失配差分電路的制作方法
【專利摘要】一種差分放大器包括：包括第一晶體管的第一放大器腿；以及包括第二晶體管的第二放大器腿。這里，第一晶體管被配置為具有與第二晶體管的基體電勢不同的基體電勢。第一放大器腿和第二放大器腿一起可被配置為差分地放大接收到的差分輸入信號。差分放大器可被配置為具有輸入偏移電壓，其對應于第一晶體管的基體電勢與第二晶體管的基體電勢之間的差異。差分放大器可處于比較器的輸入級。
【專利說明】失配差分電路
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本發(fā)明專利申請要求2013年4月22日遞交的標題為Triple-Mismatched Differential Pair、序列號為61/814, 756的美國臨時申請以及于2013年10月23日遞交 的序列號為14/061,637的美國非臨時申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，這里通過引用并入上述美國 申請的全部內(nèi)容。

【技術(shù)領域】
[0003] 本發(fā)明的各方面涉及失配差分電路（mismatched differential circuit)和包括 失配差分電路的比較器。

【背景技術(shù)】
[0004] 比較器是比較兩個輸入信號并基于這個比較來輸出信號的裝置。在一種配置中， 比較器接收兩個輸入信號并且輸出指示接收到的信號中哪個更大的信號。在另一種配置 中，比較器接收兩個信號（例如，兩個互補信號）并且輸出指示兩個接收到的信號之間的差 異是否大于閾值電平的信號。
[0005] 實現(xiàn)來執(zhí)行上述閾值檢測的比較器具有許多的應用，包括多電平串行/并行鏈 路、模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器和峰值檢測。在比較器中可以使用失配差分電路來設定閾值電平。為 了擴展比較器電路的可用范圍（例如增大檢測范圍），希望實現(xiàn)較寬范圍的閾值電平。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的各方面針對的是提供實現(xiàn)了寬范圍的閾值電平的失配差分電路。作為示 例，根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分電路可用于比較器中。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，通過控制比較器的差分電路中的器件的基體電勢（bulk potential)，可以擴展比較器的閾值電平的范圍。例如，在一個實施例中，提供了包括具有 失配的基體電勢、尺寸和電流的器件的三重失配差分對，以為比較器實現(xiàn)寬范圍的閾值電 平。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，作為用于顯示器的數(shù)字通信鏈路的一部分，提供了包括具 有失配的基體電勢的器件的失配差分電路。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種差分放大器，其包括：包括第一晶體管的第一放 大器腿（comparator leg);以及包括第二晶體管的第二放大器腿。這里，第一晶體管被配 置為具有與第二晶體管的基體電勢不同的基體電勢。
[0010] 差分放大器可被配置為處于比較器的輸入級，第一放大器腿和第二放大器腿一起 可被配置為差分地放大接收到的差分輸入信號，差分放大器可被配置為具有輸入偏移電 壓，并且輸入偏移電壓可對應于第一晶體管的基體電勢與第二晶體管的基體電勢之間的差 異。
[0011] 第一晶體管可具有第一器件尺寸并且第二晶體管可具有與第一器件尺寸不同的 第二器件尺寸，并且輸入偏移電壓可還對應于第一器件尺寸與第二器件尺寸之間的差異。
[0012] 第一器件尺寸可對應于第一晶體管的溝道寬度或長度，并且第二器件尺寸可對應 于第二晶體管的溝道寬度或長度。
[0013] 差分放大器還可包括：第一電流宿（current sink)，被配置為吸收第一電流；第 二電流宿，被配置為吸收第二電流；第三晶體管；以及第四晶體管。這里，第一晶體管、第二 晶體管、第三晶體管和第四晶體管中的每一個可包括第一端子、第二端子和柵極，第一晶體 管的第一端子可耦合到第四晶體管的第一端子，第二晶體管的第一端子可耦合到第三晶體 管的第一端子，第一晶體管的柵極可耦合到第四晶體管的柵極，第二晶體管的柵極可耦合 到第三晶體管的柵極，第一晶體管的第二端子和第二晶體管的第二端子可耦合在一起并耦 合到第一電流宿，第三晶體管的第二端子和第四晶體管的第二端子可耦合在一起并耦合到 第二電流宿，并且輸入偏移電壓可還對應于第一電流與第二電流之間的差異。
[0014] 通過調(diào)整以下各項中的至少一個可動態(tài)地配置偏移電壓：第一電流、第二電流、第 一晶體管的基體電勢、第二晶體管的基體電勢、第一晶體管的有效寬度或長度、或者第二晶 體管的有效寬度或長度?？赏ㄟ^控制一系列開關(guān)來動態(tài)地改變晶體管的寬度或長度，這些 開關(guān)可以以各種方式連接來調(diào)整晶體管的寬度或長度。
[0015] 第一晶體管和第三晶體管中的每一個可具有第一器件尺寸，第二晶體管和第四晶 體管中的每一個可具有與第一器件尺寸不同的第二器件尺寸，并且輸入偏移電壓可還對應 于第一器件尺寸與第二器件尺寸之間的差異。
[0016] 第一晶體管和第二晶體管中的每一個可以是場效應晶體管并且可包括基體 (bulk)、柵極、漏極和源極。這里，第一晶體管的基體可耦合到第一晶體管的源極、地或者偏 置電壓源之一，第二晶體管的基體可耦合到第二晶體管的源極、地或者偏置電壓源之一，并 且第一晶體管的基體的耦合方式可不同于第二晶體管的基體以使得第一晶體管的基體電 勢不同于第二晶體管的基體電勢。
[0017] 第一晶體管和第二晶體管中的每一個可以是P-M0S場效應晶體管，第一晶體管的 基體可耦合到第一晶體管的源極，并且第二晶體管的基體可耦合到偏置電壓源。
[0018] 第一晶體管和第二晶體管中的每一個可以是N-M0S場效應晶體管，第一晶體管的 基體可耦合到第一晶體管的源極，并且第二晶體管的基體可耦合到地。
