控制電路和電子系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及控制電路和電子系統(tǒng)。除其他情況之外，本實(shí)用新型討論了控制電路，例如轉(zhuǎn)換電路，所述控制電路被配置為當(dāng)?shù)谝痪w管接收的第一電壓超過(guò)所述第一晶體管或第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)，減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力。
【專利說(shuō)明】控制電路和電子系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)討論了電子電路，且更特別地討論了用于對(duì)電子電路進(jìn)行過(guò)應(yīng)力保護(hù)的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在特定應(yīng)用中，通路門用于在電子設(shè)備的兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間傳遞信號(hào)。例如，通路門可用于從電子設(shè)備(例如，便攜電子設(shè)備)向連接到該電子設(shè)備上的附屬設(shè)備傳遞信號(hào)。通路門可用于在兩個(gè)設(shè)備間傳遞模擬信號(hào)(例如，模擬音頻信號(hào))。通路門控制電路的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)影響通路門在不引入失真的情況下傳遞特定模擬信號(hào)的表現(xiàn)，以及當(dāng)該通路門被禁用時(shí)將兩個(gè)節(jié)點(diǎn)彼此隔離開的表現(xiàn)。某些模擬通路門和相應(yīng)的通路門控制單元使用高電壓工藝制作使得該通路門和控制電路能夠承受高電壓信號(hào)的接收。這樣的高壓器件和制作這樣的器件的工藝會(huì)增加使用這些器件的產(chǎn)品的成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]除其他情況之外，本實(shí)用新型討論了一種控制電路和電子系統(tǒng)，其使用低電壓控制元件來(lái)控制通路門，使得施加到所述通路門上的信號(hào)能夠超過(guò)所述低電壓控制元件的額定電壓，且該控制電路的結(jié)構(gòu)能夠避免對(duì)所述低電壓控制元件造成過(guò)電壓應(yīng)力。
[0004]除其他情況之外，本實(shí)用新型討論了電壓過(guò)應(yīng)力保護(hù)，使得低電壓元件能夠用于易受能使低電壓元件產(chǎn)生應(yīng)力的電壓的影響的電路中(例如，通路門電路的電壓轉(zhuǎn)換器)。
[0005]根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種控制電路，所述控制電路被配置為連接到模擬通路門的控制節(jié)點(diǎn)處，所述模擬通路門被配置為響應(yīng)于控制信號(hào)的第一狀態(tài)將第一節(jié)點(diǎn)隔離于第二節(jié)點(diǎn)且響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)處，所述控制電路可包括:第一晶體管，所述第一晶體管被配置為接收第一電壓且在所述第二狀態(tài)下將所述第一電壓連接到所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)處，其中，所述第一電壓參考所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓；第二晶體管，所述第二晶體管連接到所述第一晶體管和所述通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)之間，且被配置為當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)作為源極跟隨器工作，以當(dāng)所述第一電壓超過(guò)所述第一晶體管或所述第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力；第三晶體管，所述第三晶體管連接到所述第二晶體管和參考電壓之間；其中，所述第一晶體管的控制節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收第二電壓；其中，所述第三晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收所述控制信號(hào)的表示；以及其中，所述第二晶體管和所述第三晶體管被配置為在所述第一狀態(tài)下將所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到所述參考電壓上。
[0006]根據(jù)另一方面，提供了一種系統(tǒng)。所述系統(tǒng)可包括:通路門晶體管，用于響應(yīng)于控制信號(hào)的第一狀態(tài)將第一節(jié)點(diǎn)隔離于第二節(jié)點(diǎn)且響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)處；以及控制電路，被配置為接收所述控制信號(hào)，所述控制電路包括:第一晶體管，被配置為接收第一電壓且在第二狀態(tài)下將所述第一電壓連接到所述通路門晶體管的所述控制節(jié)點(diǎn)處，其中，所述第一電壓參考所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓；第二晶體管，所述第二晶體管連接到所述第一晶體管和所述通路門晶體管的所述控制節(jié)點(diǎn)之間，且被配置為當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)作為源極跟隨器工作以當(dāng)所述第一電壓超過(guò)所述第一晶體管或所述第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力；第三晶體管，連接到所述第二晶體管和參考電壓之間，其中，所述第一晶體管的控制節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收第二電壓；其中，所述第三晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收所述控制信號(hào)的表示；以及其中，所述第二晶體管和所述第三晶體管被配置為在第一狀態(tài)下將所述通路門晶體管的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到所述參考電壓上。
[0007]在某些示例中，控制電路可以包括第一晶體管，所述第一晶體管被配置為接收第一電壓且將所述第一電壓連接到處于第二狀態(tài)的模擬通路門的控制節(jié)點(diǎn)處，其中，所述第一電壓參考所述模擬通路門的第一節(jié)點(diǎn)處的電壓。所述控制電路進(jìn)一步可以包括第二晶體管，所述第二晶體管連接到所述第一晶體管和所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)處且被配置為當(dāng)控制信號(hào)處于第二狀態(tài)時(shí)作為源極跟隨器工作，以當(dāng)所述第一電壓超過(guò)所述第一或第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一和第二晶體管的電壓應(yīng)力。
