn)有的光耦工藝就可以做出單向可控硅光耦，并不需要進(jìn)行技術(shù)攻堅(jiān)，并且這種改進(jìn)不需要增加額外的電路只需改變傳統(tǒng)電路的走線就能達(dá)到此效果，節(jié)約了成本。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的輸出開關(guān)電路23中可以在單向可控硅Tl增加防誤觸發(fā)電路231，單向可控硅T2上增加防誤觸發(fā)電路232 ;所述的防誤觸發(fā)電路231由一個(gè)二極管D3和一個(gè)電阻R3并聯(lián)組成，所述的防誤觸發(fā)電路232由一個(gè)二極管D4和一個(gè)電阻R4并聯(lián)組成；所訴的防誤觸發(fā)電路231并聯(lián)在單向可控硅Tl的陰極和門極間，二極管D3的陰極與單向可控硅Tl的門極相連，二極管D3的陽極與單向可控硅T2的陰極相連；所訴的防誤觸發(fā)電路232并聯(lián)在單向可控硅T2的陰極和門極間，二極管D4的陰極與單向可控硅T2的門極相連，二極管D4的陽極與單向可控硅T2的陰極相連。通過增加防誤觸發(fā)電路的方式可以防止輸出電路中的單向可控硅Tl和單向可控硅T2發(fā)生誤觸發(fā)的可能性。
[0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的輸出電路23的末端并聯(lián)一個(gè)阻容吸收回路233。所述的阻容吸收回路233由電容Cl串聯(lián)電阻R6后并聯(lián)壓敏電阻Vl構(gòu)成。通過這種連接方式可以提高單向可控硅Tl和單向可控硅T2在電沖擊下的生存能力。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的輸入電路21中增加一個(gè)指示電路211 ;所述的指示電路由限流電阻R2和發(fā)光二極管D2構(gòu)成；將限流電阻R2與發(fā)光二極管D2串聯(lián)后并聯(lián)在二極管Dl與限流電阻Rl的節(jié)點(diǎn)處。通過發(fā)光二極管D2的發(fā)光來指示光耦觸發(fā)控制電路的導(dǎo)通狀態(tài)。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的輸入電路21的輸入端上正向串聯(lián)一個(gè)二極管Dl,當(dāng)輸入信號反向過大時(shí)可以保護(hù)發(fā)光二極管不被擊穿。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明第一種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2是本發(fā)明第二種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖3是本發(fā)明第三種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖4是本發(fā)明第四種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖5是本發(fā)明第五種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖6是本發(fā)明第六種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖7是本發(fā)明第七種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖8是本發(fā)明第八種實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0020]實(shí)施例1:
本發(fā)明的固態(tài)繼電器的第一種實(shí)施方式如圖1所示，包括輸入電路21、光耦觸發(fā)控制電路22、輸出開關(guān)電路23。
[0021]輸入電路21接收輸入端控制信號，輸出控制光耦觸發(fā)控制電路所需的觸發(fā)信號。根據(jù)輸入觸發(fā)信號的不同用來控制光耦觸發(fā)控制電路的導(dǎo)通與斷開。輸入電路21在輸入端Il或輸入端12上串聯(lián)一個(gè)限流電阻Rl后作為輸入電路21的輸出端與下一級光耦觸發(fā)控制電路22的輸入端連接。
