基于可控硅的放電電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于一種放電電路，具體涉及一種基于可控硅的放電電路。
【背景技術(shù)】
[0002]充磁電源是一種特殊的高壓電氣設(shè)備，在其工作過程中，直流端一直保持高達(dá)3000V的直流電壓，高電壓的存在對(duì)充磁電源內(nèi)部器件及人身安全都有一定的危害。為了避免發(fā)生人身安全事故，使充磁電源安全、穩(wěn)定的工作，在電源內(nèi)部加入了放電電路，提高系統(tǒng)的安全性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題而提出，其目的是提供一種基于可控硅的放電電路。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種基于可控硅的放電電路，包括直流高壓正極端依次串聯(lián)的電阻R1~R6，電阻R6另一端與第一可控娃模塊中的I號(hào)可控娃、II號(hào)可控娃，第二可控硅模塊中的III號(hào)可控硅、IV號(hào)可控硅依次串聯(lián)，所述的I號(hào)可控硅兩端與電阻R7并聯(lián)，II號(hào)可控硅與電阻R8并聯(lián)，III號(hào)可控硅與電阻R9并聯(lián)，IV號(hào)可控硅與電阻RlO并聯(lián)，I號(hào)可控娃的K1、G1引腳，II號(hào)可控娃的K2、G2引腳、III號(hào)可控娃的K3、G3引腳、IV號(hào)可控娃的K4、G4引腳均由驅(qū)動(dòng)電路的脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
[0005]本發(fā)明能夠保證充磁電源安全性，充磁電源的封閉環(huán)境一旦遭到破壞，驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)可控硅的導(dǎo)通，可控硅導(dǎo)通的同時(shí)充磁電源上的高壓直流電通過放電電阻立即放電，使充磁電源內(nèi)部各器件都處于安全范圍，避免了人身傷害。
【附圖說明】
[0006]圖1是本發(fā)明的電原理圖；
圖2是圖1中驅(qū)動(dòng)電路的連接結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007]其中:
I第一可控硅模塊2第二可控硅模塊
3 I號(hào)可控硅4II號(hào)可控硅
5 III號(hào)可控硅6IV號(hào)可控硅
7 驅(qū)動(dòng)電路82W10整流橋
9 RY繼電器10PTl脈沖變壓器
11PT2脈沖變壓器11PT3脈沖變壓器。
【具體實(shí)施方式】
[0008]以下，參照附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明:
如圖1所示，一種基于可控硅的放電電路，包括直流高壓正極端依次串聯(lián)的電阻R1~R6，電阻R6另一端與第一可控娃模塊I中的I號(hào)可控娃3、II號(hào)可控娃4，第二可控娃模塊2中的III號(hào)可控硅5、IV號(hào)可控硅6依次串聯(lián)，所述的I號(hào)可控硅3兩端與電阻R7并聯(lián)，II號(hào)可控硅4與電阻R8并聯(lián)，III號(hào)可控硅5與電阻R9并聯(lián)，IV號(hào)可控硅6與電阻RlO并聯(lián)，I號(hào)可控硅3的K1、G1引腳，II號(hào)可控硅4的K2、G2引腳、III號(hào)可控硅5的K3、G3引腳、IV號(hào)可控娃6的K4、G4引腳均由驅(qū)動(dòng)電路7的脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
[0009]所述的電阻R1~R6阻值為25 Ω、功率為500W，電阻R7~R10阻值為10k Ω，功率為
200ffo
[0010]如圖2所示，接線端子CNl連接2W10整流橋8的交流端，2W10整流橋8的直流端連接RY繼電器9的線圈，RY繼電器9的線圈端并接二級(jí)管Dl和電解電容Cl，RY繼電器9的線圈端負(fù)極與公共端之間連接電解電容C2，在RY繼電器9的線圈端正極與繼電器的常開觸點(diǎn)之間連接二極管D2，在RY繼電器9的線圈端負(fù)極與繼電器的常閉觸點(diǎn)之間連接電阻Rii與電容C3，將PTl脈沖變壓器10的初級(jí)并接于電容C3上，將二極管D3并接于PTl脈沖變壓器10的初級(jí)，PTl脈沖變壓器10的兩組次級(jí)分別連接PT2脈沖變壓器11和PT3脈沖變壓器12的初級(jí)，將二級(jí)管D4和D5分別并接于PT2脈沖變壓器11和PT3脈沖變壓器12的初級(jí)，PT2脈沖變壓器11的兩組次級(jí)分別連接于接線端子CN2和CN3，PT3脈沖變壓器12的兩組次級(jí)分別連接于接線端子CM和CN5，接線端子CN2兩端并接電阻R21和電容C4，接線端子CN3兩端并接電阻R31和電容C5，接線端子CM兩端并接電阻R41和電容C6，接線端子CN5兩端并接電阻R51和電容C7。