[0008]在特定示例中，所述控制電路包括第三晶體管，所述第三晶體管連接到所述第二晶體管和參考電壓上。所述第一晶體管的控制節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)可被配置為接收第二電壓。所述第三晶體管的控制節(jié)點(diǎn)可被配置為接收所述控制信號(hào)的表示。所述第二晶體管和所述第三晶體管可被配置為處于第一狀態(tài)時(shí)將所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到所述參考電壓上。
[0009]本實(shí)用新型的控制電路和電子系統(tǒng)使用低電壓控制元件來(lái)控制通路門(如，模擬通路門)，使得施加到所述通路門上的信號(hào)能夠超過(guò)所述低電壓控制元件的額定電壓，且該控制電路的結(jié)構(gòu)能夠避免對(duì)所述低電壓控制元件造成過(guò)電壓應(yīng)力。
[0010]此概述意在提供本專利申請(qǐng)主題的概述。并不旨在提供本實(shí)用新型專用的或全面的說(shuō)明?！揪唧w實(shí)施方式】的包含用于提供有關(guān)本專利申請(qǐng)的更多信息。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]在附圖(其不一定按比例繪制)中，相同的附圖標(biāo)記可在不同的視圖中描述相似的部件。具有不同字母后綴的相似附圖標(biāo)記可表示同類部件的不同例子。附圖以示例而非限制的方式大體示出了本文中所論述的各個(gè)示例。
[0012]圖1大體示出了包含一個(gè)示例轉(zhuǎn)換器的通路門系統(tǒng)；
[0013]圖2A和2B大體示出了包含一個(gè)控制NMOS通路門的示例轉(zhuǎn)換器的通路門系統(tǒng)的簡(jiǎn)化的電路圖；
[0014]圖3大體示出了一個(gè)示例轉(zhuǎn)換器；
[0015]圖4大體示出了一個(gè)示例兩級(jí)電荷泵，該兩級(jí)電荷泵包括用以避免示例轉(zhuǎn)換器輸出組件的過(guò)電壓應(yīng)力的電路系統(tǒng)。
【具體實(shí)施方式】
[0016]本
【發(fā)明者】認(rèn)識(shí)到高電壓轉(zhuǎn)換器的裝置和方法，該高電壓轉(zhuǎn)換器使用低電壓控制元件來(lái)控制通路門(如，模擬通路門)，使得施加到所述通路門上的信號(hào)能夠超過(guò)所述低電壓控制元件的額定電壓，且該控制電路的結(jié)構(gòu)能夠避免對(duì)所述低電壓控制元件造成過(guò)電壓應(yīng)力。在特定示例中，這樣的高壓轉(zhuǎn)換器能夠用于音頻選擇開關(guān)(包括恒定柵源電壓(Ves)的音頻選擇開關(guān))，且能夠得到比使用高電壓元件的選擇開關(guān)具有更小的電容量和更高的帶寬的更小的開關(guān)。
[0017]圖1大體示出了通路門系統(tǒng)100，所述通路門系統(tǒng)100包括通路門101和示例轉(zhuǎn)換的102。在特定示例中，所述通路門101可包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效型晶體管(M0SFET)。通路門101的工作能夠響應(yīng)于在所述通路門101的控制節(jié)點(diǎn)(例如，MOSFET的柵極節(jié)點(diǎn))處接收到的信號(hào)。
[0018]在第一工作狀態(tài)，所述通路門101能夠?qū)⒌谝还?jié)點(diǎn)(A)隔離于第二節(jié)點(diǎn)(B)。在第二狀態(tài)，所述通路門101能夠提供低阻抗通路以將所述第一節(jié)點(diǎn)(A)與所述第二節(jié)點(diǎn)(B)進(jìn)行連接。在某些包括晶體管通路門的示例中，所述通路門101的工作可取決于所述節(jié)點(diǎn)(A，B)中的一個(gè)與所述通路門101的所述控制節(jié)點(diǎn)之間的電壓。
[0019]在特定示例中，所述轉(zhuǎn)換器102能夠控制所述通路門101的所述控制節(jié)點(diǎn)處的電壓，以當(dāng)所述第一或第二節(jié)點(diǎn)(A，B)中的至少一個(gè)的信號(hào)明顯變化時(shí)仍保持所述通路門101的狀態(tài)。在特定示例中，所述轉(zhuǎn)換器102能夠接收第一電源電壓(VlimX第二電源導(dǎo)軌(或參考電位)(N_)，以及命令輸入端(例如，通路門使能輸入端(ENABLE))。所述轉(zhuǎn)換器102能夠向所述通路門101的所述控制節(jié)點(diǎn)提供所述通路門使能輸入端(ENABLE)的信號(hào)表示，以使所述通路門101能夠響應(yīng)于所述信號(hào)的狀態(tài)。
[0020]在特定示例中，所述第一電源電壓(VKm)表示可提供給所述轉(zhuǎn)換器102的最高電壓，且所述第二電源導(dǎo)軌(NKm)表示可提供給所述轉(zhuǎn)換器102的最低電壓。在某些示例中，所述第一電源導(dǎo)軌(VkaiJ可連接到一電源電壓上，且所述第二電源導(dǎo)軌(NkaiJ可接地。
[0021]在特定示例中，所述轉(zhuǎn)換器102可包括電源104和輸出電路106，所述電源104能夠?qū)⑺鐾烽T101的所述控制節(jié)點(diǎn)保持在合適的電壓電平上，所述輸出電路106用于驅(qū)動(dòng)所述通路門101的所述控制節(jié)點(diǎn)。在特定示例中，所述轉(zhuǎn)換器102的所述電源104可包括能夠提供第一電壓(Vep)的第一電源和能夠提供第二電壓(Vav2)的第二電源。在特定示例中，所述電源104可包括能夠提供所述第一電壓(Vcp)的電荷泵和能夠提供所述第二電壓(Vav2)的另一電源。在某些示例中，所述電源104可包括能夠提供所述第一電壓(Vcp)和所述第二電壓(Vav2)的兩級(jí)電荷泵。在特定示例中，所述電源104或其一部分，能夠從所述轉(zhuǎn)換器102中分離出來(lái)。
[0022]在特定示例中，所述轉(zhuǎn)換器102可包括輸出電路106，所述輸出電路106被配置為接收第一電壓(Vct)和第二電壓(Vav2)15所述輸出電路106能夠響應(yīng)于所述通路門使能輸入端(ENABLE)的狀態(tài)且在使能輸入端(ENABLE)的信號(hào)狀態(tài)所選擇的狀態(tài)下，在足夠的電壓下驅(qū)動(dòng)所述通路門101的所述控制節(jié)點(diǎn)以使所述通路門101工作。
[0023]在特定示例中，所述輸出電路106可包括具有給定額定電壓(如，5伏的額定電壓)的電路元件，意味著超過(guò)所述給定額定電壓的電壓能夠引起所述元件的電壓應(yīng)力。在特定的額定系統(tǒng)中，在超過(guò)元件的給定額定電壓下使用該元件能夠減少所述元件的工作壽命。將元件的工作擴(kuò)展到高于該元件的額定電壓的電壓下，在特定示例中，能夠嚴(yán)重妨礙所述元件的預(yù)想工作。[0024]在特定示例中，所述轉(zhuǎn)換器102能夠引入偏移于所述通路門101的第一或第二節(jié)點(diǎn)(A，B)處接收到的電壓的電壓。在特定示例中，這樣的電壓可出現(xiàn)在所述通路門101的所述控制節(jié)點(diǎn)處且能夠連接到所述電源104和所述輸出電路106的元件上。這些電壓能夠高于許多普通的低成本電路元件的額定電壓，所述普通的低成本電路元件包括所述電源104和所述輸出電路106的低成本電路元件。
