閾值補償整流電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種閾值補償整流電路，包括N級互補MOS整流單元、互補MOS輸出整流單元以及負載電容和負載電阻；每一級互補MOS整流單元都具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端；當前級互補MOS整流單元的第一輸入端與前一級互補MOS整流單元的輸出端相連，第二輸入端與第一輸入信號或第二輸入信號相連，輸出端與下一級互補MOS整流單元的第一輸入端相連；第一級互補MOS整流單元的第一輸入端與地相連；最后一級互補MOS整流單元的輸出端與互補MOS輸出整流單元的輸入端相連；所述互補MOS輸出整流單元具有一個輸入端和一個輸出端，其中，輸出端與輸出信號相連；所述負載電容的一端與輸出信號相連，另一端與地相連；所述負載電阻的一端與輸出信號相連，另一端與地相連。
【專利說明】
閾值補償整流電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種閾值補償整流電路。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，能量收集技術(shù)的關(guān)注度不斷增高，尤其是在無電池供電的無線傳感網(wǎng)中，需要一個射頻能量收集系統(tǒng)為傳感器節(jié)點供電，解決無線傳感器的供電問題，延長其在低維護環(huán)境中的工作壽命。
[0003]—個典型的射頻能量收集系統(tǒng)由接收天線、阻抗匹配電路、整流電路、升壓轉(zhuǎn)換電路和儲能單元組成，如圖1所示。其中天線接收到周圍環(huán)境的射頻能量信號，經(jīng)過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)把射頻能量信號傳遞給整流電路，整流電路將射頻信號轉(zhuǎn)換成一個可用的直流電壓信號，并經(jīng)過升壓轉(zhuǎn)換電路將該電壓升高到期望值，最后傳遞給儲能單元，將所得的電能儲存起來，給后續(xù)應(yīng)用電路供電。
[0004]衡量射頻能量收集系統(tǒng)的兩個重要指標是功率轉(zhuǎn)換效率和接收靈敏度，功率轉(zhuǎn)換效率指的是輸出功率與輸入功率的比值。為了提高系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率，系統(tǒng)的每個組成單元都應(yīng)進行效率優(yōu)化設(shè)計。接收靈敏度指的是能量收集系統(tǒng)所能接收到能量信號的最小功率。對基于Dickson多級整流電路的射頻能量收集系統(tǒng)而言，接收靈敏度由整流電路來決定，即受到整流器件的閾值電壓限制，整流器件的閾值電壓越低，所需的最小輸入功率越低，系統(tǒng)的接收靈敏度就越高。因此，為了提高射頻能量收集系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率和接收靈敏度，需要設(shè)計一個高效率、低閾值電壓的整流電路。
[0005]圖2提出了一個簡單的閾值補償整流電路，該電路采用柵漏之間電壓可調(diào)的MOS晶體管作為整流單元代替?zhèn)鹘y(tǒng)的柵漏直接連接的MOS 二極管，根據(jù)Dickson多級整流電路中各節(jié)點電壓從輸入到輸出逐漸升高的特點，可把整流MOS晶體管的柵極接到整流鏈路不同節(jié)點上(圖2提供的是柵極接到后一級節(jié)點上，即補償支路長度為2的情況)，實現(xiàn)柵漏電壓可調(diào)，這樣做的優(yōu)點是無需額外的補償電路和特殊工藝，就可實現(xiàn)對整流器件的閾值補償，有效的降低閾值。但是該電路的缺點是，這種柵漏之間具有補償電壓的MOS晶體管整流單元，反向漏電較大，尤其在輸入功率極低的射頻能量收集系統(tǒng)中，整流電路的功率轉(zhuǎn)換效率會因此而下降，如果能在此基礎(chǔ)上減小整流單元的反向漏電，那么會使整流電路的效率大大提升。
