專利名稱：聲表面波器件、利用該器件的通信裝置和天線轉(zhuǎn)換開關(guān)的制作方法
總的說來，本發(fā)明涉及聲表面波器件和利用該器件的通信裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及利用倒裝焊接工藝的、能小型化的和進(jìn)一步有高可靠性的聲表面波器件，和利用該器件的通信裝置。
近來，以便攜式電話為開端，通信裝置小型化的趨勢(shì)明顯。與裝置小型化的趨勢(shì)一起，提高了對(duì)用于其中的元件的小型化和降低高度的要求。
詳細(xì)地說，在通信裝置中，濾波器、諧振器和延遲線是重要的元件，其小型化是通過采用倒裝焊接工藝的SAW(聲表面波)器件來實(shí)現(xiàn)的。


圖1A和1B是表示把這樣一種聲表面波器件安裝在封裝上的方法的示意剖面圖。
圖1A表示用線連接工藝把聲表面波器件安裝在封裝上的方法。在壓電元件(芯片)1上形成聲表面波器件。
這壓電元件1安裝在有由例如陶瓷等介質(zhì)材料制成凹座部分的封裝2上，并用導(dǎo)電粘結(jié)材料3粘貼和固定。在把壓電元件1固定在封裝2上之后，用蓋子5把它密封。而且，在封裝2的外表面或金屬鍍層上裝上連接到反面接地端的導(dǎo)體金屬板。
在此，借助鋁線6把壓電元件1上的適當(dāng)電極連接到對(duì)應(yīng)于封裝2的電極。因此，要求依照鋁線6來預(yù)先確定在高度方向上的尺寸。
以這種方式，在圖1A所示的線連接工藝的情況下，限制了高度的降低。圖1B表示利用倒裝焊接工藝作為解決這問題的一個(gè)例子。
與圖1A比較，在圖1B的倒裝焊接工藝中，借助金凸塊7把壓電元件1上的適當(dāng)電極連接到封裝2的電極。因此，與鋁線6情況下的高度方向相比，有可能降低高度。
在此，在圖1B的倒裝焊接工藝中，壓電元件1和封裝2之間的連接面決定于金凸塊7的尺寸，并且變成小于線連接工藝的情況。在另一方面，在壓電元件1和通常使用的封裝2之間存在著線膨脹系數(shù)的差別。
為此，在試驗(yàn)階段所給定的溫度循環(huán)(cycle)的時(shí)候，加到金凸塊7上的應(yīng)力載荷增大。這是一個(gè)使器件可靠性降低(斷開等)的因素，并且還是一個(gè)阻礙倒裝焊接工藝在小型化中應(yīng)用的因素。
因此本發(fā)明解決這問題，并且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能實(shí)現(xiàn)小型化和高可靠性的聲表面波器件，和一種利用該器件的通信裝置。
為了解決這缺陷，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種聲表面波器件，它包括一個(gè)有線膨脹系數(shù)的封裝；以及形成聲表面波元件并用倒裝焊接方法安裝在封裝上的壓電元件。在由聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波的傳播方向上和與其垂直的方向上，壓電元件有不同的線膨脹系數(shù)，并且進(jìn)一步使其長邊處在這樣的方向上，壓電元件在該方向的線膨脹系數(shù)接近于封裝的線膨脹系數(shù)。
最好是，壓電元件進(jìn)一步有電極圖案，并且用來把電極圖案連接到封裝的金凸塊的位置布置成相對(duì)于壓電元件中心為點(diǎn)對(duì)稱。
最好這樣來形成電極圖案，以使其離壓電元件中心的距離為壓電元件短邊的1/2或更小。