[0019] 第一晶體管的基體可耦合到偏置電壓源，第二晶體管的基體可耦合到地，并且可 控制偏置電壓源來動態(tài)地改變第一晶體管的基體電勢與第二晶體管的基體電勢之間的差 異。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供了一種多電平信號接收器，其包括：輸入端子，用 于接收多電平差分信號；數(shù)據(jù)分割器（slicer)，耦合到輸入端子并且被配置為確定多電平 差分信號的電壓電平，數(shù)據(jù)分割器包括多個比較器；以及解碼器，耦合到數(shù)據(jù)分割器的輸出 并且被配置為對多電平差分信號的比特解碼。這里，每個比較器包括差分放大器，該差分放 大器包括：包括第一晶體管的第一放大器腿，以及包括第二晶體管的第二放大器腿，第二晶 體管被配置為具有與第一晶體管的基體電勢不同的基體電勢，第一放大器腿和第二放大器 腿一起被配置為差分地放大多電平差分信號以生成閾值判定信號，差分放大器被配置為具 有輸入偏移電壓，并且輸入偏移電壓對應于第一晶體管的基體電勢與第二晶體管的基體電 勢之間的差異，每個比較器被配置為具有與其他比較器的閾值電平不同的閾值電平，每個 比較器被配置為向解碼器輸出其閾值判定信號以指示多電平信號是否大于其閾值電平，并 且對于每個比較器，閾值電平對應于差分放大器的輸入偏移電壓。
[0021] 多個比較器可包括第一比較器、第二比較器和第三比較器，其中第一比較器的閾 值電平被設定為第一電平，第二比較器的閾值電平被設定為第二電平，第三比較器的閾值 電平被設定為第三電平。這里，多電平信號可被配置為利用四個信號電平來對兩個比特編 碼，并且第一電平、第二電平和第三電平可被分別設定來檢測四個信號電平。
[0022] 在至少一個比較器的差分放大器中：第一晶體管可具有第一器件尺寸并且第二晶 體管可具有與第一器件尺寸不同的第二器件尺寸，并且輸入偏移電壓可還對應于第一器件 尺寸與第二器件尺寸之間的差異。
[0023] 每個比較器的差分放大器還可包括：第一電流宿，被配置為吸收第一電流；第二 電流宿，被配置為吸收第二電流；第三晶體管；以及第四晶體管。這里，在至少一個比較器 的差分放大器中：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管中的每一個可包括第 一端子、第二端子和柵極，第一晶體管的第一端子可耦合到第四晶體管的第一端子，第二晶 體管的第一端子可耦合到第三晶體管的第一端子，第一晶體管的柵極可耦合到第四晶體管 的柵極，第二晶體管的柵極可耦合到第三晶體管的柵極，第一晶體管的第二端子和第二晶 體管的第二端子可耦合在一起并耦合到第一電流宿，第三晶體管的第二端子和第四晶體管 的第二端子可耦合在一起并耦合到第二電流宿，并且輸入偏移電壓可還對應于第一電流與 第二電流之間的差異。
[0024] 在至少一個比較器的差分放大器中，通過調(diào)整以下各項中的至少一個可動態(tài)地配 置偏移電壓：第一電流、第二電流、第一晶體管的基體電勢、第二晶體管的基體電勢、第一晶 體管的有效寬度或長度、或者第二晶體管的有效寬度或長度。
[0025] 在至少一個比較器的差分放大器中，第一晶體管和第三晶體管中的每一個可具有 第一器件尺寸，第二晶體管和第四晶體管中的每一個可具有與第一器件尺寸不同的第二器 件尺寸，并且輸入偏移電壓可還對應于第一器件尺寸與第二器件尺寸之間的差異。
[0026] 在至少一個比較器的差分放大器中，第一晶體管和第二晶體管中的每一個可以是 場效應晶體管并且可包括基體、柵極、漏極和源極，第一晶體管的基體可耦合到第一晶體管 的源極、地或者偏置電壓源之一，第二晶體管的基體可耦合到第二晶體管的源極、地或者偏 置電壓源之一，并且第一晶體管的基體的耦合方式可不同于第二晶體管的基體以使得第一 晶體管的基體電勢不同于第二晶體管的基體電勢。
[0027] 在至少一個比較器的差分放大器中，第一晶體管和第二晶體管中的每一個可以是 P-M0S場效應晶體管，第一晶體管的基體可耦合到第一晶體管的源極，并且第二晶體管的基 體可耦合到偏置電壓源。
[0028] 在至少一個比較器的差分放大器中，第一晶體管和第二晶體管中的每一個可以是 N-M0S場效應晶體管，第一晶體管的基體可耦合到第一晶體管的源極，并且第二晶體管的基 體可耦合到地。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029] 附圖圖示了本發(fā)明的示范性實施例，并且與本說明書一起用來說明本發(fā)明的特征 和方面。
[0030] 圖1圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分電路。
[0031] 圖2是圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的晶體管的基體到源極電壓（bulk-to-source voltage)與其閾值電壓之間的關(guān)系的曲線圖。
[0032] 圖3是圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的差分電路的I-V特性的曲線圖。
[0033] 圖4是圖示出根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的差分電路的I-V特性的曲線圖。
[0034] 圖5圖示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的失配差分電路。
[0035] 圖6圖示出用于脈沖幅度調(diào)制數(shù)據(jù)系統(tǒng)的接收器。
[0036] 圖7描繪了圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的三個差分電路的I-V特性的曲線圖。
[0037] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于顯示器的數(shù)字通信鏈路的框圖。

【具體實施方式】
[0038] 本發(fā)明的各方面涉及實現(xiàn)了寬范圍的閾值電平的失配差分電路。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分電路可被包括在比較器中。例如，失配差分電路 可用于調(diào)整比較器的閾值電平。失配差分電路可實現(xiàn)為差分放大器對（通常稱為"差分 對"），其中具有共同（射極、源極、陰極等等）退化的兩個放大級（或腿）具有不同的（或 失配的）屬性。這個屬性失配在放大級中產(chǎn)生了固有的偏移。因此，通過改變屬性失配，該 偏移變化；從而，可以調(diào)整比較器的閾值電平。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，通過控制比較器的差分電路中的器件的基體電 勢，可以擴展比較器的閾值電平的范圍。控制差分電路中的器件的基體電勢提供了一種成 本劃算且強大的在差分電路中產(chǎn)生屬性失配的方式。