[0006]綜上所述，可知先前技術(shù)中用于射頻能量收集系統(tǒng)的整流電路存在整流器件反向漏電較大、整流電路效率較低的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的整流器件反向漏電較大、整流電路效率較低的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種閾值補償整流電路，以實現(xiàn)一種低閾值、高效率的整流電路，提高射頻能量收集系統(tǒng)的接收靈敏度和效率。
[0008]本發(fā)明提供的閾值補償整流電路，包括:
[0009]第一級至第N級的互補MOS整流單元、互補MOS輸出整流單元以及負載電容和負載電阻；
[0010]所述第一級至第N級的互補MOS整流單元的每一級互補MOS整流單元都具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端；當前級互補MOS整流單元的第一輸入端與前一級互補MOS整流單元的輸出端相連，第二輸入端與第一輸入信號或第二輸入信號相連，輸出端與下一級互補MOS整流單元的第一輸入端相連；第一級互補MOS整流單元的第一輸入端與地相連；最后一級互補MOS整流單元的輸出端與互補MOS輸出整流單元的輸入端相連；
[0011 ] 所述互補MOS輸出整流單元具有一個輸入端和一個輸出端；其中，所述互補MOS輸出整流單元的輸出端與輸出信號相連；
[0012]所述負載電容的一端與輸出信號相連，另一端與地相連；
[0013]所述負載電阻的一端與輸出信號相連，另一端與地相連。
[0014]進一步的，所述每一級互補MOS整流單元包括:一個PMOS晶體管、一個NMOS晶體管、第一偏置電壓源、第二偏置電壓源和一個親合電容。
[0015]其中，所述PMOS晶體管的源極與所述第二偏置電壓源的負端相連，并一起連接到該級互補MOS整流單元的第一輸入端，所述PMOS晶體管的柵極與所述第一偏置電壓源的負端相連，所述PMOS晶體管的漏極和襯底連接在一起，并與所述NMOS晶體管的漏極和襯底相連；
[0016]其中，所述NMOS晶體管的源極與所述第一偏置電壓源的正端相連，并一起連接到該級互補MOS整流單元的輸出端，所述NMOS晶體管的柵極與所述第二偏置電壓源的正端相連；
[0017]其中，所述耦合電容的一端與該級互補MOS整流單元的輸出端相連，另一端與該級互補MOS整流單元的第二輸入端相連。
[0018]進一步的，所述互補MOS輸出整流單元包括:一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管；
[0019]其中，所述PMOS晶體管的源極與所述NMOS晶體管的柵極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元的輸入端相連，所述PMOS晶體管的柵極與所述NMOS晶體管的源極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元的輸出端相連，所述PMOS晶體管的漏極和襯底連接在一起，并與所述NMOS晶體管的漏極和襯底相連。
[0020]本發(fā)明實施例提供的閾值補償整流電路，通過N級互補MOS整流單元和互補MOS輸出整流單元，對較微弱的輸入射頻信號進行高效整流，輸出所需的直流電壓。所述互補MOS整流單元在現(xiàn)有閾值補償技術(shù)的基礎(chǔ)上，采用互補的PMOS和NMOS對稱交叉連接構(gòu)成整流單元。該結(jié)構(gòu)的整流單元在反向偏置時，PMOS和NMOS都表現(xiàn)為MOS晶體管反向截止特性，即反向電流非常小，大大減小了整流單元的反向漏電；而在正向偏置時，由于采用閾值補償技術(shù)，使其表現(xiàn)為一個正向?qū)ǖ腗OS晶體管特性，即正向?qū)▔航岛艿停刃檎鲉卧拈撝惦妷罕唤档?。因此，本發(fā)明所提供的閾值補償整流電路不僅具有較低的閾值電壓，而且其反向漏電也被有效的抑制，使得整流電路的接收靈敏度和轉(zhuǎn)換效率都得到提高。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為典型射頻能量收集系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為現(xiàn)有技術(shù)閾值補償整流電路的電路原理圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實施例提供的閾值補償整流電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明實施例提供的閾值補償整流電路的電路原理圖；