[0025]圖2A和圖2B大體示出了通路門系統(tǒng)200的簡(jiǎn)化的電路圖，所述通路門系統(tǒng)200包括示例轉(zhuǎn)換器202，所述轉(zhuǎn)換器202響應(yīng)于通路門使能輸入端(ENABLE)的狀態(tài)以控制NMOS通路門晶體管201處于低阻抗?fàn)顟B(tài)(或者說(shuō)“導(dǎo)通”狀態(tài)，如圖2A)和高阻抗?fàn)顟B(tài)(或者說(shuō)“斷開”狀態(tài)，如圖2B)。所述通路門系統(tǒng)200可包括通路門晶體管201和轉(zhuǎn)換器202。在特定示例中，所述轉(zhuǎn)換器202可包括輸出電路206，所述輸出電路206包括具有低于期望施加到所述轉(zhuǎn)換器102上的電壓的額定電壓的元件。
[0026]圖2A大體示出了包括示例轉(zhuǎn)換器202的通路門系統(tǒng)200的簡(jiǎn)化的電路。所述轉(zhuǎn)換器202能夠在所述通路門使能輸入端(ENABLE)處接受高電平狀態(tài)的信號(hào)。所述通路門使能輸入端(ENABLE)可以連接到電源204 (如，電荷泵)上以便當(dāng)所述信號(hào)的狀態(tài)為高電平時(shí)，啟動(dòng)所述電源204。在特定示例中，與所述通路門使能輸入端(ENABLE)接收到的信號(hào)不同的信號(hào)，能夠用于啟動(dòng)和禁用所述電源204。所述通路門使能輸入端(ENABLE)的高電平信號(hào)能夠通過(guò)使用第一和第二開關(guān)208、209將所述電源204的公共節(jié)點(diǎn)連接到所述通路門系統(tǒng)200的所述第一和第二節(jié)點(diǎn)(A、B)中的至少一個(gè)處。在特定示例中，所述通路門晶體管201的主體能夠通過(guò)第一和第二開關(guān)208、209連接到所述電源204的公共節(jié)點(diǎn)和所述通路門系統(tǒng)200的第一和第二節(jié)點(diǎn)(A、B)處。所述通路門系統(tǒng)200在低阻抗?fàn)顟B(tài)下的如此配置能夠允許所述電源204的輸出端提供第一電壓(VCP)，所述第一電壓(Vcp)跟隨且偏移于所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)(A、B)處的電壓。在一個(gè)示例中，第三開關(guān)210能夠?qū)⑺鲭娫?04的所述主體隔離于地或第二電源導(dǎo)軌(未示出)。
[0027]在特定 示例中，所述輸出電路206可包括反相器212和第一分流電路214。所述反相器響應(yīng)于所述通路門使能輸入端(ENABLE)處的信號(hào)狀態(tài)對(duì)第一分流電路進(jìn)行控制。所述第一分流電路214可包括第一晶體管218、第二晶體管219和第三晶體管220，且所述第一分流電路214被配置為控制所述通路門晶體管201的所述控制節(jié)點(diǎn)處的電壓電平。
[0028]在特定示例中，所述輸出電路206可包括第二分流電路216。所述第二分流電路可包括第四晶體管221和第五晶體管222。在特定示例中，當(dāng)所述通路門系統(tǒng)200處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，所述第二分流電路216能夠?qū)⑺鲭娫?04的輸出接地。另外，所述第二和第四晶體管219、221的配置可允許所述通路門系統(tǒng)200傳遞信號(hào)，所述信號(hào)能夠在輸出電路元件上不產(chǎn)生過(guò)電壓應(yīng)力的情況下引起超過(guò)輸出電路元件的額定電壓的電壓。
[0029]例如，參照?qǐng)D2A，隨著所述通路門使能輸入端(ENABLE)接收高電平狀態(tài)的信號(hào)，電源204能夠被啟動(dòng)且提供第一電壓(Vcp)和第二電壓(Vcp72 )。在某些示例中，所述電源204可包括兩級(jí)電荷泵以使得所述第二電壓(Vav2)由所述兩級(jí)電荷泵的第一級(jí)提供且為所述第一電壓(Vct)的大約一半。在特定示例中，所述第一電壓(Vav2)能夠由所述兩級(jí)電荷泵的所述第二級(jí)提供。作為給定電壓(Va^Vav2)的結(jié)果，所述第一晶體管218 (PM0S晶體管)能夠接收所述第二電壓(Vav2)且能夠處于低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，所述第一晶體管218能夠?qū)⑺鐾烽T晶體管201的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到所述第一電壓(Vcp)上。由于所述第一電壓(Vcp)能夠以一預(yù)定的偏移量跟隨所述通路門系統(tǒng)200的所述第一或第二節(jié)點(diǎn)(A、B)處的信號(hào)，所述通路門晶體管201的柵源電壓(Ves)能夠大致恒定，這就使得所述通路門晶體管201能夠引入稍許失真甚至不引入失真。在特定示例中，所述電源204的相同連接能夠?qū)е滤鲭娫?04的輸出端處的所述第一電壓(Vcp)超過(guò)所述輸出電路206的所述晶體管218、219、220、221、222的額定電壓。如上簡(jiǎn)述，所述第二和第四晶體管219、221能夠作用以消除或減少所述輸出電路206的所述晶體管220、222的過(guò)電壓應(yīng)力。通過(guò)限制所述第一晶體管218的所述柵源電壓，用所述第一電壓(Vav2)對(duì)所述第一晶體管218進(jìn)行偏置提供所述第一晶體管218的自應(yīng)力保護(hù)。
[0030]為說(shuō)明所述通路門系統(tǒng)200的應(yīng)力保護(hù)，考慮以下非限制示例。所述輸出電路元件的額定電壓為5伏。在所述第一節(jié)點(diǎn)(A)處的信號(hào)包括具有3伏的峰峰電壓和1.5伏的偏移的正弦信號(hào)。所述電源204被配置為提供比所述公共電源(COMps)高4伏的第一電壓(Vcp)和比所述公共電荷泵(COMps)高2伏左右的第二電壓(VCP/2)。當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)(A)處的所述信號(hào)達(dá)到最大值時(shí)，所述電源204的輸出相對(duì)于地約為7伏。隨著所述通路門晶體管201處于低阻抗?fàn)顟B(tài)，所述通路門晶體管201的所述控制節(jié)點(diǎn)經(jīng)由所述第一晶體管218后大約為7伏。由于所述通路門使能輸入端(ENABLE)處于高邏輯電平，所述第三和第五晶體管220、222的所述控制節(jié)點(diǎn)為低電平且因此所述第三和第五晶體管220、222處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。所述第二和第四晶體管219、221能夠接收所述第二電壓(Vav2)且處于源極跟隨器狀態(tài)以使得通過(guò)所述第三晶體管和所述第五晶體管220、222的電壓約為所述第二電壓(VCP/2)，或者更具體地，約為所述第二電壓(VCP/2)減去晶體管閾值電壓。因此，在本例中，通過(guò)所述第二和第四晶體管219、221的電壓可被限制在2伏左右且通過(guò)所述第三和第五晶體管220、222的電壓被限制在5伏左右。在某些示例中，所述第二和第四晶體管219、221能夠限制所述第三和第五晶體管220，、222的漏源電壓(Vds)以使得所述輸出電路206的所述晶體管