聲表面波元件最好有構(gòu)成梯型濾波器的電板圖案。所有把電極圖案連接到封裝的金凸塊的位置，最好布置在這樣的一側(cè)，它比布置在梯型濾波器的短邊的那一側(cè)的諧振器更靠近壓電元件的中心。
為了解決上述缺陷，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種聲表面波器件，它包括一個(gè)有線膨脹系數(shù)的封裝；以及兩片形成聲表面波元件并用倒裝焊接方法安裝在封裝上的壓電元件。在由聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波的傳播方向上和與其垂直的方向上，這兩片壓電元件中的每一片都有不同的線膨脹系數(shù)，并且進(jìn)一步使其長邊處在這樣的方向上，壓電元件在該方向上的線膨脹系數(shù)接近于封裝的線膨脹系數(shù)，并且還有各自不同的中心頻率。
分別在兩片壓電元件上形成的聲表面波元件的接地電極最好是在封裝中公用的。
分別在兩片壓電元件上形成的聲表面波元件的接地電極最好是在封裝中獨(dú)立的。
聲表面波元件最好是一個(gè)雙模型濾波器，其中濾波器的輸入側(cè)的接地電極與輸出側(cè)的接地電極是在封裝中分開的。
在兩壓電元件中的任一片上形成的聲表面波元件最好是級(jí)聯(lián)的雙模型濾波器，其中在封裝中濾波器的輸入側(cè)的接地電極與輸出側(cè)的接地電極是分開的。
壓電元件可以從有X、Y和Z晶軸的單晶切割而成，并且X晶軸與聲表面波的傳播方向一致。
壓電元件可以從LiTaO3單晶切割而成，切割的方式是繞X軸從Y軸到Z軸旋轉(zhuǎn)一定的轉(zhuǎn)角，該轉(zhuǎn)角在40°和44°之間的范圍。
當(dāng)結(jié)合附圖閱讀下面的詳細(xì)描述，就會(huì)更清楚本發(fā)明的上述的和其它的目的、方面、特征和優(yōu)點(diǎn)。
圖1A和1B是表示把一種聲表面波器件安裝在封裝上的方法的示意剖面圖；圖2是形成了傳統(tǒng)的聲表面波元件的壓電元件1的平面圖；圖3是圖2的聲表面波元件中的梯型濾波器的等效電路；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用來解決圖2配置的問題的一種配置的圖；圖5是解釋把壓電元件安裝在陶瓷封裝上的操作的圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的有叉指式電極配置的聲表面波元件的一個(gè)例子，并且是表示IIDT(交錯(cuò)對(duì)插的叉指式換能器)型濾波器的一個(gè)例子的圖7是根據(jù)本發(fā)明的級(jí)聯(lián)的雙模型濾波器的一個(gè)例子；圖8是形成另一雙模型聲表面波濾波器的壓電元件1的頂視圖；圖9是解釋本發(fā)明的一個(gè)特征的圖；圖10A和10B是表示用于解釋本發(fā)明的另一個(gè)特征的實(shí)施例的圖；圖11是以無線通信裝置例如便攜式電話的高頻電路為中心的方框圖；圖12是以便攜式電話的另一高頻電路為中心的方框圖；圖13用來解釋依照聲表面波器件小型化的要求，根據(jù)本發(fā)明來安裝聲表面波器件的實(shí)施例；圖14是表示根據(jù)圖13的實(shí)施例安裝之后的狀態(tài)的圖；圖15是另一個(gè)例子，其中安裝在公共封裝上的兩片壓電元件1的接地電極焊盤被分開成封裝2的用于連接的兩個(gè)接地端4；和圖16是再一個(gè)例子，其中在一片壓電元件1上形成的雙模型濾波器的輸入和輸出接地電極焊盤彼此分開連接到封裝2的兩個(gè)接地端4。
此后將解釋本發(fā)明的實(shí)施例。順便指出，各圖中，相同的標(biāo)號(hào)或參考符號(hào)用來表示相同或相似的組件和另件。