[0041] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以以靜態(tài)或動態(tài)方式控制器件的基體電勢以控制偏移電 壓，從而擴展比較器的閾值電平的可實現(xiàn)范圍。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，通過控制器件的 基體電勢來調(diào)整閾值電壓的方法與其他方法相結(jié)合，例如器件尺寸或偏置電流失配，以進 一步擴展比較器的閾值電平的可實現(xiàn)范圍。
[0042] 以下，以舉例說明的方式示出和描述本發(fā)明的某些實施例。正如本領域技術(shù)人員 將會認識到的，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，而不應當被解釋為限于本文記載的 實施例。反而，詳細描述應當被解釋為涵蓋了權(quán)利要求及其等同物的范圍。另外，在本申請 中，當稱一元件"耦合"（例如電氣耦合或連接）到另一元件時，其可直接耦合到該另一元 件，或者間接耦合到該另一元件并且有一個或多個居間的元件介于其間。以下，相似的標號 指代相似的元件。
[0043] 圖1圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分電路。
[0044] 本實施例的失配差分電路10包括第一晶體管?\和第二晶體管T2，它們的源極共 同耦合到電流宿L，并且它們的漏極通過相應的電阻器札和R 2耦合到電壓源Vs。
[0045] 總體上，第一晶體管?\和第二晶體管T2、第一電阻器札和第二電阻器R2、電壓源V s 以及電流宿Ii形成差分對放大器（通常稱為"差分對"）的至少一部分，該差分對放大器具 有彼此互補的第一放大級和第二放大級。這里，差分對的包括第一晶體管?\的那側(cè)對應于 第一放大級，并且差分對的包括第二晶體管Τ 2的那側(cè)對應于第二放大級。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，差分對的第一放大級和第二放大級是失配的。也就是說，第 一放大級與第二放大級具有不同的屬性。通過使第一放大級和第二放大級失配，產(chǎn)生了差 分對的輸入偏移（或偏移電壓），而該輸入偏移進而又可用于設定比較器的閾值電平。
[0047] 換言之，比較器的閾值電平可以是比較器的輸入級處的差分對的屬性中的特定失 配的函數(shù)。
[0048] 這種失配可例如起因于差分對的組件的尺寸或閾值電壓的差異。例如，在本實施 例中，失配可起因于第一晶體管?\和第二晶體管T2的器件尺寸或閾值電壓的差異。
[0049] 在差分對的一些實施例中，可根據(jù)以下式子來確定輸入偏移：ν2。，= (ID/ gm)2 ( Λ (W/LV (W/L)) 2+Λ V2th。這里，V。,是如下電壓：對于該電壓，差分對的輸出電壓為零 (即，偏移電壓），ID是晶體管的漏極電流，g m是晶體管的跨導，W是晶體管的寬度，并且L是 晶體管的長度。
[0050] 在許多應用中，經(jīng)由晶體管閾值電壓Vth來控制輸入偏移是尤其有吸引力的，因為 其直接在輸入處表現(xiàn)為偏移并且可以以最低限度的額外電路復雜度來高效地實現(xiàn)。根據(jù)本 發(fā)明的實施例，通過以靜態(tài)或動態(tài)方式控制差分對的晶體管的基體電勢來設定（或部分設 定）差分對的偏移電壓，從而擴展了比較器的閾值電平的可實現(xiàn)范圍。
[0051] 可以以靜態(tài)方式通過例如將晶體管的基體硬接線到晶體管的特定節(jié)點（例如源 極）、到地或者到靜態(tài)電壓源（例如偏置電壓）來控制晶體管的基體電勢。
[0052] 圖1的差分電路10的第一晶體管?\和第二晶體管T2例示了靜態(tài)控制的基體電勢 的示例實施例。本實施例的第一晶體管?\例示了基體到源極實現(xiàn)方式，并且第二晶體管Τ 2 例示了基體到地實現(xiàn)方式。通過不同地連接第一晶體管?\和第二晶體管Τ2的基體，各個晶 體管的基體電勢相互不同，這進而引起了差分電路中的閾值電壓V th差異（即，屬性失配）。 如上所述，這個屬性失配設定了差分對的偏移電壓V。,，從而控制了比較器的閾值電平。
[0053] 可以通過例如將晶體管的基體中的至少一個耦合到可調(diào)整的電壓源來動態(tài)地控 制基體電勢。通過利用可調(diào)整的電壓源來調(diào)整晶體管的基體電勢，可以控制晶體管的閾值 電壓V th之間的差異；從而，可以動態(tài)地調(diào)整差分對的偏移電壓V。,。
[0054] 可以通過調(diào)整晶體管的有效尺寸（例如，有效長度或?qū)挾龋﹣韯討B(tài)地控制閾值電 壓Vth之間的差異。例如，可以通過電子地控制一系列開關(guān)來動態(tài)地改變晶體管的寬度或長 度，這些開關(guān)可以以各種方式連接來調(diào)整晶體管的有效寬度或長度。
[0055] 圖2是圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的晶體管的基體到源極電壓與其閾值電壓之 間的關(guān)系的曲線圖。
[0056] 如圖2所示，通過控制晶體管的基體到源極電壓VBS(例如，如上所述以動態(tài)或靜態(tài) 方式），可以設定晶體管的閾值電壓V th。例如，當基體到源極電壓VBS被設定到約0V時，閾 值電壓Vth可以約為470mV，或者當基體到源極電壓V BS被設定到約-500mV時，閾值電壓Vth 可以約為575mV。
[0057] 返回參考圖1，差分電路還包括兩個輸入節(jié)點來分別接收輸入信號Vp和Vn的互補 對，并且包括兩個輸出節(jié)點來分別輸出輸出信號￥。+和Vy的互補對。在本實施例中，兩個輸 入節(jié)點在第一晶體管?\和第二晶體管T 2的柵極處，并且輸出節(jié)點在第一晶體管?\和第二 晶體管Τ2的漏極處。
