專利名稱：一種可控硅復合開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種可控硅復合開關(guān)，它是用于控制電容器投切的器件，是電網(wǎng)無功補償裝置的重要組成部分，而投切開關(guān)元件性能的好壞對無功補償裝置的可靠性起著非常重要的作用。
背景技術(shù)：
在電網(wǎng)改造的實施過程中，往往需要增加并聯(lián)電容器無功補償裝置，對提高供電電壓質(zhì)量，挖掘供電設備的潛力，降低線損及節(jié)能均起到積極的作用。早期無功補償裝置大都采用交流接觸器、可控硅電子開關(guān)等投切方式，交流接觸器在電容器投入和切除時會產(chǎn)生很大的涌流和過壓，暫態(tài)的高壓和投切沖擊電流會導致電容器絕緣擊穿、接觸器觸頭燒損；而可控硅電子開關(guān)雖然解決了電容器投切過程中的涌流、過壓、分斷電弧等問題，但其散熱難，需外加輔助散熱器件多、結(jié)構(gòu)復雜、成本高，占用空間大，兩種方式補償效果和使用壽命上都不夠理想。近年來，電力電子技術(shù)和可控硅技術(shù)的不斷發(fā)展，在無功補償裝置中衍生出一種新型裝置——復合開關(guān)?，F(xiàn)有的復合開關(guān)結(jié)構(gòu)是將可控硅與繼電器并接，如圖5所示。目前普遍認為的實現(xiàn)方法是:投入時，在電壓過零瞬間過零觸發(fā)與繼電器或接觸器并聯(lián)的可控硅，穩(wěn)定后再將繼電器或接觸器吸合導通；而切出時，先將可控硅導通，然后在將繼電器或接觸器觸點斷開，避免繼電器或接觸器斷開時產(chǎn)生電弧，最后在電流過零點處可控硅關(guān)斷，從而實現(xiàn)電流過零切斷。本領(lǐng)域普通的技術(shù)人員可知，要使可控硅導通(以單向可控硅為例)，需要兩個必要條件:一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓(俗稱有個觸發(fā)控制信號)。換句話說，不論是單向可控硅導通，還是雙向可控硅導通，必須要滿足可控硅兩端有滿足導通的壓降和觸發(fā)極有觸發(fā)信號兩個條件，才能實現(xiàn)導通的目的?，F(xiàn)有復合開關(guān)的切斷過程，是繼電器或接觸器K分斷時，認為此時可控硅已是導通狀態(tài)，所以繼電器或接觸器在K分斷時不產(chǎn)生電弧。而事實是，在繼電器K觸點分斷前的閉合狀態(tài)，觸點兩端不形成電壓，也就是，可控硅的陽極A與陰極K之間并沒有形成正向電壓，雖然有觸發(fā)信號，但是可控硅并不能導通。這樣繼電器K的觸點在分斷時要切斷工作電流，這個過程中會產(chǎn)生大量的電弧，特別是在復合開關(guān)中對繼電器的容量選擇，一般是以滿足正常工作電流為準，并未完全考慮到投入和切斷主電路工作電流所需的容量，所以，切斷時繼電器觸點產(chǎn)生的大量電弧容易使現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的復合開關(guān)的繼電器觸頭損壞，造成復合開關(guān)工作的可靠性差，嚴重影響供電的質(zhì)量和可靠性?，F(xiàn)有大部分專利僅僅描述了復合開關(guān)切除階段的工作過程，通過以下專利加以說明。如專利號“ZL200620098117.9”，名稱為“動態(tài)無功功率補償裝置”的實用新型專利，該補償裝置的補償電路中采用了其延時時間〈5秒的快速復合繼電器，當可控硅導通時，其繼電器常開觸點也閉合，閉合時的觸點電阻很小，可通過大部分電流，在通過可控硅的電流幾乎等于零。這樣，在導電過程中，可控硅上無壓降和無發(fā)熱，而且消除了諧波，從而使補償裝置在動態(tài)狀態(tài)下能可靠地運行。該專利具體描述了在導電過程中，可控硅只有觸發(fā)信號，但是并無壓降，沒有滿足可控硅的導通條件，即可控硅的陽極A與陰極K之間沒有壓降，因此，該種結(jié)構(gòu)的補償裝置在動態(tài)狀態(tài)下并不能可靠地運行。如專利號是“201220121016.4”，名稱為“一種過零投切的接觸器復合開關(guān)”:切除時檢測電路檢測到控制信號撤除，儲能電容延時電路仍能繼續(xù)提供必要的供電，邏輯控制欲隔離驅(qū)動電路使能可控硅，然后使繼電器斷開接觸器線圈，接觸器機械觸點分斷并切換為可控硅導通一段時間后，可控硅電流為零關(guān)斷。專利號“201220016674.7”，名稱為“分補復合開關(guān)”:切除時，可控硅先導通，然后繼電器的觸頭分開，電流流過可控硅，經(jīng)過50毫秒后，可控硅關(guān)斷，電流截止，完成切除動作。如專利號“200810050960.3”，名稱為“智能編組復合開關(guān)”:切除單相電容器時，單片機根據(jù)接收到的命令，先發(fā)出交流電子開關(guān)的觸發(fā)導通命令，交流電子開關(guān)便在電壓過零時自動導通。專利號“200820216223.1”，名稱為“一種動態(tài)無功補償?shù)闹悄軓秃祥_關(guān)”認為:切出操作時，只需先給出可控硅程序發(fā)出觸發(fā)信號，再發(fā)出繼電器斷開的信號，延遲數(shù)十毫秒后撤掉可控硅觸發(fā)信號，利用可控硅自身特性在電流過零時自行切斷。專利號“201110032781.9”，名稱為“一種智能復合型集成開關(guān)”:當控制器單元3接收到某一相要切斷補償電容器的指令時，啟動雙向可控硅驅(qū)動觸發(fā)電路，使雙向可控硅導通并入磁保持開關(guān)上，然后再指示開關(guān)驅(qū)動觸發(fā)電路輸出脈沖負電壓，使開關(guān)觸點轉(zhuǎn)換為常開狀態(tài)，最后，控制器單元指示雙向可控硅驅(qū)動觸發(fā)電路自動尋找過零點關(guān)閉雙向可控硅，切斷補充電容器。專利號“201020652595.6”，名稱為“動態(tài)復合開關(guān)”:當自動無功補償控制器要撤出某一電路電容器時，給復合開關(guān)發(fā)出撤出信號，主控制芯片接收撤除信號，即命令可控硅元件導通，延時少于I秒后使磁保持繼電器失電，磁保持繼電器主觸點與補償電容器斷開后，補償電容器還通過可控硅元件繼續(xù)工作。延時少于I秒后，主控制芯片輸出為0，光耦觸發(fā)器截止，可控硅元件將在電流過零處于電容器斷開，補償電容器無涌流退出運行。專利號“201120498683.X”，名稱為“一種復合開關(guān)”:當開關(guān)電路接到主控電路發(fā)出的分閘信號時，先有大電流使雙向可控娃導通，然后繼電器斷開，雙向可控娃從滿負載電流到零截止，事實上，在繼電器斷開前，雙向可控硅并未導通。又如專利號“ZL201220121016”，名稱為一種過零投切的接觸器復合開關(guān)的實用新型專利中，認識到目前接觸器類復合開關(guān)不能在電流過零時分斷的缺陷，因此，在現(xiàn)有復合開關(guān)具備零電壓投入功能的基礎上，對控制信號進行監(jiān)測，當檢測到控制信號撤除時仍保證控制電路的供電，并再次接通并聯(lián)的可控硅，等接觸器觸點完全分斷后，再使可控硅零電流關(guān)斷，實現(xiàn)了電壓過零接通和電流過零分斷電力電容器的功能，事實是:在這種工作狀態(tài)下，接觸器觸點斷開時，可控硅并未導通。所以接觸器觸點在這種狀態(tài)下形成電弧是必然，也就必然會影響復合開關(guān)的可靠性。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是:提供一種在電流過零可控硅導通，使復合開關(guān)切出過程更可靠的可控硅復合開關(guān)，可以提高復合開關(guān)工作效率和使用壽命，供電質(zhì)量高，可運用于頻繁投切，要求響應速度和投切精度很大的場合，克服已有技術(shù)的不足。