218、219、220、221、222能夠提供期望的功能且在高電壓下工作，避免過(guò)電壓應(yīng)力。另外，所述輸出電路206的所述晶體管218、219、220、221、222可為低壓晶體管，與高壓裝置相比，所述低壓晶體管價(jià)格更低且使用的制造資源較少。
[0031]圖2B大體示出了所述通路門系統(tǒng)200的簡(jiǎn)化的電路圖，當(dāng)所述通路門晶體管201轉(zhuǎn)換至或處于低阻抗?fàn)顟B(tài)，所述通路門系統(tǒng)200包括一個(gè)示例轉(zhuǎn)換器202。所述轉(zhuǎn)換器202能夠接收所述通路門使能輸入端(ENABLE)的低電平狀態(tài)的信號(hào)。所述通路門的使能輸入端(ENABLE)可連接到所述電源204上以使得當(dāng)所述通路門使能輸入端(ENABLE)的狀態(tài)為低電平時(shí)，禁用電源204。所述通路門使能輸入端(ENABLE)的低電平信號(hào)能夠通過(guò)所述第一和第二開關(guān)208、209將所述電源204的公共節(jié)點(diǎn)(COMps)隔離于所述通路門系統(tǒng)200的第一和第二節(jié)點(diǎn)(A、B)。
[0032]在特定示例中，所述輸出電路206包括第一分流電路214。所述第一分流電路包括第一晶體管218、第二晶體管219和第三晶體管220且能夠控制所述通路門晶體管201的所述控制節(jié)點(diǎn)處的電壓電平。在特定示例中，所述輸出電路206包括第二分流電路216。所述第二分流電路216包括第四晶體管221和第五晶體管222。當(dāng)所述通路門系統(tǒng)200處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，所述第二分流電路216能夠?qū)⑺鲭妷?04的所述輸出接地。另外，所述第二和第四晶體管219、221被配置為為允許所述通路門系統(tǒng)200傳遞信號(hào)，所述信號(hào)能夠在輸出電路元件上不產(chǎn)生過(guò)電壓應(yīng)力的情況下引起超過(guò)輸出電路元件的額定電壓的電壓。[0033]例如，隨著所述通路門使能輸入端(ENABLE)接收高電平狀態(tài)的信號(hào)，所述電源204能夠被啟動(dòng)且提供第一電壓(Vcp)和第二電壓(VCP/2)。在某些示例中，所述電源204包括兩級(jí)電荷泵使得所述第二電壓(Vav2)由所述兩級(jí)電荷泵的第一級(jí)提供且為所述第一電壓(Vct)的大約一半。所述第一電壓(Vct)能夠由所述兩級(jí)電荷泵的所述第二級(jí)提供。當(dāng)接收所述通路門使能輸入端(ENABLE)的低電平狀態(tài)信號(hào)時(shí)，所述電源204能夠被禁用。在特定示例中，當(dāng)所述電源被禁用時(shí)，所述電源204的所述第一級(jí)可隔離于所述第二級(jí)。由于所述第一電壓(Vct)以一預(yù)定的偏移值跟隨所述通路門晶體管201的所述第一和第二節(jié)點(diǎn)(A、B)處的信號(hào)，所述電源204的輸出端的電壓能夠超過(guò)所述輸出電路206的所述晶體管218、
219、220、221、222 的額定電壓。
[0034]如上所述，所述轉(zhuǎn)換器202的所述輸出電路206的所述第二和第四晶體管219、221作用以消除或減少所述輸出電路206的所述晶體管218、219、220、221、222的過(guò)電壓應(yīng)力。當(dāng)所述通路門晶體管201被禁用時(shí)，所述通路門晶體管201的所述控制節(jié)點(diǎn)可通過(guò)所述輸出電路206的所述第二和第三晶體管219、220被下拉到地。提供所述第一電壓(Vcp)的電源輸出端可使用所述輸出電路206的所述第四和第五晶體管221、222被下拉到地。由于所述第一電壓(Vct)被拉低，第六晶體管223能夠?qū)⑺龅诙妷?Vav2)連接到所述通路門系統(tǒng)200的第一電源導(dǎo)軌(VeaiJ上。在特定示例中，當(dāng)所述通路門晶體管201被禁用時(shí)，所述第三開關(guān)210能夠?qū)⑺鐾烽T晶體管201的主體部分接地。在特定示例中，地電位可為低電壓鑒別器的輸出。所述低電壓鑒別器能夠接收接地電位和所述第一和第二節(jié)點(diǎn)(A，B)處的一個(gè)或多個(gè)電壓且能夠?qū)⒆畹碗娢贿B接到所述低電壓鑒別器的輸出端。在特定示例中，所述第六晶體管223可為兩級(jí)電荷泵的一部分。在某些示例中，包括所述兩級(jí)電荷泵的所述電源204可隔離于所述轉(zhuǎn)換器202。在某些示例中，所述第二分流電路216可為所述電源204的一部分。
[0035]圖3大體示出了一個(gè)示例轉(zhuǎn)換器302的一部分，所述轉(zhuǎn)換器302包括第一、第二和第三反相器325、326、312，轉(zhuǎn)換器網(wǎng)絡(luò)328，以及輸出電路306。在特定示例中，所述反相器302可接收第一電源導(dǎo)軌(Vka1L)、第二電源導(dǎo)軌(Nea1L)、第一電壓(vCP)、第二電壓(VCP/2)和地(GND)0所述反相器302能夠提供兩個(gè)輸出端(OUT、GATE DRV)。第一輸出端(OUT)具有接近所述第一電源導(dǎo)軌上的電壓的高電平邏輯狀態(tài)和接近所述第二電源導(dǎo)軌(NKm)的低電平邏輯狀態(tài)。第二輸出端(GATE DRV)具有接近第一電壓(Vcp)的高電平邏輯狀態(tài)和接近所述第二電源導(dǎo)軌(NKm)處的電壓的低電平邏輯狀態(tài)。
[0036]在特定示例中，所述輸出電路306包括第一晶體管318、第二晶體管319和第三晶體管320。當(dāng)所述使能輸入端(ENABLE、EMSLE)處于第一狀態(tài)時(shí)，所述晶體管319、320允許所述第二輸出(GATE DRV)跟隨所述第一電壓(Vcp)的電壓。在一個(gè)示例中，所述第一晶體管318和所述第二晶體管319的所述控制節(jié)點(diǎn)能夠接收所述第二電壓(VCT/2)。在某些示例中，通過(guò)一電壓源提供所述第二電壓(Vcp72)，所述電壓源獨(dú)立于能夠提供所述第一電壓(Vcp)的電壓源。在特定示例中，使用能夠提供所述第一電壓(Vct )的電源提供所述第二電壓(Vcp72 )。在特定示例中，在第一狀態(tài)，所述第二電壓(Vav2)相比于所述第一電壓(Vct)低了一預(yù)定值。因此，所述第二輸出(GATE DRV)能夠通過(guò)所述第一晶體管318被拉至所述第一電壓(VCP)。
[0037]所述第二晶體管319在所述第一狀態(tài)下可作為源極跟隨器工作且所述第三晶體管320可處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。在特定示例中，所述第一電壓(Vct)能夠超過(guò)在所述第一狀態(tài)的所述輸出電路306的晶體管318、319、320中的每一個(gè)的額定電壓。然而，由于所述第二晶體管319可作為源極跟隨器工作，所述第一電壓(Vcp)能夠超過(guò)所述輸出電路306的所述晶體管318、319、320的額定電壓且不引起過(guò)電壓應(yīng)力。通過(guò)將所述第二晶體管319和所述第三晶體管320之間的節(jié)點(diǎn)保持在低于所述第二電壓(Vav2)的電壓水平，所述第二晶體管319能夠避免所述輸出電路306的所述晶體管318、319、320受到過(guò)電壓應(yīng)力。在特定示例中，低于所述第二電壓(Vav2)的電壓值可接近于所述第二晶體管319的閾值電壓?？梢栽诘谝粻顟B(tài)下選擇第二電壓(Vav2)以保持所述第一晶體管318處于低阻抗?fàn)顟B(tài)，且當(dāng)所述第一電壓高于每個(gè)晶體管額定電壓時(shí)，將通過(guò)所述輸出電路306的所述晶體管318、319、320中的每一個(gè)的電壓保持在它們各自的額定電壓內(nèi)。