圖2是形成有傳統(tǒng)的聲表面波元件的壓電元件1的平面圖。
在此，通過進(jìn)一步把壓電襯底(晶片)分割成多片長方的平行六面體芯片而獲得壓電元件1，而該壓電襯底可以從例如LiTaO3這樣的有X、Y和Z晶軸的單晶以預(yù)先確定的角度切割而成。壓電元件1有一條側(cè)邊沿著所述晶軸。在圖2的例子中，長邊Lx是沿著X軸的邊，短邊Lz是沿著Z軸的邊。
在壓電元件1上形成的聲表面波元件有叉指式電極10、12、11，并且連接到輸入電極焊盤P1、輸出電極焊盤P2、和接地電極焊盤P3，使得叉指式電極10、12構(gòu)成并聯(lián)諧振器，而叉指式電極11構(gòu)成串聯(lián)諧振器，并構(gòu)成梯型濾波器。圖3是包括圖2的聲表面波元件的梯型濾波器的等效電路，它有兩級(jí)串聯(lián)諧振電路11和三級(jí)并聯(lián)諧振電路。
在此，在圖2中，壓電元件1的長邊Lx與由聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波傳播方向一致。此外，這壓電元件1在長邊Lx方向上的線膨脹系數(shù)與在短邊Lz方向上的線膨脹系數(shù)不同。
根據(jù)切割出的壓電襯底的單晶的種類和切割角，唯一重要的是作為這些聲表面波(SAW)傳播方向的晶軸和在各邊的方向上的線膨脹系數(shù)。
例如，在從LiTaO3單晶切割出的壓電襯底中，在聲表面波傳播方向(沿X軸方向)上的線膨脹系數(shù)是αx=16.1ppm，而在與其垂直方向上(沿Z軸方向)的線膨脹系數(shù)是αz=9.5ppm。
另一方面，在圖2所示的壓電元件1用倒裝焊接工藝安裝在封裝上的情況下，壓電元件1被凸塊7連接到封裝2的電極上，而這些凸塊7處在與各電極焊盤P1、P2、P3對(duì)應(yīng)的位置上，如圖1所示。
可是，封裝2本身有線膨脹系數(shù)。例如，在使用陶瓷封裝的情況下，線膨脹系數(shù)大約是α=7到8ppm。
因此，在示于圖2的壓電元件1中，沿聲表面波傳播方向的側(cè)邊即沿長邊Lx上的線膨脹系數(shù)與封裝的線膨脹系數(shù)的差值較大，在這情況下，有大的應(yīng)力加到凸塊7上，使得連接的可靠性成了問題。
本發(fā)明解決這問題，圖4表示一個(gè)實(shí)施例的配置，并且，與圖2的一樣是壓電元件1的平面圖。與圖2的例子相比，根據(jù)圖4的實(shí)施例的壓電元件1的長邊正好和短邊對(duì)調(diào)。即長邊Lz是沿Z軸的邊，而短邊Lx是沿X軸的邊。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，接近封裝2的線膨脹系數(shù)的邊Lz被配置為長邊。因此，與示于圖2的先有技術(shù)相比，減小了凸塊7上的應(yīng)力。
另外，在從上述LiTaO3單晶繞X軸從Y軸到Z軸轉(zhuǎn)40度、42度和44度轉(zhuǎn)角切割成的壓電襯底中，在沿X軸方向上的線膨脹系數(shù)是αx=16.1ppm，而在Z軸方向上的各線膨脹系數(shù)是αz=9.1ppm、9.5ppm和9.9ppm。因此，甚至在壓電襯底以任何轉(zhuǎn)角切割成的情況下，與沿X軸方向的情況相比，陶瓷封裝的線膨脹系數(shù)接近于α=7到8ppm。