[0026]圖5為本發(fā)明實施例提供的補償支路長度為2的閾值補償整流電路的電路原理圖；
[0027]圖6為整流電路的輸入電壓和輸出電流瞬態(tài)仿真波形圖。
【具體實施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0029]本發(fā)明實施例提供一種閾值補償整流電路，其中的整流單元不僅具有較低的閾值，而且具有較小的反向漏電，可用于射頻能量收集系統(tǒng)中，提高系統(tǒng)的接收靈敏度和效率。
[0030]圖3為本發(fā)明所述的閾值補償整流電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，所述閾值補償整流電路包括第一級至第N級的互補MOS整流單元301、302、303、304和305、互補MOS輸出整流單元306、負載電容Cl、負載電阻Rl、以及兩個差分輸入射頻信號RFin+、RFin-和一個輸出直流電壓信號Vciut;
[0031]所述第一級至第N級的互補MOS整流單元的每一級互補MOS整流單元301、302、303,304和305都具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端。當前級互補MOS整流單元的第一輸入端與前一級互補MOS整流單元的輸出端相連，第二輸入端與第一輸入信號RFin+或第二輸入信號RFin-相連，輸出端與下一級互補MOS整流單元的第一輸入端相連；第一級互補MOS整流單元301的第一輸入端與地相連；最后一級互補MOS整流單元305的輸出端與互補MOS輸出整流單元306的輸入端相連；
[0032]所述互補MOS輸出整流單元306具有一個輸入端和一個輸出端；其中，所述互補MOS輸出整流單元306的輸出端與輸出信號Vciut相連；
[0033]所述負載電容Q的一端與輸出信號V _相連，另一端與地相連；
[0034]所述負載電阻Rl的一端與輸出信號V _相連，另一端與地相連。
[0035]圖4為圖3所示的閾值補償整流電路的電路原理圖。如圖4所示，所述閾值補償整流電路包括第一級至第N級的互補MOS整流單元401、402、403、404和405、互補MOS輸出整流單元406、負載電容Q、負載電阻Rp以及兩個差分輸入射頻信號RFin+、RFin-和一個輸出直流電壓信號V-。它們之間的連接關(guān)系與圖3中所描述的相同，在此不再贅述，只對各單元內(nèi)部的組成和連接關(guān)系進行詳細說明。
[0036]其中，第一級互補MOS整流單元401包括:PM0S晶體管Mpl、NMOS晶體管Mnl、兩個偏置電壓源^和V m以及耦合電容C。所述PMOS晶體管M pl的源極與偏置電壓源V m的負端相連，并一起連接到該級互補MOS整流單元401的第一輸入端，所述PMOS晶體管Mpl的柵極與偏置電壓源V。。的負端相連，所述PMOS晶體管M pl的漏極和襯底連接在一起，并與所述NMOS晶體管Mnl的漏極和襯底相連；所述NMOS晶體管Mnl的源極與偏置電壓源^。的正端相連，并一起連接到該級互補MOS整流單元401的輸出端，所述NMOS晶體管Mnl的柵極與偏置電壓源Ven的正端相連；耦合電容C的一端與該級互補MOS整流單元401的輸出端相連，另一端與該級互補MOS整流單元401的第二輸入端相連；
[0037]同樣的，第二級互補MOS整流單元402、第三級互補MOS整流單元403、第N-1級互補MOS整流單元404和第N級互補MOS整流單元405的電路組成和連接方式與第一級互補MOS整流單元401的相同，在此不再贅述。
[0038]其中，互補MOS輸出整流單元406包括:一個PMOS晶體管Mp _和一個NMOS晶體管Mn out0所述PMOS晶體管Mp _的源極與NMOS晶體管Mn _的柵極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元406的輸入端相連，所述PMOS晶體管Mp _的柵極與NMOS晶體管M n _的源極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元406的輸出端相連，所述PMOS晶體管Mp _的漏極和襯底連接在一起，并與NMOS晶體管Mn _的漏極和襯底相連。