[0038]當(dāng)所述互補(bǔ)使能輸入端(ENABLE、ENABLE)的信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c禁用所述通路門晶體管相關(guān)聯(lián)的第二狀態(tài)時(shí)，所述第二和第三晶體管319、320能夠?qū)⑺龅诙敵?GATE DRV)拉至所述第二電源導(dǎo)軌(N_)。在特定環(huán)境下，當(dāng)所述互補(bǔ)使能輸入端(ENABLE、ENABLE)轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙顟B(tài)時(shí)，所述第二輸出(GATE DRV)可處于高于所述第二和所述第三晶體管319、320的額定電壓的電壓電平。然而，當(dāng)所述第三晶體管320從高阻抗?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥杩範(fàn)顟B(tài)時(shí)，所述第二輸出端(GATE DRV)的電壓可被所述第二和第三晶體管319，320分壓以避免所述第二或第三晶體管319、320上的過(guò)電壓應(yīng)力。正如以下關(guān)于圖4討論的，在第二狀態(tài)下通過(guò)禁用所述電源提供所述第一電壓(VCP)，能夠避免所述第一晶體管318的過(guò)電壓應(yīng)力。
[0039]在所述第二狀態(tài)(禁用狀態(tài))，所述第一電壓(Vct)可為O伏且所述第二電壓(Vav2)可為所述第一電源導(dǎo)軌(VkaiJ處的電壓。在所述第二狀態(tài)，所述晶體管318具有能夠使所述第一晶體管318 “截止”的正的柵源電壓。由于所述第一電源導(dǎo)軌(VKm)被施加到所述第二晶體管319的柵極上，所述第二晶體管319可處于“導(dǎo)通”狀態(tài)且由于所述第三晶體管320被偏置，所述第二晶體管319的漏極能夠接地。因此，在所述第二狀態(tài)下，所述第一、二和第三晶體管318、319、320可具有正的柵源電壓以使得所述第一晶體管318處于“截止”狀態(tài)且所述第二和第三晶體管319、320處于“導(dǎo)通”狀態(tài)。當(dāng)所述第一電壓為O伏時(shí)，所述電路中沒(méi)有過(guò)度應(yīng)力且所述第二輸出(GATE_DRV)可為低電平。
[0040]包括所述第一，第二，和第三晶體管318、319、320的所述轉(zhuǎn)換器輸出部分306在涉及通路門控制的環(huán)境中說(shuō)明，然而，顯而易見的是在其他的轉(zhuǎn)換器環(huán)境下能夠?qū)崿F(xiàn)所述輸出部分306提供的應(yīng)力保護(hù)且所述輸出部分306提供的應(yīng)力保護(hù)并不意在限制通路門控制的應(yīng)用。
[0041]圖4大體示出了兩級(jí)電荷泵404的一個(gè)示例，所述兩級(jí)電荷泵404包括用以避免示例轉(zhuǎn)換器輸出元件和示例電荷泵輸出元件的過(guò)電壓應(yīng)力的電路系統(tǒng)。在特定示例中，所述電荷泵404包括由互補(bǔ)時(shí)鐘輸入(CLOCK、CLOCK)驅(qū)動(dòng)的第一級(jí)431和第二級(jí)432。在一示例中，所述第一級(jí)431能夠提供所述第二電壓(Vav2)且級(jí)聯(lián)到所述第一級(jí)431的所述第二級(jí)432能夠提供所述第一電壓(VCP)。在特定示例中，當(dāng)參考所述電荷泵的公共節(jié)點(diǎn)(COM)時(shí)，所述第二電壓(VCP/2)為所述第一電壓(Vcp)的大約一半。
[0042]當(dāng)用于通路門系統(tǒng)(如圖2A和2B所述的系統(tǒng))并且所述通路門被啟動(dòng)并處于低阻抗?fàn)顟B(tài)下時(shí)，所述電荷泵404的所述第一和第二級(jí)431、432可通過(guò)第一和第二電荷泵開關(guān)434,435的低阻抗?fàn)顟B(tài)連接到一起。在特定示例中，所述第一和第二電荷泵開關(guān)434、435包括所示的晶體管(例如，PMOS晶體管)。然而，在不背離本實(shí)用新型主題的范圍的條件下，其他的開關(guān)也是合理的。
[0043]當(dāng)所述電荷泵404被禁用時(shí)(例如，當(dāng)所述通路門被禁用時(shí))，使用電荷泵輸出元件(例如，電荷泵輸出晶體管421、422)可將配置為提供所述第一電壓(Vcp)的所述電荷泵輸出端拉至地電平。正如以上參照?qǐng)D2A所述，當(dāng)所述通路門被啟動(dòng)并處于低阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，所述電荷泵404的公共節(jié)點(diǎn)(COM)可連接到所述通路門的節(jié)點(diǎn)(A、B)的其中一個(gè)上。如此，所述第一電壓(Vcp)可處于超過(guò)所述電荷泵輸出晶體管421、422的額定電壓的電壓電平上。所述電荷泵404包括第一電荷泵輸出晶體管421和第二輸出晶體管422,所述第一電荷泵輸出晶體管421和所述第二輸出晶體管422被設(shè)置為即使所述晶體管具有低于所述第一電壓(Vcp)的可能電平的額定電壓，也要控制所述第一電壓(Vcp)的電平且避免每個(gè)晶體管的過(guò)電壓應(yīng)力。
[0044]在特定示例中，當(dāng)所述電荷泵404被啟動(dòng)時(shí),所述第一電荷泵輸出晶體管421的所述控制節(jié)點(diǎn)能夠沿著所述通路門接收所述第二電壓(Vav2)且作為源極跟隨器工作。因此，通過(guò)所述第二電荷泵輸出晶體管422的電壓(如，所述柵源電壓(Vds))可隨著所述第二電壓(Vav2)變化。在特定示例中，所述第二電壓(Vav2)可隨著所述通路門節(jié)點(diǎn)處的電壓與所述電荷泵的所述第一級(jí)提供的電壓之和而變化。在某些示例中，所述第二電壓(Vav2)可相對(duì)于地面(GND)固定。對(duì)于兩級(jí)電荷泵，可選擇所述第一級(jí)提供的電壓以在不使用高壓電荷泵晶體管的情況下保持在所述電荷泵輸出晶體管421、422的額定電壓內(nèi)。
[0045]在特定示例中，當(dāng)所述電荷泵404被禁用時(shí)，可使用所述第一和第二電荷泵開關(guān)434、435將所述電荷泵404的第一級(jí)輸出電容(CeP/2)隔離于電荷泵電路的其余部分。另外，所述電荷泵404的公共節(jié)點(diǎn)(COM)可接地(例如，使用由所述轉(zhuǎn)換器的輸出或者所述通路門系統(tǒng)的使能輸入或者其中的代表性信號(hào)進(jìn)行控制的開關(guān))。