[0022]光耦觸發(fā)控制電路22由兩個(gè)光耦器件P1、P2構(gòu)成。根據(jù)輸入電路21給出的觸發(fā)信號類型，光耦觸發(fā)控制電路22單向控制著輸出開關(guān)電路23的導(dǎo)通與斷開。所述的光耦器件Pl和P2中都包含有一個(gè)發(fā)光二極管和一個(gè)光敏單向可控硅器件。其中光耦器件Pl中的發(fā)光二極管與光耦器件P2中的發(fā)光二極管串聯(lián)連接后作為光耦觸發(fā)控制電路22的輸入端與輸入電路21的輸出端串聯(lián)。光I禹器件Pl中的光敏單向可控娃與光I禹器件P2中的光敏單向可控硅反向并聯(lián)，并分別從兩只光敏單向可控硅的陰極引出兩條連接線作為光耦觸發(fā)控制電路22的輸出端連接下一級輸出開關(guān)電路23。
[0023]輸出開關(guān)電路23由兩個(gè)單向可控硅Tl和T2及電阻R5構(gòu)成。單向可控硅Tl與單向可控硅T2反向并聯(lián)，單向可控硅Tl和單向可控硅T2的門級分別引出兩條線作為輸出開關(guān)電路23的輸入端與光耦觸發(fā)控制電路22的輸出端相連。單向可控硅Tl與單向可控硅T2反向并聯(lián)并從并聯(lián)的兩個(gè)端點(diǎn)作為輸出開關(guān)電路23的輸出端01和輸出端02端，用來與負(fù)載設(shè)備相連。光I禹器件Pl中的光敏單向可控娃的陰極與電阻R5串聯(lián)后與單向可控硅T2的門極相連，光耦器件P2中的光敏單向可控硅的陰極與單向可控硅Tl的門極相連；或者將電阻R5串接在光耦器件P2中的光敏單向可控硅的陰極與單向可控硅TI的門極相連的連接線上。單向可控硅Tl與單向可控硅T2反向并聯(lián)是為了能夠使負(fù)載端使用交流電時(shí)，單向可控硅Tl與單向可控硅T2能夠分別在交流電的正半周和負(fù)半周中分別導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)交流電的傳輸。
[0024]當(dāng)輸入電路輸入高電平使光耦觸發(fā)控制電路導(dǎo)通且輸出電路01端交流電為正半周時(shí)，光耦器件Pi的發(fā)光二極管發(fā)光使光耦器件Pi中的光敏單向可控硅的門極吸收光能處于高電位，輸出端01處于交流正半周使光耦器件Pl中的光敏單向可控硅的陽極電位高于陰極電位，光耦器件P2中的光敏單向可控硅的陽極電位低于陰極電位，所以此時(shí)光耦器件Pl導(dǎo)通，光耦器件P2截止。由于光耦器件Pl的導(dǎo)通使得單向可控硅T2的門極電位高于陰極電位，且輸出端01處于交流電正半周使得單向可控硅T2的陽極電位高于陰極電位，所以此時(shí)單向可控硅T2導(dǎo)通。由于單向可控硅Tl的陽極電位低于陰極電位，所以此時(shí)單向可控娃Tl截止。
[0025]當(dāng)輸入電路輸入高電平使光耦觸發(fā)控制電路導(dǎo)通且輸出電路02端交流電為正半周時(shí)，光耦器件P2的發(fā)光二極管發(fā)光使光耦器件P2中的光敏單向可控硅的門極吸收光能處于高電位，輸出端02處于交流電正半周使光耦器件P2中的光敏單向可控硅的陽極電位高于陰極電位，光耦器件Pl中的光敏單向可控硅的陽極電位低于陰極電位，所以此時(shí)光耦器件P2導(dǎo)通，光耦器件Pl截止。由于光耦器件P2的導(dǎo)通使得單向可控硅Tl的門極電位高于陰極電位，且輸出端02處于交流電正半周使得單向可控硅Tl的陽極電位高于陰極電位，所以此時(shí)單向可控硅T2導(dǎo)通。由于單向可控硅T2的陽極電位低于陰極電位，所以此時(shí)單向可控硅T2截止。
[0026]當(dāng)輸入電路輸入低電平使光耦觸發(fā)控制電路斷開時(shí)，光耦器件Pl和光耦器件P2中的光敏單向可控硅的門極都無法吸收光能處于高電位，此時(shí)輸出電路的負(fù)載輸入時(shí)，單向可控硅Tl與單向可控硅T2導(dǎo)通的兩個(gè)條件:門極有觸發(fā)電流通過；陽極電位高于陰極電位，若無法同時(shí)滿足，單向可控硅Tl與單向可控硅T2均無法導(dǎo)通，輸出電路處于斷開狀態(tài)。
[0027]通過如上所述控制光耦觸發(fā)控制電路的通斷就能控制輸出開關(guān)電路的通斷，同時(shí)輸出開關(guān)電路可以滿足負(fù)載端為交流電的傳輸要求。
[0028]實(shí)施例2:
優(yōu)選的，如圖2所示，作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，實(shí)施例1的固態(tài)繼電器電路結(jié)構(gòu)的輸出開關(guān)電路23中可以在單向可控硅Tl增加防誤觸發(fā)電路231，單向可控硅T2上增加防誤觸發(fā)電路232 ;所述的防誤觸發(fā)電路231由一個(gè)二極管D3和一個(gè)電阻R3并聯(lián)組成，所述的防誤觸發(fā)電路232由一個(gè)二極管D4和一個(gè)電阻R4并聯(lián)組成；所述的防誤觸發(fā)電路231并聯(lián)在單向可控硅Tl的陰極和門極間，二極管D3的陰極與單向可控硅Tl的門極相連，二極管D3的陽極與單向可控硅T2的陰極相連；所述的防誤觸發(fā)電路232并聯(lián)在單向可控硅T2的陰極和門級間，二極管D4的陰極與單向可控硅T2的門極相連，二極管D4的陽極與單向可控硅T2的陰極相連。通過增加防誤觸發(fā)電路的方式可以防止輸出電路中的單向可控硅Tl和單向可控娃T2發(fā)生誤觸發(fā)的可能性；在輸入電路21的輸入端Il或輸入端12串聯(lián)一個(gè)二極管D1，其連接方向與光耦器件中的發(fā)光二極管相同，當(dāng)輸入信號反向過大時(shí)可以保護(hù)光耦器件中發(fā)光二極管不被反向擊穿。