此外，作為另一個(gè)例子，在使用LiNbO3的情況下，在繞X軸從Y軸到Z軸轉(zhuǎn)41度的情況下，在X軸方向的線膨脹系數(shù)是αx=15.4ppm，而在Z軸方向上的線膨脹系數(shù)是αz=10.9ppm，而在64度的情況下，在X軸方向的線膨脹系數(shù)是αx=15.4ppm，而在Z軸方向上的線膨脹系數(shù)是αz=13.9ppm。在這情況下，Z軸方向上的線膨脹系數(shù)也比X軸方向的線膨脹系數(shù)更接近于α=7到8ppm的陶瓷封裝的線膨脹系數(shù)。
在任何情況下，其線膨脹系數(shù)較接近于陶瓷封裝的線膨脹系數(shù)的沿Z軸的方向被設(shè)為長邊，這就有可能減小所述凸塊上的應(yīng)力負(fù)荷。這樣，根據(jù)本發(fā)明，利用這樣的壓電元件1，其中令其線膨脹系數(shù)較接近于封裝2的線膨脹系數(shù)的晶軸方向?yàn)殚L邊，并把這樣的壓電元件1安裝在陶瓷封裝2上，如圖5所示，并通過凸塊7與封裝2的電極連接。這樣，就可以獲得高可靠性的聲表面波器件。
回到圖4，將解釋本發(fā)明的另一種特性。即，在圖4中，電極焊盤A,A’、和B,B’和C,C’分別相對(duì)于壓電元件1的中心以點(diǎn)對(duì)稱的方式分布。
這樣，電極焊盤相對(duì)于壓電元件1的中心以點(diǎn)對(duì)稱的方式分布，能夠分別把隨著電極焊盤的位置而加到這些凸塊的應(yīng)力負(fù)荷分散開，并能分散所述應(yīng)力。
本發(fā)明的上述適應(yīng)性變化不限于圖4中所示的有梯形叉指式電板結(jié)構(gòu)的聲表面波元件，作為在壓電元件1上形成的聲表面波元件，還包括其中形成具有另外的叉指式電極結(jié)構(gòu)的聲表面波元件的情況。
例如，圖6到8是具有其它叉指式電極結(jié)構(gòu)的聲表面波元件的例子。詳細(xì)地說，圖6所示的例子是IIDT(交錯(cuò)對(duì)插叉指式換能器)型濾波器中的一種，并且沿Z軸的邊被設(shè)定為長邊Lz，而在I/O電極焊盤P1、P2的關(guān)系方面和在各接地電極焊盤P3的關(guān)系方面，都呈對(duì)稱分布。
圖7是級(jí)聯(lián)的雙模型濾波器的例子，并且長邊被設(shè)定為沿Z軸方向。在圖7中，第一個(gè)雙模型濾波器101通過連接電極103，104級(jí)聯(lián)到第二個(gè)雙模型濾波器102，于是由兩級(jí)雙模型濾波器構(gòu)成具有較高選擇性的濾波器。
此外，在圖7中，電極焊盤也相對(duì)于壓電元件1的中心以點(diǎn)對(duì)稱的方式分布。
圖8也是形成另一雙模型聲表面波濾波器的壓電元件1的頂視圖。詳細(xì)地說，這是一個(gè)有兩個(gè)級(jí)聯(lián)的雙模型濾波器101,102的例子，并且它屬于平衡型，其中輸出取自兩個(gè)輸出電極焊盤P4。
圖9也是解釋本發(fā)明的一個(gè)特征的圖。這實(shí)施例也有前面所解釋的本發(fā)明的第一個(gè)特征，并且，長邊Lz被設(shè)定為其線膨脹系數(shù)接近于封裝2的線膨脹系數(shù)的晶軸的方向。此外，在圖9的實(shí)施例中，從壓電元件1中心位置到電極焊盤P50到P54的距離是不超過短邊Lx長度的一半的長度。
這樣，就有可能因P50到P54的電極焊盤而進(jìn)一步降低加到凸塊上的應(yīng)力負(fù)荷。
圖10也是表示解釋本發(fā)明的另一個(gè)特征的實(shí)施例的圖。這實(shí)施例是這樣一種考慮的延續(xù)，即圖9的電極焊盤位置處于靠近壓電元件1的中心位置的距離上。
即，在圖10A所示的梯型濾波器中，并聯(lián)諧振器R1的接地電極焊盤P6和串聯(lián)諧振器R2的接地電極焊盤P7分別在并聯(lián)諧振器R1,R2的外側(cè)。因此，作為圖9中本發(fā)明的特征的延續(xù)，把接地電極焊盤P6和P7分別布置在并聯(lián)諧振器R1,R2之內(nèi)，如圖10B所示。