[0058] 輸入信號Vp和Vn的互補對（一起稱為差分輸入信號）被差分對差分地放大（即 進行減法和乘法）以生成輸出信號V。.和Vy的互補對（一起稱為差分輸出信號）。
[0059] 圖3是圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的差分電路的I-V特性的曲線圖。圖3圖示出 兩個示例ι-v特性，一個是關(guān)于平衡的差分電路的（由短劃線指示），另一個是關(guān)于失配的 差分電路的（由實線指示）。在圖3中，X軸表示差分輸入電壓，并且y軸表示差分電路的 差分輸出電流。
[0060] 在平衡差分電路（例如具有匹配的放大級的差分放大器對）中，當差分輸入信號 為0V時，差分輸出信號為0V。這在圖3中由平衡差分電路Ι-v特性的過零點在0V處圖示。 另外，在本示例中，當差分輸入信號為正時，生成負差分輸出信號，而當差分輸入信號為負 時，生成正差分輸出信號。
[0061] 平衡差分電路可用在具有0V閾值電平的比較器電路中。也就是說，其可用于檢測 接收到的差分輸入信號是小于還是大于0V。
[0062] 在失配差分電路（例如具有失配的放大級的差分放大器）中，當差分輸入信號處 于偏移電壓V。，時，差分輸出信號為0V。這在圖3中由失配差分電路Ι-v特性的過零點在 偏移電壓V。,處來圖示。另外，在本實施例中，當差分輸入信號大于偏移電壓V。，時，生成負 差分輸出信號，而當差分輸入信號小于偏移電壓Vm時，生成正差分輸出信號。
[0063] 失配差分電路可用在具有處于（或基于）偏移電壓V。，的閾值電平的比較器電路 中。也就是說，其可用于檢測接收到的差分輸入信號是小于還是大于偏移電壓V。,。
[0064] 如上所述，可通過調(diào)整差分電路中的晶體管的基體電勢來設定偏移電壓V。,。然而， 本發(fā)明的實施例不限于此；例如，調(diào)整差分電路的偏移電壓的其他方法可與調(diào)整基體電勢 結(jié)合使用。
[0065] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，通過調(diào)整差分電路中的器件的尺寸以及基體電勢，可 以擴展可實現(xiàn)的比較器閾值電平的范圍。根據(jù)本發(fā)明的一方面，器件尺寸包括晶體管的溝 道的寬度和/或長度。
[0066] 根據(jù)一個實施例，差分對中的晶體管可具有失配的基體電勢（例如，一個晶體管 具有基體到源極連接，而另一個具有基體到地連接）和寬度（例如，一個晶體管具有15 μ m 的寬度，而另一個具有5 μ m的寬度）。
[0067] 圖4是圖示出根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的差分電路的Ι-V特性的曲線圖。圖4圖 示了四個示例Ι-v特性，一個是關(guān)于平衡差分電路的（由具有一橫、兩點、一橫然后重復的 線條指示，即----），第二個是關(guān)于基體失配差分電路的（由具有一橫、一點、一橫然后重 復的線條指示，即-·-)，第三個是關(guān)于寬度失配差分電路的（由短劃線指示，即--）， 并且第四個是關(guān)于寬度和基體失配差分電路的（由實線指示）。在圖4中，X軸表示差分輸 入電壓，并且y軸表不差分電路的差分輸出電流。
[0068] 在平衡差分電路（例如具有匹配的放大級的差分放大器）中，當差分輸入信號為 0V時，差分輸出信號為0V。這在圖4中由平衡差分電路Ι-v特性的過零點在0V處圖示。另 夕卜，在本實施例中，當差分輸入信號為正時，生成負差分輸出信號，而當差分輸入信號為負 時，生成正差分輸出信號。
[0069] 平衡差分電路可用在具有0V閾值電平的比較器電路中。也就是說，其可用于檢測 接收到的差分輸入信號是小于還是大于0V。
[0070] 在基體失配差分電路（例如包括具有失配的基體電勢的放大級的差分放大器） 中，當差分輸入信號處于第一偏移電壓時，差分輸出信號為0V。這在圖4中由基體失配 差分電路Ι-V特性的過零點在第一偏移電壓處來圖示。另外，在本實施例中，當差分輸 入信號大于第一偏移電壓時，生成負差分輸出信號，而當差分輸入信號小于第一偏移電 壓時，生成正差分輸出信號。
[0071] 基體失配差分電路可用在具有處于第一偏移電壓的閾值電平的比較器電路 中。也就是說，其可用于檢測接收到的差分輸入信號是小于還是大于第一偏移電壓ν^。
[0072] 在寬度失配差分電路（例如包括具有失配的器件寬度的放大級的差分放大器） 中，當差分輸入信號處于第二偏移電壓時，差分輸出信號為0V。這在圖4中由寬度失配 差分電路I-V特性的過零點在第二偏移電壓處來圖示。另外，在本實施例中，當差分輸 入信號大于第二偏移電壓時，生成負差分輸出信號，而當差分輸入信號小于第二偏移電 壓時，生成正差分輸出信號。
[0073] 寬度失配差分電路可用在具有處于第二偏移電壓的閾值電平的比較器電路 中。也就是說，其可用于檢測接收到的差分輸入信號是小于還是大于第二偏移電壓V^。
[0074] 在寬度和基體失配差分電路（例如包括具有失配的器件寬度和基體電勢的放大 級的差分放大器）中，當差分輸入信號處于第三偏移電壓￥。 33時，差分輸出信號為0V。這 在圖4中由寬度和基體失配差分電路I-V特性的過零點在第三偏移電壓處來圖示。另 夕卜，在本實施例中，當差分輸入信號大于第三偏移電壓1 53時，生成負差分輸出信號，而當差 分輸入信號小于第三偏移電壓時，生成正差分輸出信號。
[0075] 基體和寬度失配差分電路可用在具有處于第三偏移電壓的閾值電平的比較 器電路中。也就是說，其可用于檢測接收到的差分輸入信號是小于還是大于第三偏移電壓 V〇s3。
[0076] 如圖4所示，通過組合偏移電壓移動方法，與只使用一種方法相比，實現(xiàn)了更大范 圍的可實現(xiàn)偏移電壓（從而實現(xiàn)了更大范圍的比較器閾值電平）。
[0077] 此外，偏移電壓移動方法不限于調(diào)整器件特性。例如，可通過控制差分電路中的電 流失配來調(diào)整偏移電壓。
[0078] 圖5圖示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的用于比較器的失配差分電路。圖5的失配 差分電路10'例示了本發(fā)明的一種提供三重失配差分對的實施例。也就是說，失配差分電 路10'例示了可在器件基體電勢、器件寬度和偏置電流上具有屬性失配的差分放大器電路。
[0079] 根據(jù)本實施例的失配差分電路10'包括兩個差分放大器對，其中每個的配置基本 上與聯(lián)系圖3描述的差分放大器對類似。