[0029]實(shí)施例3:
優(yōu)選的，如圖3所示，作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，實(shí)施例1的原有的固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)上在輸出開關(guān)電路23的輸出端01和輸出端02間并聯(lián)一個(gè)阻容吸收回路233。所述的阻容吸收回路233由電容Cl串聯(lián)電阻R6后并聯(lián)壓敏電阻Vl構(gòu)成。通過這種連接方式可以提高單向可控硅Tl和單向可控硅T2在電沖擊下的生存能力。
[0030]實(shí)施例4:
優(yōu)選的，如圖4所示，作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，實(shí)施例1的原有的固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)上輸入電路21中增加一個(gè)指示電路211 ;所述的指示電路由限流電阻R2和發(fā)光二極管構(gòu)成；將限流電阻R2與發(fā)光二極管D2串聯(lián)后并聯(lián)輸入電路21的兩端。通過發(fā)光二極管D2的發(fā)光指示光耦觸發(fā)控制電路的導(dǎo)通狀態(tài)。
[0031]實(shí)施例5:
優(yōu)選的，如圖5所示，作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，實(shí)施例1的固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)上同時(shí)增加防觸發(fā)電路231、防誤觸發(fā)電路232及阻容吸收回路233。
[0032]實(shí)施例6:
優(yōu)選的，如圖6所示，作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，實(shí)施例1的固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)上同時(shí)增加防觸發(fā)電路231、防誤觸發(fā)電路232及指示電路211。
[0033]實(shí)施例7:
優(yōu)選的，如圖7所示，作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，實(shí)施例1的固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)上同時(shí)增加指示電路211及阻容吸收回路233。
[0034]實(shí)施例8:
優(yōu)選的，如圖8所示，作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，實(shí)施例1的固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)上同時(shí)增加防觸發(fā)電路231、防誤觸發(fā)電路232、阻容吸收回路233及指示電路211。
[0035]以上所列舉的8個(gè)實(shí)施例中的輸入電路和輸出開關(guān)電路的電路形態(tài)除上述實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)外還可以有其它形式的設(shè)計(jì)方法，比如輸入電路可以采用橋式整流電路等，輸出開關(guān)電路可以增加輸出開關(guān)導(dǎo)通指示電路，單向可控硅門極保護(hù)電路使用串聯(lián)電感的方法等。
[0036]通過上述手段，較好的提高了固態(tài)繼電器的耐壓能力，這種電路設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡單，并且通過對傳統(tǒng)的固態(tài)繼電器電路進(jìn)行簡單的電路走線改進(jìn)就能實(shí)現(xiàn)這種耐高壓的固態(tài)繼電器設(shè)計(jì)，節(jié)約了改進(jìn)成本。并且優(yōu)選的實(shí)施方案能夠進(jìn)一步的提高固態(tài)繼電器的性能。