這樣，就有可能減小從壓電元件1中心位置到接地電極焊盤P6和P7的距離，因此，有可能隨著接地電極焊盤P6和P7而降低加到凸塊上的應(yīng)力負(fù)荷。
在此，將考慮通信裝置中的濾波器的適應(yīng)性變化。圖11是以無線通信裝置例如便攜式電話的高頻電路為中心的方框圖。與天線鏈接的天線轉(zhuǎn)換開關(guān)21具有發(fā)送濾波器210和接收濾波器211。發(fā)送濾波器210和接收濾波器211分別有預(yù)先確定的通頻帶，并且中心頻率彼此不同。
發(fā)送端用調(diào)制器22以聲音或數(shù)字信號(hào)來調(diào)制發(fā)送的IF信號(hào)。調(diào)制過的信號(hào)被混頻器24與來自本地振蕩器23的載波信號(hào)混頻，并被變換成發(fā)送頻帶信號(hào)。隨后，它們通過級(jí)間濾波器25，并被功率放大器26功率放大，通過天線轉(zhuǎn)換開關(guān)21的發(fā)送濾波器210，從天線20發(fā)送出去。
另一方面，天線20接收到的接收信號(hào)通過天線轉(zhuǎn)換開關(guān)21的接收濾波器211，被前置放大器27放大。前置放大器27的輸出通過級(jí)間濾波器28，被送到混頻器29。
本地振蕩器23輸出一個(gè)頻率信號(hào)，濾波器30從該頻率信號(hào)中提取出不同于發(fā)送頻率的頻率信號(hào)，這樣，所接收到的信號(hào)被混頻器29轉(zhuǎn)換成IF信號(hào)。轉(zhuǎn)換成的IF信號(hào)被IF濾波器31去掉高次諧波分量，并被送到解調(diào)器解調(diào)。
圖12也是以便攜式電話的另一種高頻電路為中心的方框圖。詳細(xì)地說，它是在歐洲使用的便攜式電話的高頻電路部分的原理配置圖。即，配置一種適應(yīng)兩種系統(tǒng)的電話。這對(duì)應(yīng)于有900MHz頻帶的EGSM系統(tǒng)和有1.8GHz頻帶的DCS系統(tǒng)。
因此，為每個(gè)系統(tǒng)提供發(fā)送和接收雙濾波器40,41。此外，在某些情況下，可以在與天線20鏈接的系統(tǒng)，例如在用于把發(fā)送和接收信號(hào)分開的轉(zhuǎn)換開關(guān)模塊30和放大器31,32之間安裝SAW濾波器。
級(jí)間濾波器40,41的每個(gè)后一級(jí)以與圖11的配置的相同方式連接到調(diào)制和解調(diào)電路，因?yàn)檫@與本發(fā)明的解釋無關(guān)，所以不作進(jìn)一步的解釋。
很容易從圖11和12的描述理解到，在把多個(gè)濾波器用于通信裝置的情況下，要求小型化，正如便攜式電話的情況，為了實(shí)現(xiàn)這樣的濾波器，需要小尺寸的聲表面波器件。
圖13是解釋依照這種要求、根據(jù)本發(fā)明來安裝聲表面波器件的實(shí)施例的圖。圖14是表示安裝之后的狀態(tài)的圖。這實(shí)施例是這樣的例子，其中兩片有上面已經(jīng)解釋過的本發(fā)明特征的壓電元件1安裝在同一個(gè)封裝2內(nèi)，并用蓋子5密封起來。封裝2有凹座部分，并且接地端和I/O端被金凸塊7連接到對(duì)應(yīng)于壓電元件1的電極焊盤，從而彼此固定。
在此，正如前面所解釋的那樣，選擇壓電元件1的長邊處在有接近于封裝2的線膨脹系數(shù)的晶軸上，并且電極焊盤相對(duì)于壓電元件1的中心對(duì)稱地分布。因此，在圖14中，減小了凸屬塊7的應(yīng)力。