[0080] 具體而言，圖5的失配差分電路10'包括第一至第四晶體管?\至T4，其中每個晶 體管對應于兩個放大器對之一的一個放大級。這里，第一晶體管?\和第二晶體管Τ 2的源極 共同耦合到第一電流宿L并且它們通過相應的電阻器&和R2耦合到電壓源V s。第一晶體 管?\和第二晶體管T2對應于第一差分放大器對。類似地，第三晶體管T3和第四晶體管T 4 的源極共同耦合到第二電流宿12并且它們通過相應的電阻器&和R2耦合到電壓源V s。第 三和第四晶體管T3和T4對應于第二差分放大器對。
[0081] 第一和第二差分放大器對耦合在一起以實際上作為單個差分放大器對來工作。也 就是說，第一和第二差分對共同接收同一差分輸入信號并且一起工作來產(chǎn)生單個差分輸出 信號。
[0082] 使用兩個耦合的差分放大器對的一個特征在于可以使不同的電流宿失配以提供 額外的偏移電壓范圍。例如，第一電流宿L的電流的值可被設定為大于第二電流宿1 2的電 流的值，這產(chǎn)生了非對稱的放大腿，從而得到了所尋求的對偏移電壓的控制。
[0083] 使用兩個耦合的差分放大器對的另一個特征在于有更多的器件參數(shù)可用于調(diào)整， 這添加了更多的偏移電壓靈活性。例如，可以調(diào)整晶體管的基體電勢和/或?qū)挾萟至^， 以實現(xiàn)可用偏移電壓的進一步靈活性。
[0084] 根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分電路可由互補金屬氧化物半導體 (complementary metal oxide semiconductor，CMOS)器件形成。例如，如圖 1 和圖 5 所不， 失配差分電路可由N-M0S場效應晶體管（field effect transistor,FET)形成。然而，正如 本領域普通技術(shù)人員將會明白的，本發(fā)明的范圍適用于除了本申請中明確描述和圖示的那 些以外的器件。例如，根據(jù)本發(fā)明的差分電路可利用P-MOS FET來實現(xiàn)。根據(jù)一個實施例， 當利用P-MOS FET來實現(xiàn)差分電路時，P-MOS FET的基體可耦合到偏置電壓源，而如果使用 N-MOS FET，基體將耦合到地。
[0085] 以下，描述具有根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分電路的比較器的應用。具體而言， 以下描述關(guān)于將具有失配差分電路的比較器用在多電平數(shù)據(jù)系統(tǒng)中。
[0086] 多電平數(shù)據(jù)系統(tǒng)將數(shù)據(jù)量化成多于兩個電平，從而與相同容量的二元數(shù)據(jù)系 統(tǒng)相比使用更少的信道帶寬。一個這種多電平數(shù)據(jù)系統(tǒng)是PAM-4(pulse amplitude modulation-4,脈沖幅度調(diào)制-4)數(shù)據(jù)系統(tǒng)。PAM-4數(shù)據(jù)系統(tǒng)可包括發(fā)送器、傳送鏈路 和接收器。PAM-4發(fā)送器將一對比特編碼成一個四電平信號，例如Vp V2、V3和V4(例 如，-0. 66V、-0. 33V、0. 33V和0. 66V)并且將編碼的多電平信號通過傳送鏈路發(fā)送到PAM-4 接收器。PAM-4接收器通過將接收到的信號與三個不同的閾值電壓V K1、VK2和VK3相比較來 重建發(fā)送的多電平信號。
[0087] 在PAM-4接收器的一個實施例中，閾值電壓是根據(jù)以下邏輯來確定的： 例如，在多電平信號的四個電平是-〇· 66V、-(X 33V、0. 33V和(λ 66V 的情況下，閾值電壓可以是-〇. 5V、0V和0. 5V (例如，差分配置）。在另一示例中，在多電平信 號的四個電平是0V、0. 33V、0. 66V和IV的情況下，閾值電壓可以是0. 25V、0. 5V和0. 75V(例 如，單端配置）。
[0088] 這里，如果接收到的多電平信號小于VK1，則接收器確定多電平信號是在發(fā)送與％ 相關(guān)聯(lián)的邏輯電平（例如00)。如果接收到的多電平信號大于V K1、但小于VK2，則接收器確 定多電平信號是在發(fā)送與v2相關(guān)聯(lián)的邏輯電平（例如01)。如果接收到的多電平信號大于 VK2、但小于VK3，則接收器確定多電平信號是在發(fā)送與V3相關(guān)聯(lián)的邏輯電平（例如10)。并 且，如果接收到的多電平信號大于V K2，則接收器確定多電平信號是在發(fā)送與v4相關(guān)聯(lián)的邏 輯電平（例如11)。
[0089] 在PAM-4接收器的一種實現(xiàn)方式中，通過利用各自具有不同的閾值電平的三個比 較器以及一個解碼器來重建多電平信號。
[0090] 圖6圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的PAM-4接收器。
[0091] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，脈沖幅度調(diào)制（PAM)接收器100包括用于接收多電平數(shù)據(jù) 信號s m(其編碼了多于一比特數(shù)據(jù)）的傳送鏈路110、包括多個比較器130的數(shù)據(jù)分割器 120、以及解碼器140。PAM接收器還可包括前置放大器150來在多電平數(shù)據(jù)信號S m到達數(shù) 據(jù)分割器120之前向其提供增益和均衡。根據(jù)本發(fā)明的實施例，多電平數(shù)據(jù)信號Sm是差分 信號。
[0092] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，數(shù)據(jù)分割器120包括建立第一閾值電壓VK1的第一比較器 130A、建立第二閾值電壓V K2的第二比較器130B、以及建立第三閾值電壓VK3的第三比較器 130C。如上所述，第二閾值電壓V K2可大于第一閾值電壓VK1并小于第三閾值電壓VK3。
[0093] 比較器130A、130B和130C建立這三個閾值電平來依據(jù)多電平數(shù)據(jù)信號Sm與三個 閾值的關(guān)系提供四個不同的輸出。從而，比較器130A、130B和130C的輸入被耦合到一起以 形成共同的差分輸入端子來接收多電平數(shù)據(jù)信號S m。