[0039]圖5示出了圖4中偏置電壓源IjP Vm的具體電路實現(xiàn)。根據(jù)Dickson多級整流電路中各節(jié)點電壓從輸入到輸出逐漸升高的特點，可把圖4中各級互補MOS整流單元中PMOS和NMOS晶體管的柵極連接到整流鏈路不同節(jié)點上，代替理想偏置電壓源，實現(xiàn)閾值補償。圖5所提供的實施例是把當前級整流單元的PMOS晶體管的柵極電壓接到其前一級整流單元的第一輸入端，把NMOS晶體管的柵極電壓接到其后一級整流單元的輸出端，即補償支路長度為2的情況。這種實施方法存在一個問題是第一級整流單元的PMOS晶體管的柵極和最后一級整流單元的NMOS晶體管的柵極在整流鏈路上沒有節(jié)點可提供其所需的補償電壓。因此，需要在第一級整流單元與地之間加入一個NMOS補償單元，為第一級整流單元PMOS晶體管的柵極提供所需的補償電壓，在最后一級整流單元與輸出整流單元之間加入一個PMOS補償單元，為最后一級整流單元NMOS晶體管的柵極提供所需的補償電壓。當然，在實際設(shè)計時，會根據(jù)具體情況，決定補償支路的長度，也可以是4、6、8等情況，同時對應(yīng)的NMOS和PMOS補償單元的晶體管個數(shù)也會相應(yīng)的發(fā)生變化。下面對圖5的具體電路實施方法進行詳細描述。
[0040]如圖5所示，所述閾值補償整流電路包括:第一級至第N級的互補MOS整流單元501、502、503、504和505、互補MOS輸出整流單元506、NMOS補償單元507、PMOS補償單元508、負載電容Q、負載電阻Rl、以及兩個差分輸入射頻信號RFin+、RFin-和一個輸出直流電壓信號Vciut;
[0041]所述第一級至第N級的互補MOS整流單元的每一級互補MOS整流單元501、502、503、504和505都具有第一輸入端、第二輸入端、第一偏置電壓端、第二偏置電壓端和輸出端;
[0042]當前級互補MOS整流單元的第一輸入端與前一級互補MOS整流單元的輸出端相連，第二輸入端與第一輸入信號RFin+或第二輸入信號RFin-相連，輸出端與下一級互補MOS整流單元的第一輸入端相連，第一偏置電壓端與前一級互補MOS整流單元的第一輸入端相連，第二偏置電壓端與后一級互補MOS整流單元的輸出端相連；
[0043]第一級互補MOS整流單元501的第一輸入端與NMOS補償單元507的輸出端相連，第一偏置電壓端與NMOS補償單元507的第一輸入端相連，并一起連接到地；
[0044]最后一級互補MOS整流單元505的輸出端與PMOS補償單元508的第一輸入端相連，并一起連接到互補MOS輸出整流單元506的輸入端，第二偏置電壓端與PMOS補償單元508的輸出端相連；
[0045]所述互補MOS輸出整流單元506具有一個輸入端和一個輸出端。其中，輸出端和輸出信號Vciut相連；
[0046]所述NMOS補償單元507具有第一輸入端、第二輸入端、偏置電壓端和輸出端；其中，第二輸入端與第二輸入信號相連RFin-相連，偏置電壓端與第一級互補MOS整流單元501的輸出端相連；
[0047]所述PMOS補償單元508具有第一輸入端、第二輸入端、偏置電壓端和輸出端；其中，第二輸入端與第一輸入信號RFin+相連，偏置電壓端與最后一級互補MOS整流單元505的第一輸入端相連；
[0048]所述負載電容Q的一端與輸出信號V _相連，另一端與地相連；
[0049]所述負載電阻Rl的一端與輸出信號V _相連，另一端與地相連。
[0050]其中，第一級互補MOS整流單元501包括:一個PMOS晶體管Mpl、一個NMOS晶體管Mnl和一個耦合電容C ;
[0051]所述PMOS晶體管Mpl的源極與該級互補MOS整流單元501的第一輸入端相連，柵極與該級互補MOS整流單元501的第一偏置電壓端相連，漏極和襯底連接在一起，并與NMOS晶體管Mnl的漏極和襯底相連；
[0052]NMOS晶體管Mnl的源極和該級互補MOS整流單元501的輸出端相連，柵極與該級互補MOS整流單元501的第二偏置電壓端相連；耦合電容C的一端與該級互補MOS整流單元501的輸出端相連，另一端與該級互補MOS整流單元501的第二輸入端相連；