[0046]在一個(gè)示例中，所述第一電荷泵輸出晶體管421的所述控制節(jié)點(diǎn)能夠繼續(xù)從所述電荷泵404的所述第一級(jí)接收所述電壓(VeP/2)。在特定示例中，利用使能輸入端(ENABLE)處的信號(hào)能夠?qū)⑺龅诙姾杀幂敵鼍w管422驅(qū)動(dòng)到低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，所述第一電壓(Vcp)下降至地電平(GND)且可被所述第一和第二電荷泵輸出晶體管421、422分壓以避免潛在過(guò)電壓應(yīng)力。當(dāng)所述第一電壓(Vcp)下降至地電平(GND)時(shí)，第三電荷泵開關(guān)437能夠?qū)⑺鲭姾杀?04的所述第一節(jié)點(diǎn)431的分離的輸出端連接到所述第一電源導(dǎo)軌(VKm)上。在特定示例中，通過(guò)在所述第一階段電容(Ccp72 )上保留一些電荷，將所述電荷泵404的所述第一級(jí)連接到所述第一電源導(dǎo)軌(VeaiJ上能夠減少所述電荷泵404的后續(xù)起始且節(jié)省能量。
[0047]在特定示例中，所述電荷泵404的公共節(jié)點(diǎn)(COM)能夠連接至所述通路門晶體管的阱上。在某些示例中，所述電荷泵的所述第一級(jí)的公共節(jié)點(diǎn)(COMav2)可選地連接至所述電荷泵的所述公共節(jié)點(diǎn)(COM)。在某些示例中，所述電荷泵的所述第一級(jí)的所述公共節(jié)點(diǎn)(COMav2)可選地連接到所述通路門電路的固定電源上。在特定示例中，可使用連接到系統(tǒng)電源上的分壓器提供所述第二電壓，所述系統(tǒng)電源獨(dú)立于所述通路門的節(jié)點(diǎn)處的電壓。利用晶體管開關(guān)可以控制所述分壓器。
[0048]附加注釋
[0049]在示例I中，控制電路可被配置為連接到模擬通路門的控制節(jié)點(diǎn)處，所述模擬通路門被配置為響應(yīng)于控制信號(hào)的第一狀態(tài)將第一節(jié)點(diǎn)隔離于第二節(jié)點(diǎn)且響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)處?？刂齐娐钒ǖ谝痪w管，第二晶體管和第三晶體管，所述第一晶體管被配置為接收第一電壓且在所述第二狀態(tài)下將所述第一電壓連接到所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)處，其中，所述第一電壓參考所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓，所述第二晶體管連接到所述第一晶體管和所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)之間，且被配置為當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)，作為源極跟隨器工作以當(dāng)所述第一電壓超過(guò)所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力，所述第三晶體管連接到所述第二晶體管和參考電壓上。所述第一晶體管的控制節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)可被配置為接收第二電壓。所述第三晶體管的控制節(jié)點(diǎn)可被配置為接收所述控制信號(hào)的表示，以及所述第二晶體管和所述第三晶體管被配置在所述第一狀態(tài)下為將所述模擬通路門的控制節(jié)點(diǎn)連接到所述參考電壓上。
[0050]在示例2中，示例I中的所述第一電壓可選地被配置為跟隨所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓且在所述第二狀態(tài)期間以一預(yù)定電壓值偏移于所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓。
[0051]在示例3中，示例1-2中的任一個(gè)或多個(gè)所述控制電路可選地包括被配置為提供所述預(yù)定電壓的電荷泵。
[0052]在示例4中，示例1-3中的任一個(gè)或多個(gè)所述的電荷泵可選地被配置為提供所述第二電壓的至少一部分。
[0053]在示例5中，示例1-4中的任一個(gè)或多個(gè)所述的第二電壓可選地以所述預(yù)定電壓的大約一半偏移于所述第一電壓。
[0054]在示例6中，示例1-5中的任一個(gè)或多個(gè)所述的控制電路可選地包括連接到所述第一節(jié)點(diǎn)處的所述電荷泵，所述電荷泵被配置為提供所述第一電壓的至少一部分。
[0055]在示例7中，示例1-6中的任一個(gè)或多個(gè)所述控制電路可選地包括被配置為提供所述第二電壓的電壓源。
[0056]在示例8中，示例1-7中的任一個(gè)或多個(gè)所述控制電路可選地包括分壓器和晶體管，所述分壓器和所述晶體管被配置為提供與所述第一節(jié)點(diǎn)或所述第二節(jié)點(diǎn)處的電壓無(wú)關(guān)的所述第二電壓。
[0057]在示例9中，示例1-8中的任一個(gè)或多個(gè)所述的電荷泵可選地包括第一級(jí)和第二級(jí)，所述第一級(jí)被配置為提供所述第二電壓，所述第二級(jí)被配置為提供所述第一電壓的至少一部分。
[0058]在示例10中，示例1-9中的任一個(gè)或多個(gè)所述的電荷泵可選地包括連接到所述第二級(jí)的輸出端處的第一晶體管和連接到所述第一晶體管和地之間的第二晶體管，其中，所述電荷泵的所述第一晶體管和所述第二晶體管被配置為在所述第一狀態(tài)期間將所述第二級(jí)的所述輸出拉到地電平。
[0059]在示例11中，示例1-10中的任一個(gè)或多個(gè)所述的電荷泵可選地包括第三和第四晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管被配置為在所述第一狀態(tài)期間將所述第一級(jí)的輸出端隔離于所述第二級(jí)。
[0060]在示例12中，示例1-11中的任一個(gè)或多個(gè)所述的電荷泵可選地包括第五晶體管，所述第五晶體管具有連接到所述第二級(jí)的所述輸出端處的控制節(jié)點(diǎn)，其中，所述第五晶體管被配置為將所述第一級(jí)的所述輸出端連接到所述控制電路的電源導(dǎo)軌上。[0061]在示例13中，一種用于控制模擬通路門的方法，所述模擬通路門被配置為響應(yīng)于控制信號(hào)的第一狀態(tài)將第一節(jié)點(diǎn)隔離于第二節(jié)點(diǎn)且響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)處，所述方法包括響應(yīng)于所述控制信號(hào)的所述第二狀態(tài)，使用第一晶體管將第一電壓連接到所述模擬通路門的控制節(jié)點(diǎn)處，所述第一電壓以一預(yù)定電壓值偏移于所述第一節(jié)點(diǎn)的電壓，當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)，將第二晶體管作為源極跟隨器以當(dāng)所述第一電壓超出所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力，當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)在所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)處接收的第二電壓，在第三晶體管上接收所述控制信號(hào)的表示，且當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第一狀態(tài)時(shí)通過(guò)使用所述第二晶體管和所述第三晶體管，將所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到參考電壓上。