[0094] 另外，比較器130A、130B和130C中的每一個具有耦合到解碼器140的差分輸出端 子。解碼器140從比較器130A、130B和130C各自的差分輸出端子接收它們每一個的差分 輸出信號（例如閾值判定信號），并且基于接收到的差分輸出信號來對經(jīng)由多電平數(shù)據(jù)信 號SJ#送的數(shù)據(jù)進行解碼。
[0095] 如上所述，比較器130A、130B和130C總體上向解碼器提供四個不同的輸出。這些 輸出中的每一個對應于對兩比特數(shù)據(jù)編碼的PAM-4發(fā)送器所生成的四個信號電平中的特 定一個。從而，解碼器可對由PAM-4多電平數(shù)據(jù)信號送的兩比特數(shù)據(jù)進行解碼。
[0096] 根據(jù)本發(fā)明的一方面，利用失配差分電路來控制比較器130A、130B和130C的閾值 電平。
[0097] 例如，第一比較器130A可包括具有第一偏移電壓U以實現(xiàn)第一閾值電平電壓VK1 的第一失配差分電路，第二比較器130B可包括具有第二偏移電壓以實現(xiàn)第二閾值電平 電壓VK2的第二失配差分電路，并且第三比較器130C可包括具有第三偏移電壓以實現(xiàn) 第三閾值電平電壓V K3的第三失配差分電路。
[0098] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，比較器130A、130B和130C中的每一個包括與以上聯(lián)系 圖1至圖4描述的失配差分電路10相對應的電路。這里，各個比較器130A、130B或130C 中包括的每個失配差分電路10具有彼此不同的偏移電壓V。，以提供三個不同的閾值電平。 [0099] 例如，第一比較器130A可包括寬度失配差分電路來提供第一閾值電平電壓VK1， 第二比較器130B可包括基體失配差分電路來提供第二閾值電平電壓VK2，并且第三比較器 130C可包括寬度和基體失配差分電路來提供第三閾值電平電壓VK3。
[0100] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，每個失配差分電路是利用與以上聯(lián)系圖5描述的失配 差分電路10'相對應的電路來實現(xiàn)的。這里，各個比較器130A、130B或130C中包括的每個 失配差分電路10'具有彼此不同的偏移電壓V。，以提供三個不同的閾值電平。
[0101] 在此實施例中，失配差分電路10'中的至少一個可被配置為三重失配差分對。也 就是說，這些失配差分電路中的至少一個可具有三個不同的失配參數(shù)，例如基體電勢、器件 寬度和偏置電流。這實現(xiàn)了寬范圍的偏移電壓V。,，從而為比較器實現(xiàn)了寬范圍的閾值電平。
[0102] 可實現(xiàn)的偏移電壓范圍的示例在圖7中圖示。圖7示出了圖示出根據(jù)本發(fā)明的實 施例的差分電路的I-V特性的曲線圖。
[0103] 圖7圖示出三個差分電路的I-V特性范圍。這三個I-V特性曲線圖可對應于以上 聯(lián)系圖6描述的比較器130A、130B和130C的三個差分電路。如這些曲線圖中所示，三個失 配差分電路可配置為提供下部組、中間組和上部組的偏移電壓范圍，以對應于多電平接收 器中使用的比較器的下部、中間和上部閾值電平。
[0104] 根據(jù)一個實施例，下部和上部失配差分電路是可配置為具有基體電勢、器件寬度 和偏置電流失配的三重失配差分電路。下部和上部失配差分電路可以是彼此的鏡像。也就 是說，下部失配差分電路中的放大器腿可具有電路屬性的特定失配，并且上部失配差分電 路中的放大器腿可具有電路屬性的相應但相反的失配（例如在哪個腿具有哪些電路屬性 方面是相反的）。
[0105] 例如，返回參考圖5,下部失配差分電路可被配置成使得第一晶體管?\和第四晶體 管τ 4具有基體到源極連接，第二晶體管τ2和第三晶體管τ3具有基體到地連接，并且第一晶 體管的寬度Wi和第三晶體管的寬度w 3是相同尺寸的并且大于第二晶體管的寬度w2和第四 晶體管的寬度^^和^是相同尺寸的）。這個配置產(chǎn)生了第一偏移電壓。例如，在第 一寬度Wi和第三寬度W 3約為4. 8 μ m并且第二寬度W2和第四寬度W4約為1. 2 μ m的實施例 中，第一偏移電壓可約為-203mV。
[0106] 通過以與下部失配差分電路相對應但相反的方式來配置上部失配差分電路，其可 具有與第一偏移電壓幅值相同但極性相反的第三偏移電壓。例如，上部失配差分電 路可被配置成使得第一晶體管?\和第四晶體管Τ 4具有基體到地連接，第二晶體管Τ2和第 三晶體管Τ3具有基體到源極連接，并且第一晶體管的寬度Α和第三晶體管的寬度W 3是相 同尺寸的并且小于第二晶體管的寬度W2和第四晶體管的寬度W4(W 2和W4是相同尺寸的）。 在第一寬度A和第三寬度W3約為1. 2 μ m并且第二寬度W2和第四寬度W4約為4. 8 μ m的實 施例中，第三偏移電壓可約為+203mV。
[0107] 從而，利用此鏡像失配配置，下部和上部失配差分電路可具有幅值相同但極性不 同的偏移電壓。
[0108] 另外，根據(jù)一個實施例，中間差分電路可被配置成使得其器件屬性是匹配的（即， 是平衡的），從而其偏移電壓為0V。
[0109] 另外，如上所述，通過調(diào)整偏置電流，這些差分電路可配置為具有三重失配。例如， 返回參考圖5,可以使電流宿^和12失配（總體上是設定偏置電流）以進一步擴展偏移電 壓范圍。這可動態(tài)或靜態(tài)地實現(xiàn)。圖7的I-V曲線圖圖示了此場景的一個實施例。
[0110] 在圖7中，X軸表不差分輸入電壓，并且y軸表不差分電路的差分輸出電流。在每 個曲線圖中，實線表示偏置電流完全由第一電流宿L提供的配置，并且短劃線表示偏置電 流完全由第二電流宿1 2提供的配置。這兩條線之間的區(qū)域在失配差分電路的可工作范圍 內(nèi)，并且是通過調(diào)整第一電流宿Ii和第二電流宿1 2的失配來實現(xiàn)的。根據(jù)一個實施例，偏 置電流根據(jù)以下表達式可變：偏置電流=Ii+I2。
[0111] 在一個實施例中，偏移電壓范圍以偏置電流在第一電流宿L和第二電流宿12之間 平衡的配置的偏移電壓為中心。這樣，偏移電壓范圍的中心對應于以上描述的分別與鏡像 的下部和上部失配差分電路相對應的第一偏移電壓和第三偏移電壓以及與平衡的 中間差分電路相對應的第二偏移電壓八 32。