為了達到上述目的，本實用新型的第一種技術(shù)方案是:一種可控硅復合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，且雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端相并聯(lián)，而其:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端。在上述第一個技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。在上述第一個技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。為了達到上述目的，本實用新型的第二種技術(shù)方案是:一種可控硅復合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，而其:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路與雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2相并聯(lián)；d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。在上述第二個技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。在上述第二個技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。為了達到上述目的，本實用新型的第三種技術(shù)方案是:一種可控硅復合開關(guān)，包括兩個單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端相并聯(lián)，而其:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ；b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端。在上述第三個技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當然，本實用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。為了達到上述目的，本實用新型的第四種技術(shù)方案是:一種可控硅復合開關(guān)，包括兩個單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，其特征在于:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ；[0031]b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點Κ2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點Κ2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端與由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端Α2相并聯(lián)；d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。在上述第四個技術(shù)方案，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當然，本實用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。本實用新型所具有的積極效果是:采用上述結(jié)構(gòu)后，本實用新型在投入時由雙向可控娃SCR先導通(電壓過零導通),后閉合第一、第二電磁開關(guān)K1、K2 ;在切出時,先分斷第一電磁開關(guān)Κ1，電流通過第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點Κ2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即雙向可控硅的兩個主端子之間有壓降，觸發(fā)雙向可控硅SCR (過零時觸發(fā))，雙向可控硅SCR導通，此時工作電流分別通過雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，但流經(jīng)雙向可控硅SCR的電流遠大于流經(jīng)第一電磁開關(guān)Kl的電流，將第一電磁開關(guān)Kl分斷，雙向可控硅SCR延時過零關(guān)斷。整個切出過程中，第一電磁開關(guān)Kl分斷時不承受電流，第二電磁開關(guān)Κ2分斷時只承擔很小的電流，也就是說通過對第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)Κ2的控制，實現(xiàn)電磁開關(guān)在分斷主電路電流前確?？煽毓柘葘?，然后分斷主電路的電磁開關(guān)觸點，使主電路觸點在微小電流分斷，最后控制可控硅在電流過零點關(guān)斷。當然，雙向可控硅SCR也可以替換成由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路，所產(chǎn)生的積極效果與雙向可控硅相同。本實用新型使得主電路在切出前能使可控硅真正實現(xiàn)過零導通，并在可控硅導通的狀態(tài)下，分斷主電路的電磁開關(guān)觸點，從而徹底克服了現(xiàn)有技術(shù)在電磁開關(guān)分斷時其觸點產(chǎn)生大量電弧的缺陷，解決了行業(yè)現(xiàn)有技術(shù)中電磁開關(guān)切斷主電路電流時，電磁開關(guān)觸點產(chǎn)生大量電弧而導致復合開關(guān)工作不可靠的問題，解決了行業(yè)中目前普遍存在的認識誤區(qū)，大大提高了復合開關(guān)工作的可靠性和實用性、延長了復合開關(guān)的壽命，為電容器無功補償?shù)耐肚泻椭悄茈娋W(wǎng)的建設起積極作用。

圖1為本實用新型第一種具體實施的電路原理示意圖；圖2為本實用新型第二種具體實施的電路原理示意圖；圖3為本實用新型第三種具體實施的電路原理示意圖；圖4為本實用新型第四種具體實施的電路原理示意圖；圖5為現(xiàn)有的復合開關(guān)的電路原理示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。實施例1如圖1所示，一種可控硅復合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Κ1，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子Τ2，且雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子Τ2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端相并聯(lián)，還包括第二電磁開關(guān)Κ2和電阻R ;第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點Κ2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點Κ2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點K1-1的兩端。本實用新型的所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當然，本實用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實施例1使用時，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2均選用磁保持繼電器為例。