[0062]在示例14中，示例1-13中任一個(gè)或多個(gè)中的接收所述第一電壓可選地包括計(jì)算第一預(yù)定電壓和所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓之和以提供所述第一電壓。
[0063]在示例15中，示例1-14中的任一個(gè)或多個(gè)中的接收所述第二電壓可選地包括計(jì)算第二預(yù)定電壓和所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓之和以提供所述第二電壓。
[0064]在示例16中，示例1-15中任一個(gè)或多個(gè)所述的第二預(yù)定電壓可選地為所述第一預(yù)定電壓的大約一半。
[0065]在示例17中，示例1-16中的任一個(gè)或多個(gè)所述的方法可選地包括使用電荷泵的第一級(jí)提供所述第二預(yù)定電壓，且使用所述電荷泵的第二級(jí)提供所述第一預(yù)定電壓。
[0066]在示例18中,將所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到示例1-17中的任一個(gè)或多個(gè)所述的參考電壓上可選地包括使用第三晶體管和第四晶體管將所述電荷泵的所述第一級(jí)隔離于所述電荷泵的所述第二級(jí)，在第五晶體管的控制節(jié)點(diǎn)處接收所述第一電壓，使用所述第五晶體管和第六晶體管將所述電荷泵的第二級(jí)的輸出端連接到所述參考電壓上，所述電荷泵的所述第二級(jí)的所述輸出端被配置為提供所述第一電壓，且在所述控制信號(hào)處于第一狀態(tài)期間，使用第七晶體管將所述電荷泵的所述第一級(jí)的輸出端連接到所述控制電路的電源導(dǎo)軌上，所述第七晶體管的控制柵連接到所述電荷泵的所述第一級(jí)的所述輸出端處。
[0067]在示例19中，示例1-18中的任一個(gè)或多個(gè)中的接收所述第二電壓可選地包括接收與所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓無(wú)關(guān)的第二電壓。
[0068]在示例20中，示例1-4中的任一個(gè)或多個(gè)中的接收所述第二電壓可選地包括由連接到第三晶體管上的分壓器提供所述第二電壓，其中，所述第三晶體管被配置為當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)，將所述分壓器連接到電源和地之間。
[0069]在示例21中，一種系統(tǒng)包括通路門晶體管和控制電路，所述通路門晶體管被配置為響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第一狀態(tài)將第一節(jié)點(diǎn)隔離于第二節(jié)點(diǎn)且響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)處，所述控制電路被配置為接收所述控制信號(hào)，所述控制電路包括第一晶體管，第二晶體管和第三晶體管，所述第一晶體管被配置為在所述第二狀態(tài)下接收第一電壓且將所述第一電壓連接到所述通路門晶體管的所述控制節(jié)點(diǎn)處，其中，所述第一電壓參考所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓，所述第二晶體管連接到所述第一晶體管和所述通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)之間且被配置為當(dāng)所述控制信號(hào)處于第二狀態(tài)時(shí)，作為源極跟隨器工作以當(dāng)所述第一電壓超過(guò)所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力，所述第三晶體管與連接到所述第二晶體管和參考電壓之間。所述第一晶體管的控制節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收第二電壓。所述第三晶體管被配置為接收所述控制信號(hào)的表示。所述第二晶體管和所述第三晶體管被配置為在第一狀態(tài)下將所述通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到所述參考電壓上。
[0070]上述【具體實(shí)施方式】包括對(duì)附圖的參考，附圖形成【具體實(shí)施方式】的一部分。附圖以舉例說(shuō)明的方式示出了本實(shí)用新型能夠用以實(shí)踐的具體實(shí)施例。于此，這些實(shí)施例也稱為“示例”。本申請(qǐng)所涉及到的所有出版物、專利以及專利文件全部作為本實(shí)用新型的參考內(nèi)容，盡管它們是分別加以參考的。如果本申請(qǐng)與參考文件之間存在使用差別，則參考文件的使用應(yīng)視為本申請(qǐng)使用的補(bǔ)充；若二者之間存在不可調(diào)和的差異，則以本申請(qǐng)的使用為準(zhǔn)。
[0071]在本申請(qǐng)中，與專利文件通常使用的一樣，術(shù)語(yǔ)“一”或“某一”表示包括一個(gè)或兩個(gè)以上，不同于“至少一個(gè)”或“一個(gè)或更多”的其它例子或用法。在本申請(qǐng)中，除非另外指明，否則使用術(shù)語(yǔ)“或”指無(wú)排他性的或者是，“A或B”包括:“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在所附的權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包含”和“在其中”等同于各個(gè)術(shù)語(yǔ)“包括”和“其中”的通俗英語(yǔ)而使用。而且，在下述權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包含”和“包括”是開放性的，即，包括除了權(quán)利要求中這樣的術(shù)語(yǔ)之后所列出的那些要素以外的要素的系統(tǒng)、裝置、物品或步驟，依然視為落在該項(xiàng)權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。而且，在下述權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”和“第三”等僅僅用作標(biāo)識(shí)，并非對(duì)其對(duì)象有數(shù)量要求。
[0072]以上實(shí)施方式旨在解釋說(shuō)明而非限制。在其它示例中，以上實(shí)施方式的示例(或其一個(gè)或多個(gè)方面)可以相互結(jié)合使用。例如，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過(guò)回顧以上實(shí)施方式可以使用其他實(shí)施例。摘要被提供以 符合37C.F.R.§ 1.72 (b)，從而使得讀者能夠快速確定技術(shù)發(fā)明的類型。應(yīng)當(dāng)理解的是，該摘要將不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意義。而且，在以上的【具體實(shí)施方式】中，各種特征可組合在一起以簡(jiǎn)化本實(shí)用新型。這不應(yīng)理解為未要求的公開特征對(duì)任何權(quán)利要求來(lái)說(shuō)是必不可少的。相反，創(chuàng)造性的主題可以以比特定公開實(shí)施例的所有特征更少的特征而存在。因而，下述的權(quán)利要求以每個(gè)權(quán)利要求作為單獨(dú)實(shí)施例的方式并入【具體實(shí)施方式】中。本實(shí)用新型的范圍應(yīng)當(dāng)參照所附的權(quán)利要求以及與這些權(quán)利要求的所屬相當(dāng)?shù)恼麄€(gè)范圍來(lái)確定。