[0037]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種具有高耐壓的固體繼電器，包括:輸入電路(21)、光稱觸發(fā)控制電路(22)和輸出開關(guān)電路(23);其特征在于: 輸入電路(21)串聯(lián)一個(gè)限流電阻Rl后作為輸入電路(21)的輸出端與光f禹觸發(fā)控制電路(22)的輸入端串聯(lián)連接； 光耦觸發(fā)控制電路(22)包括光耦器件P1、P2，光耦器件P1、P2均是由一個(gè)發(fā)光二極管及一個(gè)光敏單向可控硅構(gòu)成，光耦器件Pl中的發(fā)光二極管與光耦器件P2中的發(fā)光二極管串聯(lián)后作為光I禹觸發(fā)控制電路(22)的輸入端,光I禹器件Pl中的光敏單向可控娃與光I禹器件P2中的光敏單向可控硅反向并聯(lián)后的兩個(gè)節(jié)點(diǎn)分別作為光耦觸發(fā)控制電路(22)的兩個(gè)輸出端，單向觸發(fā)輸出開關(guān)電路(23)的導(dǎo)通與截止； 所述的輸出開關(guān)電路(23)由單向可控硅Tl、單向可控硅T2及電阻R5構(gòu)成，其中單向可控硅Tl與單向可控硅T2反向并聯(lián)，作為串接至負(fù)載回路的開關(guān)，單向可控硅Tl和單向可控硅T2的門極分別連接于該光耦觸發(fā)控制電路(22)的兩個(gè)輸出端，電阻R5串聯(lián)在單向可控硅Tl和單向可控硅T2的門極與該光耦觸發(fā)控制電路(22)的兩個(gè)輸出端的任意一路上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)繼電器，其特征在于:在所述的輸出開關(guān)電路(23)中的單向可控硅Tl和單向可控硅T2的門極和陰極間分別并聯(lián)一個(gè)防誤觸發(fā)電路(231、232);所述的防誤觸發(fā)電路(231、232 )由一個(gè)二極管和一個(gè)電阻并聯(lián)構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的固態(tài)繼電器，其特征在于:所述的輸出開關(guān)電路(23)的末端并聯(lián)一個(gè)阻容吸收回路(233);所述的阻容吸收回路(233)由電容(Cl)串聯(lián)電阻R6后并聯(lián)壓敏電阻Vl構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的固態(tài)繼電器，其特征在于:所述的輸入電路(21)中增加一個(gè)指示電路(211);所述的指示電路(211)由限流電阻R2和發(fā)光二極管構(gòu)成；限流電阻(R2)與發(fā)光二極管串聯(lián)后并聯(lián)在輸入電路(21)的兩個(gè)輸入端之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)繼電器，其特征在于:所述的輸入電路(21)中增加一個(gè)指示電路(211);所述的指示電路(211)由限流電阻(R2)和發(fā)光二極管構(gòu)成；限流電阻(R2)與發(fā)光二極管串聯(lián)后并聯(lián)在輸入電路(21)的兩個(gè)輸入端之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的固態(tài)繼電器，其特征在于:所述的輸入電路(21)的輸入端上正向串聯(lián)一個(gè)二極管D1。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的固態(tài)繼電器，其特征在于:所述的輸入電路(21)的輸入端上正向串聯(lián)一個(gè)二極管Dl。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的固態(tài)繼電器，其特征在于:所述的輸入電路(21)的輸入端上正向串聯(lián)一個(gè)二極管Dl。
9.根據(jù)權(quán)利要求5的固態(tài)繼電器，其特征在于:所述的輸入電路(21)的輸入端上正向串聯(lián)一個(gè)二極管D1。
【文檔編號】H03K17/78GK104079280SQ201410312699
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月3日
【發(fā)明者】金峻, 林俊華, 曾志銘 申請人:庫頓電子科技（廈門）有限公司