[0053]同樣的，第二級互補MOS整流單元502、第三級互補MOS整流單元503、第N-1級互補MOS整流單元504和第N級互補MOS整流單元505的電路組成和連接方式與第一級互補MOS整流單元501的相同，在此不再贅述；
[0054]其中，互補MOS輸出整流單元506包括:一個PMOS晶體管Mp _和一個NMOS晶體管Mn 所述PMOS晶體管M p _的源極與NMOS晶體管M n _的柵極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元506的輸入端相連，柵極與NMOS晶體管Mn _的源極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元506的輸出端相連，漏極和襯底連接在一起，并與NMOS晶體管Mn _的漏極和襯底相連；
[0055]其中，NMOS補償單元507包括:一個NMOS晶體管Mndl和一個耦合電容C ;所述NMOS晶體管Mndl的源極與NMOS補償單元507的輸出端相連，柵極與NMOS補償單元507的偏置電壓端相連，漏極和襯底連接在一起，并一起與NMOS補償單元507的第一輸入端相連；耦合電容C的一端與NMOS補償單元507的輸出端相連，另一端與NMOS補償單元507的第二輸入端相連；
[0056]其中，PMOS補償單元508包括:一個PMOS晶體管Mpdl和一個耦合電容C ;所述PMOS晶體管Mpdl的源極與PMOS補償單元508的第一輸入端相連，柵極與PMOS補償單元508的偏置電壓端相連，漏極和襯底連接在一起，并一起與PMOS補償單元508的輸出端相連；耦合電容C的一端與PMOS補償單元508的輸出端相連，另一端與PMOS補償單元508的第二輸入端相連。
[0057]本發(fā)明實施例提供的閾值補償整流電路的工作原理為:
[0058]為了減小整流單元的反向漏電，在現(xiàn)有閾值補償技術(shù)基礎(chǔ)上，采用了互補MOS晶體管作為整流單元，不僅可以降低整流單元的閾值電壓，而且可以有效的抑制其反向漏電，當其應(yīng)用于射頻能量收集系統(tǒng)時，可以提高系統(tǒng)的接收靈敏度和功率轉(zhuǎn)換效率。
[0059]具體的，結(jié)合圖5，根據(jù)Dickson多級整流電路的工作原理，當輸入為差分的射頻信號時，整流電路對輸入信號的正負半周同時整流，每個整流單元只在輸入信號的半個周期內(nèi)導通。
[0060]為了更清晰的說明整流電路的工作原理，圖6給出了整流電路工作時輸入電壓和輸出電流的瞬態(tài)仿真波形圖?？梢钥闯?，輸入信號的一個正弦周期，可分為3個工作區(qū)域:
[0061]亞閾值區(qū):0彡Vin彡V th，其中Vin為輸入信號的幅度，V th為整流單元的閾值電壓，在這個范圍內(nèi)輸出電流與輸入電壓呈指數(shù)關(guān)系，此時輸入電壓較小，輸出電流也較??；
[0062]反型區(qū):Vth彡Vιη< V ιηι_，其中Vininiax為輸入信號幅度的最大值，在這個范圍內(nèi)輸出電流與輸入電壓呈平方關(guān)系，此時整流單元完全導通，對負載電容進行充電，并在Vin =Vin,_處，輸出電流達到峰值；
[0063]漏電區(qū):輸入電壓的負半周，在這段時間內(nèi)的輸出電流為反向漏電流。
[0064]因此，可以看出，在輸入信號的每個正弦周期內(nèi)，只有反型區(qū)是在給電容充電，而大部分時間都處在亞閾值區(qū)和漏電區(qū)。若要提高整流電路的轉(zhuǎn)換效率，應(yīng)設(shè)法增大反型區(qū)的時間，同時減小反向漏電的大小。
[0065]現(xiàn)有閾值補償技術(shù)只是減小了整流單元的閾值，增大了反型區(qū)時間，但是并沒有對反向漏電進行抑制，本發(fā)明在閾值補償技術(shù)的基礎(chǔ)上，采用了互補型MOS整流單元，不僅實現(xiàn)了低閾值電壓，而且有效的抑制了反向漏電，使整流電路的轉(zhuǎn)換效率得到提高。