[0112] 根據(jù)一個實施例，偏置電流約為400 μ Α。因此，第一電流宿L和第二電流宿12的 電流的值合計達400 μ A。這里，偏移電壓范圍的幅值可以約為600mV。
[0113] 從而，下部失配差分電路的一個實施例可具有以約_203mV為中心的偏移電壓和 約-409mV到約206mV的范圍，中間失配差分電路的一個實施例可具有以約0V為中心的偏 移電壓和約-306mV到約306mV的范圍，并且上部失配差分電路的一個實施例可具有以約 203mV為中心的偏移電壓和約-206mV到約409mV的范圍。
[0114] 這樣，當配置具有根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分電路的比較器來用在多電平信 號接收器中時，可以得到寬范圍的閾值電平。
[0115] 圖8圖示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的接收器在用于顯示器的數(shù)字通信鏈路中的示 范性應用。在本實施例中，顯示數(shù)據(jù)源1010通過傳送鏈路1110向顯示器1020發(fā)送顯示數(shù) 據(jù)信號。顯示數(shù)據(jù)信號可包括用于在顯示器上顯示圖像的信息。顯示器例如可以是有機發(fā) 光二極管顯示器、液晶顯示器或者等離子體顯示器。
[0116] 顯示器1020包括接收器1100。接收器1100可利用以上聯(lián)系圖6和圖7描述的接 收器電路100來實現(xiàn)。也就是說，接收器1100可利用具有根據(jù)本發(fā)明的實施例的失配差分 電路的比較器來實現(xiàn)以接收作為多電平信號發(fā)送的顯示數(shù)據(jù)信號。
[0117] 雖然已聯(lián)系某些示范性實施例圖示和描述了本發(fā)明的各方面，但要理解本發(fā)明不 限于所描述的實施例，而是相反，打算覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和 等同布置。
[0118] 例如，雖然本發(fā)明的一些示范性實施例是聯(lián)系PAM-4多電平數(shù)據(jù)系統(tǒng)來描述的， 但本發(fā)明的實施例不限于此。也就是說，本發(fā)明的各方面和特征可以有各種應用，例如應用 在其他脈沖幅度調(diào)制系統(tǒng)（例如PAM-5、-6、-7等等）、數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換器、峰值檢測器或者 任何其他可以使用失配差分電路的應用中。
【權(quán)利要求】
1. 一種差分放大器，包括： 包括第一晶體管的第一放大器腿；以及 包括第二晶體管的第二放大器腿， 其中，所述第一晶體管被配置為具有與所述第二晶體管的基體電勢不同的基體電勢。
2. 如權(quán)利要求1所述的差分放大器， 其中，所述差分放大器被配置為處于比較器的輸入級， 其中，所述第一放大器腿和所述第二放大器腿一起被配置為差分地放大接收到的差分 輸入信號， 其中，所述差分放大器被配置為具有輸入偏移電壓，并且 其中，所述輸入偏移電壓對應于所述第一晶體管的基體電勢與所述第二晶體管的基體 電勢之間的差異。
3. 如權(quán)利要求2所述的差分放大器， 其中，所述第一晶體管具有第一器件尺寸并且所述第二晶體管具有與所述第一器件尺 寸不同的第二器件尺寸，并且 其中，所述輸入偏移電壓還對應于所述第一器件尺寸與所述第二器件尺寸之間的差 異。
4. 如權(quán)利要求3所述的差分放大器，其中，所述第一器件尺寸對應于所述第一晶體管 的溝道寬度或長度，并且所述第二器件尺寸對應于所述第二晶體管的溝道寬度或長度。
5. 如權(quán)利要求2所述的差分放大器，還包括： 第一電流宿，被配置為吸收第一電流； 第二電流宿，被配置為吸收第二電流； 第三晶體管；以及 第四晶體管， 其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管中的每一 個包括第一端子、第二端子和柵極， 其中，所述第一晶體管的第一端子耦合到所述第四晶體管的第一端子， 其中，所述第二晶體管的第一端子耦合到所述第三晶體管的第一端子， 其中，所述第一晶體管的柵極耦合到所述第四晶體管的柵極， 其中，所述第二晶體管的柵極耦合到所述第三晶體管的柵極， 其中，所述第一晶體管的第二端子和所述第二晶體管的第二端子耦合在一起并耦合到 所述第一電流宿， 其中，所述第三晶體管的第二端子和所述第四晶體管的第二端子耦合在一起并耦合到 所述第二電流宿，并且 其中，所述輸入偏移電壓還對應于所述第一電流與所述第二電流之間的差異。
6. 如權(quán)利要求5所述的差分放大器，其中，偏移電壓能夠通過調(diào)整以下各項中的至少 一個來動態(tài)地配置：所述第一電流、所述第二電流、所述第一晶體管的基體電勢、所述第二 晶體管的基體電勢、所述第一晶體管的有效寬度或長度、或者所述第二晶體管的有效寬度 或長度。
7. 如權(quán)利要求5所述的差分放大器， 其中，所述第一晶體管和所述第三晶體管具有第一器件尺寸， 其中，所述第二晶體管和所述第四晶體管中的每一個具有與所述第一器件尺寸不同的 第二器件尺寸，并且 其中，所述輸入偏移電壓還對應于所述第一器件尺寸與所述第二器件尺寸之間的差 異。
8. 如權(quán)利要求1所述的差分放大器， 其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個是場效應晶體管并且包括基體、 柵極、漏極和源極， 其中，所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極、地或者偏置電壓源之一， 其中，所述第二晶體管的基體耦合到所述第二晶體管的源極、地或者所述偏置電壓源 之一7并且 其中，所述第一晶體管的基體的耦合方式不同于所述第二晶體管的基體以使得所述第 一晶體管的基體電勢不同于所述第二晶體管的基體電勢。
9. 如權(quán)利要求8所述的差分放大器， 其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個是P-MOS場效應晶體管， 其中，所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極，并且 其中，所述第二晶體管的基體耦合到所述偏置電壓源。