雙向可控娃SCR的控制端G與可控娃驅(qū)動電路的觸發(fā)信號控制端電連接,第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器K2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動電路相應的連接端電連接，雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2分別與無功補償電路或者電機驅(qū)動電路相應的連接端電連接。實施例1的工作過程:在投入時由雙向可控硅SCR先導通(電壓過零導通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器K1、K2 (當然，也可以僅僅閉合第一磁保持繼電器Kl);在切出時，分斷第一磁保持繼電器Kl,(若投入時僅僅閉合第一磁保持繼電器Kl,則切出時先閉合第二磁保持繼電器K2，再分斷第一磁保持繼電器K1，)電流通過第二磁保持繼電器K2的常開觸點K2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2之間有壓降，此時，觸發(fā)雙向可控硅SCR導通(過零時觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)雙向可控硅，再分斷第二磁保持繼電器K2，最后雙向可控硅SCR斷開。實施例2如圖2所示，一種可控硅復合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)K1，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路與雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2相并聯(lián)；第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。本實用新型的所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。 當然，本實用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實施例2使用時，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2均選用磁保持繼電器為例。雙向可控娃SCR的控制端G與可控娃驅(qū)動電路的觸發(fā)信號控制端電連接,第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器K2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動電路相應的連接端電連接，雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2分別與無功補償電路或者電機驅(qū)動電路相應的連接端電連接。實施例2的工作過程:在投入時由雙向可控硅SCR先導通(電壓過零導通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器K1、K2 ;在切出時，分斷第一磁保持繼電器K1，電流通過第二磁保持繼電器K2的常開觸點K2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2之間有壓降，此時，觸發(fā)雙向可控硅SCR導通(過零時觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)雙向可控硅，再分斷第二磁保持繼電器K2，最后雙向可控硅SCR斷開。本實用新型的實施例1和實施例2若是要用于高壓場合，可以將本實用新型的單個雙向可控硅替換成多個雙向可控硅串聯(lián)構(gòu)成的電路。實施例3如圖3所示，一種可控硅復合開關(guān)，包括兩個單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個單向可控硅SCR1、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，兩個單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端相并聯(lián)，還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端。本實用新型的所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當然，本實用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實施例3使用時，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2均選用磁保持繼電器為例。兩個單向可控硅SCR1、SCR2分別具有的控制端Gl和控制端G2分別與可控硅驅(qū)動電路相應的觸發(fā)信號控制端電連接，兩個單向可控硅SCR1、SCR2的陰極和陽極分別與可控硅驅(qū)動電路相應的輸入端電連接，第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器K2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動電路相應的連接端電連接，兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2分別與無功補償電路或者電機驅(qū)動電路相應的連接端電連接。實施例3的工作過程:在投入時由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路先導通(電壓過零導通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器K1、K2;在切出時，分斷第一磁保持繼電器Κ1，電流通過第二磁保持繼電器Κ2的常開觸點Κ2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路的第一接線端Al和第二接線端Α2之間有壓降，此時，觸發(fā)可控硅電路導通(過零時觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)可控硅電路，再分斷第二磁保持繼電器Κ2，最后可控硅電路斷開。實施例4如圖4所示，一種可控硅復合開關(guān)，包括兩個單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個單向可控硅SCR1、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端Α2，還包括第二電磁開關(guān)Κ2和電阻R ;第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點Κ2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點Κ2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端與由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端Α2相并聯(lián)；第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。