[0066]具體的，本發(fā)明所提供的互補MOS整流單元，以圖5中第二級互補MOS整流單元為例進行說明。當整流單元正向偏置時，由于采用了閾值補償技術(shù)，根據(jù)Dickson多級整流電路中各節(jié)點電壓從輸入到輸出逐漸升高的特點，即V/V^VXVyMpjP Mn2都表現(xiàn)為MOS晶體管的正向?qū)ㄌ匦裕@樣其正向?qū)▔航当葌鹘y(tǒng)二極管作為整流器件的正向?qū)▔航?二極管的閾值電壓)小得多，即等效為整流器件的閾值電壓被降低。當整流單元反向偏置時，Mp2和M n2的源極出現(xiàn)在二者相互連接處，即M⑷和M ?2都具有負的V gs，工作在非常弱的反型區(qū)，表現(xiàn)為MOS晶體管的反向截止特性，與現(xiàn)有的單純的閾值補償技術(shù)(圖2)相比，整流單元的反向電流被有效的抑制住，使得反向漏電大大的被降低。
[0067]本發(fā)明實施例提供的閾值補償整流電路的整流單元在正向偏置時表現(xiàn)為MOS晶體管的正向?qū)ㄌ匦?，具有較低的導通壓降，等效為降低了整流單元的閾值電壓；在反向偏置時表現(xiàn)為MOS晶體管的反向截止特性，大大減小了整流單元的反向漏電。從而，不僅實現(xiàn)了較低的閾值電壓，而且有效的抑制了反向漏電，提高了功率轉(zhuǎn)換效率。使其應(yīng)用于射頻能量收集系統(tǒng)時，對射頻收集系統(tǒng)的接收靈敏度和效率都有提高。
[0068]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種閾值補償整流電路，其特征在于，包括: 第一級至第N級的互補MOS整流單元、互補MOS輸出整流單元以及負載電容和負載電阻； 所述第一級至第N級的互補MOS整流單元的每一級互補MOS整流單元都具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端；當前級互補MOS整流單元的第一輸入端與前一級互補MOS整流單元的輸出端相連，第二輸入端與第一輸入信號或第二輸入信號相連，輸出端與下一級互補MOS整流單元的第一輸入端相連；第一級互補MOS整流單元的第一輸入端與地相連；最后一級互補MOS整流單元的輸出端與互補MOS輸出整流單元的輸入端相連； 所述互補MOS輸出整流單元具有一個輸入端和一個輸出端；其中，所述互補MOS輸出整流單元的輸出端與輸出信號相連； 所述負載電容的一端與輸出信號相連，另一端與地相連； 所述負載電阻的一端與輸出信號相連，另一端與地相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閾值補償整流電路，其特征在于，所述每一級互補MOS整流單元包括:一個PMOS晶體管、一個NMOS晶體管、第一偏置電壓源、第二偏置電壓源和一個親合電容。 所述PMOS晶體管的源極與所述第二偏置電壓源的負端相連，并一起連接到該級互補MOS整流單元的第一輸入端，所述PMOS晶體管的柵極與所述第一偏置電壓源的負端相連，所述PMOS晶體管的漏極和襯底連接在一起，并與所述NMOS晶體管的漏極和襯底相連； 所述NMOS晶體管的源極與所述第一偏置電壓源的正端相連，并一起連接到該級互補MOS整流單元的輸出端，所述NMOS晶體管的柵極與所述第二偏置電壓源的正端相連； 所述耦合電容的一端與該級互補MOS整流單元的輸出端相連，另一端與該級互補MOS整流單元的第二輸入端相連。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閾值補償整流電路，其特征在于，所述互補MOS輸出整流單元包括:一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管； 所述PMOS晶體管的源極與所述NMOS晶體管的柵極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元的輸入端相連，所述PMOS晶體管的柵極與所述NMOS晶體管的源極相連，并一起與互補MOS輸出整流單元的輸出端相連，所述PMOS晶體管的漏極和襯底連接在一起，并與所述NMOS晶體管的漏極和襯底相連。
【文檔編號】H02M7/217GK105991047SQ201510059354
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月4日
【發(fā)明人】劉昱, 劉欣, 張海英
【申請人】中國科學院微電子研究所