10. 如權(quán)利要求8所述的差分放大器， 其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個是N-MOS場效應晶體管， 其中，所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極，并且 其中，所述第二晶體管的基體耦合到地。
11. 如權(quán)利要求8所述的差分放大器， 其中，所述第一晶體管的基體耦合到所述偏置電壓源， 其中，所述第二晶體管的基體耦合到地，并且 其中，能夠控制所述偏置電壓源來動態(tài)地改變所述第一晶體管的基體電勢與所述第二 晶體管的基體電勢之間的差異。
12. -種多電平信號接收器，包括： 輸入端子，用于接收多電平差分信號； 數(shù)據(jù)分割器，耦合到所述輸入端子并且被配置為確定所述多電平差分信號的電壓電 平，所述數(shù)據(jù)分割器包括多個比較器；以及 解碼器，耦合到所述數(shù)據(jù)分割器的輸出并且被配置為對所述多電平差分信號的比特解 碼， 其中，每個比較器包括差分放大器，該差分放大器包括： 包括第一晶體管的第一放大器腿，以及 包括第二晶體管的第二放大器腿，所述第二晶體管被配置為具有與所述第一晶體管的 基體電勢不同的基體電勢， 其中，所述第一放大器腿和所述第二放大器腿一起被配置為差分地放大所述多電平差 分信號以生成閾值判定信號， 其中，所述差分放大器被配置為具有輸入偏移電壓，并且 其中，所述輸入偏移電壓對應于所述第一晶體管的基體電勢與所述第二晶體管的基體 電勢之間的差異， 其中，每個比較器被配置為具有與其他比較器的閾值電平不同的閾值電平， 其中，每個比較器被配置為向所述解碼器輸出其閾值判定信號以指示多電平信號是否 大于其閾值電平，并且 其中，對于每個比較器，所述閾值電平對應于所述差分放大器的輸入偏移電壓。
13. 如權(quán)利要求12所述的多電平信號接收器， 其中，所述多個比較器包括第一比較器、第二比較器和第三比較器，其中所述第一比較 器的閾值電平被設定為第一電平，所述第二比較器的閾值電平被設定為第二電平，所述第 三比較器的閾值電平被設定為第三電平， 其中，多電平信號被配置為利用四個信號電平來對兩個比特編碼，并且 其中，所述第一電平、所述第二電平和所述第三電平被分別設定來檢測所述四個信號 電平。
14. 如權(quán)利要求12所述的多電平信號接收器，其中，在至少一個比較器的差分放大器 中： 所述第一晶體管具有第一器件尺寸并且所述第二晶體管具有與所述第一器件尺寸不 同的第二器件尺寸，并且 所述輸入偏移電壓還對應于所述第一器件尺寸與所述第二器件尺寸之間的差異。
15. 如權(quán)利要求12所述的多電平信號接收器， 其中，每個比較器的差分放大器還包括： 第一電流宿，被配置為吸收第一電流； 第二電流宿，被配置為吸收第二電流； 第三晶體管；以及 第四晶體管，并且 其中，在至少一個比較器的差分放大器中： 所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管中的每一個包 括第一端子、第二端子和柵極， 所述第一晶體管的第一端子耦合到所述第四晶體管的第一端子， 所述第二晶體管的第一端子耦合到所述第三晶體管的第一端子， 所述第一晶體管的柵極耦合到所述第四晶體管的柵極， 所述第二晶體管的柵極耦合到所述第三晶體管的柵極， 所述第一晶體管的第二端子和所述第二晶體管的第二端子耦合在一起并耦合到所述 第一電流宿， 所述第三晶體管的第二端子和所述第四晶體管的第二端子耦合在一起并耦合到所述 第二電流宿，并且 所述輸入偏移電壓還對應于所述第一電流與所述第二電流之間的差異。
16. 如權(quán)利要求15所述的多電平信號接收器，其中，在至少一個比較器的差分放大器 中，所述偏移電壓能夠通過調(diào)整以下各項中的至少一個來動態(tài)地配置：所述第一電流、所述 第二電流、所述第一晶體管的基體電勢、所述第二晶體管的基體電勢、所述第一晶體管的有 效寬度或長度、或者所述第二晶體管的有效寬度或長度。
17. 如權(quán)利要求15所述的多電平信號接收器，其中，在至少一個比較器的差分放大器 中： 所述第一晶體管和所述第三晶體管中的每一個具有第一器件尺寸， 所述第二晶體管和所述第四晶體管中的每一個具有與所述第一器件尺寸不同的第二 器件尺寸，并且 所述輸入偏移電壓還對應于所述第一器件尺寸與所述第二器件尺寸之間的差異。
18. 如權(quán)利要求12所述的多電平信號接收器，其中，在至少一個比較器的差分放大器 中： 所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個是場效應晶體管并且包括基體、柵極、 漏極和源極， 所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極、地或者偏置電壓源之一， 所述第二晶體管的基體耦合到所述第二晶體管的源極、地或者所述偏置電壓源之一， 并且 所述第一晶體管的基體的耦合方式不同于所述第二晶體管的基體以使得所述第一晶 體管的基體電勢不同于所述第二晶體管的基體電勢。
19. 如權(quán)利要求18所述的多電平信號接收器，其中，在至少一個比較器的差分放大器 中： 所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個是P-MOS場效應晶體管， 所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極，并且 所述第二晶體管的基體耦合到所述偏置電壓源。
20. 如權(quán)利要求18所述的多電平信號接收器，其中，在至少一個比較器的差分放大器 中： 所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個是N-MOS場效應晶體管， 所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極，并且 所述第二晶體管的基體耦合到地。
【文檔編號】H03K5/22GK104113310SQ201410163658
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月22日
【發(fā)明者】M.赫克馬特, A.阿米爾卡尼 申請人:三星顯示有限公司