圖14是一個(gè)這樣的例子，其中兩片壓電元件1的接地電極焊盤都一起接到封裝2的接地端4上。
圖15是另一個(gè)例子，其中安裝在一個(gè)共同的封裝上的兩片壓電元件1的接地電極焊盤被分開地接到封裝2的用于連接的兩個(gè)接地端4。這樣，就有可能防止兩片壓電元件1之間的干擾。
圖16是再一個(gè)例子，其中在一片壓電元件1上形成的兩個(gè)聲表面波元件的輸入和輸出接地電極焊盤彼此分開地與封裝2的兩個(gè)接地端4連接。這樣，就有可能防止輸入和輸出之間的干擾。
這例子可以應(yīng)用到在圖7早已解釋過的以連接電極103,104級(jí)聯(lián)的兩級(jí)雙模型濾波器上、單級(jí)雙模型濾波器上或類似的器件上。
在此，在圖13到16中，以兩片壓電元件裝在共同的封裝內(nèi)的例子來作解釋，但本發(fā)明的適應(yīng)性變化不限于這樣的例子。在兩片壓電元件安裝在共同的封裝內(nèi)的情況下，它們?cè)诶鐖D11中呈現(xiàn)為天線轉(zhuǎn)換開關(guān)21，或在圖12中呈現(xiàn)為雙濾波器40,41。
此外，在兩片或多片壓電元件安裝在共同的封裝內(nèi)的情況下，例如，在圖11中，可以配置成含有級(jí)間濾波器、IF濾波器或另一系統(tǒng)的濾波器。
附帶指出，在上面的實(shí)施例的描述中，描述了在單片壓電元件上構(gòu)成單個(gè)濾波器的情況，但本發(fā)明不限于此，而是可以在單片壓電元件上構(gòu)成兩個(gè)或多個(gè)濾波器。
以上參考附圖描述了實(shí)施例，并根據(jù)本發(fā)明，通過用倒裝焊接工藝把形成了聲表面波元件的壓電元件安裝在封裝上，就有可能以高可靠性來使聲表面波器件小型化。
權(quán)利要求
1．一種聲表面波器件，它包括具有線膨脹系數(shù)的封裝；和一片形成聲表面波元件并用倒裝焊接方法安裝在所述封裝上的壓電元件，所述壓電元件在由所述聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波的傳播方向上和與其垂直的方向上具有不同的線膨脹系數(shù)，并且所述壓電元件的長邊處在這樣的方向上所述壓電元件在該方向的線膨脹系數(shù)接近于所述封裝線膨脹系數(shù)。
2．權(quán)利要求1的聲表面波器件，其特征在于所述壓電元件還具有電極圖案，并且用來把所述電極圖案連接到所述封裝的凸塊的位置相對(duì)于所述壓電元件的中心以點(diǎn)對(duì)稱的方式分布。
3．權(quán)利要求2的聲表面波器件，其特征在于這樣形成電極圖案，使得其離所述壓電元件中心的距離為所述壓電元件短邊的1/2或更小。
4．權(quán)利要求1的聲表面波器件，其特征在于所述聲表面波元件的所述電極圖案構(gòu)成梯形濾波器。
5．權(quán)利要求4的聲表面波器件，其特征在于把所述電極圖案連接到所述封裝的所有所述凸塊的位置布置在這樣的一側(cè)，它比布置在所述梯形濾波器的所述短邊的那一側(cè)的諧振器更靠近所述壓電元件的中心。
6．一種聲表面波器件，它包括有線膨脹系數(shù)的封裝；和兩片形成聲表面波元件并用倒裝焊接方法安裝在所述封裝上的壓電元件，所述兩片壓電元件中的每一片在由所述聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波的傳播方向上和與其垂直的方向上具有不同的線膨脹系數(shù)，并且所述兩片壓電元件中的每一片的長邊處在這樣的方向上所述壓電元件在該方向上的線膨脹系數(shù)接近于所述封裝的線膨脹系數(shù)，并且還具有各自不同的中心頻率。