[0011]本發(fā)明的工作過程:當(dāng)充磁電源正常工作時(shí)，接線端子CNl有15V交流電壓，通過2W10整流橋8將15V交流電壓轉(zhuǎn)換成1V直流電壓，RY繼電器9線圈有電，繼電器常開觸點(diǎn)閉合，通過RY繼電器9給電解電容C2充電。當(dāng)充磁電源發(fā)生異常情況時(shí)，接線端子CNl上交流電壓消失，導(dǎo)致RY繼電器9線圈失電，繼電器常開觸點(diǎn)斷開，常閉觸點(diǎn)閉合，電解電容C2上存儲(chǔ)的電能通繼電器常閉觸點(diǎn)釋放，通過PTl脈沖變壓器10、PT2脈沖變壓器11、PT3脈沖變壓器12隔離后在接線端子CN2、CN3、CN4、CN5產(chǎn)生脈沖信號(hào)，該信號(hào)可驅(qū)動(dòng)4組可控硅的導(dǎo)通。其中I號(hào)可控硅3的K1、Gl引腳接收接線端子CN2產(chǎn)生脈沖信號(hào)，II號(hào)可控硅4的K2、G2引腳接收接線端子CN3產(chǎn)生脈沖信號(hào)，III號(hào)可控硅5的K3、G3引腳接收接線端子CM產(chǎn)生脈沖信號(hào)，IV號(hào)可控娃6的K4、G4引腳接收接線端子CN5產(chǎn)生脈沖信號(hào)。
[0012]本發(fā)明能夠保證充磁電源安全性，充磁電源的封閉環(huán)境一旦遭到破壞，驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)可控硅的導(dǎo)通，可控硅導(dǎo)通的同時(shí)充磁電源上的高壓直流電通過放電電阻立即放電，使充磁電源內(nèi)部各器件都處于安全范圍，避免了人身傷害。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于可控硅的放電電路，包括直流高壓正極端依次串聯(lián)的電阻R1~R6，其特征在于:電阻R6另一端與第一可控硅模塊(I)中的I號(hào)可控硅(3)、II號(hào)可控硅(4)，第二可控硅模塊(2)中的III號(hào)可控硅(5)、IV號(hào)可控硅(6)依次串聯(lián)，所述的I號(hào)可控硅(3)兩端與電阻R7并聯(lián)，II號(hào)可控硅(4)與電阻R8并聯(lián)，III號(hào)可控硅(5)與電阻R9并聯(lián)，IV號(hào)可控硅(6)與電阻RlO并聯(lián)，I號(hào)可控硅(3)的K1、G1引腳，II號(hào)可控硅(4)的K2、G2引腳、III號(hào)可控硅(5)的K3、G3引腳、IV號(hào)可控硅(6)的K4、G4引腳均由驅(qū)動(dòng)電路(7)的脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于可控硅的放電電路，其特征在于:所述的電阻R1~R6阻值為25 Ω、功率為500W，電阻R7~R10阻值為10k Ω，功率為200W。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于可控硅的放電電路，包括直流高壓正極端依次串聯(lián)的電阻R1~R6，電阻R6另一端與第一可控硅模塊中的Ⅰ號(hào)可控硅、Ⅱ號(hào)可控硅，第二可控硅模塊中的Ⅲ號(hào)可控硅、Ⅳ號(hào)可控硅依次串聯(lián)，所述的Ⅰ號(hào)可控硅兩端與電阻R7并聯(lián)，Ⅱ號(hào)可控硅與電阻R8并聯(lián)，Ⅲ號(hào)可控硅與電阻R9并聯(lián)，Ⅳ號(hào)可控硅與電阻R10并聯(lián)，Ⅰ號(hào)可控硅的K1、G1引腳，Ⅱ號(hào)可控硅的K2、G2引腳、Ⅲ號(hào)可控硅的K3、G3引腳、Ⅳ號(hào)可控硅的K4、G4引腳均由驅(qū)動(dòng)電路的脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明能夠保證充磁電源安全性，充磁電源的封閉環(huán)境一旦遭到破壞，驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)可控硅的導(dǎo)通，可控硅導(dǎo)通的同時(shí)充磁電源上的高壓直流電通過放電電阻。
【IPC分類】H02H9-04
【公開號(hào)】CN104767192
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510171410
【發(fā)明人】趙秋毅, 于民東, 彭樹文, 王麟
【申請(qǐng)人】核工業(yè)理化工程研究院
【公開日】2015年7月8日
【申請(qǐng)日】2015年4月13日