本實用新型所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)Κ2為繼電器或接觸器。當然，本實用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實施例4使用時，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)Κ2均選用磁保持繼電器為例。兩個單向可控硅SCR1、SCR2分別具有的控制端Gl和控制端G2分別與可控硅驅(qū)動電路相應的觸發(fā)信號控制端電連接，兩個單向可控硅SCR1、SCR2的陰極和陽極分別與可控硅驅(qū)動電路相應的輸入端電連接，第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器Κ2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動電路相應的連接端電連接，兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端Α2分別與無功補償電路或者電機驅(qū)動電路相應的連接端電連接。實施例4的工作過程:在投入時由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路先導通(電壓過零導通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器Κ1、Κ2;在切出時，分斷第一磁保持繼電器K1，電流通過第二磁保持繼電器K2的常開觸點K2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路的第一接線端Al和第二接線端A2之間有壓降，此時，觸發(fā)可控硅電路導通(過零時觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)可控硅電路，再分斷第二磁保持繼電器K2，最后可控硅電路斷開。本實用新型的實施例3和實施例4若是要用于高壓場合，可以將本實用新型的兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路替換成多組兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路的串聯(lián)電路。本實用新型可應用于電容補償領(lǐng)域，以及需要控制電路通斷的場合。由此可知，本實用新型在切出時，可控硅SCR導通時滿足了兩端有壓降和觸發(fā)信號兩個必要條件，電磁開關(guān)觸頭也不易損壞，大大提高了復合開關(guān)工作的可靠性和工作效率、延長了工作壽命，供電質(zhì)量高，可運用于頻繁投切，要求響應速度和投切精度很大的場
口 ο以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，但是并不局限于此，應當指出:對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種可控硅復合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，且雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端相并聯(lián)，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R； b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)； C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅復合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可控硅復合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。
4.一種可控硅復合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R； b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)； c、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路與雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2相并聯(lián)； d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可控硅復合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的可控硅復合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。
7.—種可控硅復合開關(guān)，包括兩個單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，兩個單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端相并聯(lián)，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R; b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)； C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可控硅復合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
9.一種可控硅復合開關(guān)，包括兩個單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R; b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)； C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端與由兩個單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2相并聯(lián)； d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可控硅復合開關(guān)， 其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
專利摘要本實用新型公開一種可控硅復合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)K1，雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且雙向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2與第一電磁開關(guān)K1的常開觸點K1-1的兩端相并聯(lián)，而其還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R；第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)K1的常開觸點K1-1的兩端。本實用新型具有在電流過零可控硅導通，且切出過程更可靠等優(yōu)點。
文檔編號H02J3/18GK202949230SQ201220631629
公開日2013年5月22日 申請日期2012年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月27日
發(fā)明者顧金華 申請人:常州市宏大電氣有限公司