【權(quán)利要求】
1.一種控制電路，所述控制電路被配置為連接到模擬通路門的控制節(jié)點(diǎn)處，所述模擬通路門被配置為響應(yīng)于控制信號(hào)的第一狀態(tài)將第一節(jié)點(diǎn)隔離于第二節(jié)點(diǎn)且響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)處，所述控制電路包括: 第一晶體管，所述第一晶體管被配置為接收第一電壓且在所述第二狀態(tài)下將所述第一電壓連接到所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)處，其中，所述第一電壓參考所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓； 第二晶體管，所述第二晶體管連接到所述第一晶體管和所述通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)之間，且被配置為當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)作為源極跟隨器工作，以當(dāng)所述第一電壓超過(guò)所述第一晶體管或所述第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力； 第三晶體管，所述第三晶體管連接到所述第二晶體管和參考電壓之間； 其中，所述第一晶體管的控制節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收第二電壓； 其中，所述第三晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收所述控制信號(hào)的表示；以及 其中，所述第二晶體管和所述第三晶體管被配置為在所述第一狀態(tài)下將所述模擬通路門的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到所述參考電壓上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，其中，所述第一電壓被配置為在所述第二狀態(tài)期間跟隨所述第一節(jié)點(diǎn)上的電壓且以一預(yù)定電壓值偏移于所述第一節(jié)點(diǎn)上的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制電路，包括被配置為提供所述預(yù)定電壓的電荷泵。`
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制電路，其中，所述電荷泵被配置為提供所述第二電壓的至少一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制電路，其中，所述第二電壓以所述預(yù)定電壓的大約一半偏移于所述第一電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)所述的控制電路，所述電荷泵連接到所述第一節(jié)點(diǎn)處并被配置為提供所述第一電壓的至少一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制電路，包括被配置為提供所述第二電壓的電壓源。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制電路，包括分壓器和晶體管，所述分壓器和所述晶體管被配置為提供與所述第一節(jié)點(diǎn)或所述第二節(jié)點(diǎn)處的電壓無(wú)關(guān)的所述第二電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制電路，其中，所述電荷泵包括: 第一級(jí)，被配置為提供所述第二電壓；以及 第二級(jí)，被配置為提供所述第一電壓的至少一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制電路，其中，所述電荷泵包括: 第一晶體管，連接到所述第二級(jí)的輸出端處； 第二晶體管，連接到所述第一晶體管和地之間； 其中，所述電荷泵的所述第一晶體管和所述第二晶體管被配置在所述第一狀態(tài)期間將所述第二級(jí)的所述輸出拉到地電平。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制電路，其中，所述電荷泵包括: 第三晶體管和第四晶體管，被配置為在所述第一狀態(tài)期間將所述第一級(jí)的輸出端隔離于所述第二級(jí)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的控制電路，其中，所述電荷泵包括第五晶體管，所述第五晶體管具有連接到所述第二級(jí)的所述輸出端處的控制節(jié)點(diǎn)，其中，所述第五晶體管被配置為將所述第一級(jí)的所述輸出端連接到所述控制電路的電源導(dǎo)軌上。
13.—種電子系統(tǒng),包括: 通路門晶體管，用于響應(yīng)于控制信號(hào)的第一狀態(tài)將第一節(jié)點(diǎn)隔離于第二節(jié)點(diǎn)且響應(yīng)于所述控制信號(hào)的第二狀態(tài)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二節(jié)點(diǎn)處；以及控制電路，被配置為接收所述控制信號(hào)，所述控制電路包括: 第一晶體管，被配置為接收第一電壓且在第二狀態(tài)下將所述第一電壓連接到所述通路門晶體管的所述控制節(jié)點(diǎn)處，其中，所述第一電壓參考所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓； 第二晶體管，所述第二晶體管連接到所述第一晶體管和所述通路門晶體管的所述控制節(jié)點(diǎn)之間，且被配置為當(dāng)所述控制信號(hào)處于所述第二狀態(tài)時(shí)作為源極跟隨器工作以當(dāng)所述第一電壓超過(guò)所述第一晶體管或所述第二晶體管中的至少一個(gè)的額定電壓時(shí)減小所述第一晶體管和所述第二晶體管的電壓應(yīng)力； 第三晶體管，連接到所述第二晶體管和參考電壓之間， 其中，所述第一晶體管的控制節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收第二電壓； 其中，所述第三晶體管的控制節(jié)點(diǎn)被配置為接收所述控制信號(hào)的表示；以及其中，所述第二晶體管和所述第三晶體管被配置為在第一狀態(tài)下將所述通路門晶體管的所述控制節(jié)點(diǎn)連接到所述參`考電壓上。
【文檔編號(hào)】H03K17/08GK203632633SQ201320312498
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】N·加涅, 科奈斯·P·斯諾登 申請(qǐng)人:快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司, 快捷半導(dǎo)體公司