7．權(quán)利要求6的聲表面波器件，其特征在于在所述封裝中，分別在所述兩片壓電元件上形成的所述聲表面波元件的接地電極是公共的。
8．權(quán)利要求6的聲表面波器件，其特征在于在所述封裝中，分別在所述兩片壓電元件上形成的所述聲表面波元件的接地電極是獨(dú)立的。
9．權(quán)利要求1的聲表面波器件，其特征在于所述聲表面波元件是雙模型濾波器，其中所述濾波器的輸入側(cè)的接地電極與輸出側(cè)的接地電極在所述封裝中是分開的。
10．權(quán)利要求6的聲表面波器件，其特征在于在所述兩壓電元件中的任一片上形成的所述聲表面波元件是級(jí)聯(lián)的雙模型濾波器，其中在所述封裝中所述濾波器的輸入側(cè)的接地電極與輸出側(cè)的接地電極是分開的。
11．權(quán)利要求1的聲表面波器件，其特征在于壓電元件從有X、Y和Z晶軸的單晶切割而成，并且X晶軸與聲表面波的傳播方向一致。
12．權(quán)利要求11的聲表面波器件，其特征在于所述壓電元件以40度到44度的Y軸轉(zhuǎn)角(rotation angle)從LiTaO3單晶切割而成，此單晶以從Y軸到Z軸的轉(zhuǎn)角繞X軸轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)角在40°到44°之間的范圍內(nèi)。
13．一種通信裝置，它包括具有線膨脹系數(shù)的封裝；和一片形成聲表面波元件并用倒裝焊接方法安裝在所述封裝上的壓電元件，所述壓電元件在由所述聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波的傳播方向上和與其垂直的方向上具有不同的線膨脹系數(shù)，并且所述壓電元件的長邊處在這樣的方向上所述壓電元件在該方向的線膨脹系數(shù)接近于所述封裝線膨脹系數(shù)。
14．一種天線轉(zhuǎn)換開關(guān)，它包括具有線膨脹系數(shù)的封裝；和兩片分別形成聲表面波元件并用倒裝焊接方法安裝在所述封裝上的壓電元件，所述兩片壓電元件中的每一片在由所述聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波的傳播方向上和與其垂直的方向上具有不同的線膨脹系數(shù)，并且所述兩片壓電元件中的每一片的長邊處在這樣的方向上所述壓電元件在該方向上的線膨脹系數(shù)接近于封裝線膨脹系數(shù)，其中在所述兩片壓電元件上形成的聲表面波濾波器的各自的中心頻率彼此也不同。
全文摘要
一種聲表面波器件包括具有線膨脹系數(shù)的封裝和一片形成聲表面波元件并用倒裝焊接方法安裝在封裝上的壓電元件。在由聲表面波元件的叉指式電極產(chǎn)生的聲表面波的傳播方向上和與其垂直的方向上，壓電元件有不同的線膨脹系數(shù)，并且其長邊處在這樣的方向上壓電元件在該方向上的線膨脹系數(shù)接近于封裝的線膨脹系數(shù)。壓電元件從有X、Y和Z晶軸的單晶切割而成，并且X晶軸與聲表面波的傳播方向一致。
文檔編號(hào)H03H9/08GK1316826SQ0111175
公開日2001年10月10日 申請(qǐng)日期2001年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月17日
發(fā)明者西澤年雄, 上田政則, 川內(nèi)治, 三澤清秀, 古里博之 申請(qǐng)人:富士通媒體裝置株式會(huì)社