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介電涂層和制品的制作方法

文檔序號:7421224閱讀:327來源:國知局
專利名稱:介電涂層和制品的制作方法
介電涂層和制品本發(fā)明涉及具有高的但是準確定義的表面電阻率的介電涂層以及制品。在許多具有介電涂層或者具有主要由介電材料組成的制品的應(yīng)用中,如塑料部件、膜或者帶材,有必要專門改變材料的電性能。這通常是通過使用合適的具有相應(yīng)性質(zhì)的添加劑進行,例如填料或者顏料。因此,已知例如通過加入導(dǎo)電顏料以顯著提高介電粘結(jié)劑的層的導(dǎo)電性。目前導(dǎo)電顏料用于各個應(yīng)用領(lǐng)域中,例如用于抗靜電涂層、抗靜電地板覆層、防爆室的抗靜電處理或者用于塑料上漆的導(dǎo)電底漆。在這些應(yīng)用中,低的表面電阻和體積電阻是必要的,以確保操作安全的電狀況。對于所使用的顏料,因此存在著導(dǎo)電性盡可能良好的要求。通常使用炭黑或石墨,以增高介電材料的導(dǎo)電性。這些材料滿足高導(dǎo)電性的要求,但是具有缺點,即它們是黑色的并從而總是導(dǎo)致所摻入的材料發(fā)黑。因此這種解決方法局限于深色至黑色的應(yīng)用,且由于此限制并不總是實用的。為了生產(chǎn)淺色和透明的涂層,基于透明的薄片狀基材的導(dǎo)電性顏料是已知的。這些顏料例如由涂覆有(Sn,Sb) O2或者涂覆有Ti02/Si02/ (Sn, Sb) O2層序列的云母組成(例如來自Merck KGaA的Minatec 31CM或者30CM)。在一個實施例中,基材由云母和球形SiO2顆粒的混合物組成。由Merck KGaA生產(chǎn)和銷售的該類型的顏料例如描述于專利DE3842330 和 DE4237990 (Merck)、EP0139557 (Catalysts&Chemicals Ind.)或者 EP0359569和EP0743654(DuPont)以及U.S.7,416,688 (Merck)中。此類顏料是透明的,具有淺色的本色并具有高導(dǎo)電性。使用這些顏料可以獲得具有在千歐姆范圍內(nèi)的表面電阻率的淺色或者透明的導(dǎo)電涂層。該值適用于直流電壓和低頻率交流電壓。表面電阻率σ是基于方形計的在平面上測量的電阻。 另一個通用術(shù)語是方塊電阻。這些顏料與目前主要習(xí)慣使用的導(dǎo)電顏料炭黑的區(qū)別在于,它們具有淺的顏色和更高的透明度。因此,顏色和導(dǎo)電性可以非常好的方式結(jié)合,而在使用炭黑時總是局限于深色。與炭黑或者石墨相反,所述顏料另外提供了通過組分和選擇制備參數(shù)來調(diào)節(jié)導(dǎo)電性的可能性。采用所述顏料能夠生產(chǎn)具有在大約100歐姆至100兆歐姆范圍內(nèi)的表面電阻率的導(dǎo)電性、抗靜電和抗靜電耗散的涂層。在大多數(shù)應(yīng)用中期望低電阻,優(yōu)選介于I千歐姆和I兆歐姆之間。然而,如果需要在更高歐姆范圍的電阻,則這些通過修改配方,主要通過降低導(dǎo)電顏料的使用量或者加入非導(dǎo)電性填料來調(diào)節(jié)。在炭黑或者石墨的情況下,以及在其它導(dǎo)電無機材料例如SiC的情況下,這是控制導(dǎo)電性介電制劑的層或者體積的電阻的唯一方法。在高于100兆歐姆的更高電阻區(qū)域(較低的導(dǎo)電性,部分導(dǎo)電的層)內(nèi),合適的制劑的配制因此是困難的,因為介電粘結(jié)劑和導(dǎo)電顏料構(gòu)成的體系位于滲濾曲線的陡峭區(qū)域中并且在使用濃度、濕度、溶劑含量、光或者體系的均勻性方面極小的改變導(dǎo)致導(dǎo)電性的重要變化。因此,調(diào)節(jié)和維持涂層或者體積的限定的電阻極其困難。另外,在由介電粘結(jié)劑、任選的添加劑和導(dǎo)電顏料組成的非均相和微觀不均勻的體系中,電相互作用極其復(fù)雜,并且不能由串聯(lián)和并聯(lián)歐姆電阻的簡化電路圖來表示。更確切說,在微觀區(qū)域中粘結(jié)劑體系的介電常數(shù)和擊穿強度以及阻抗也起著至關(guān)重要的作用,特別是在對于導(dǎo)電顏料的滲濾閾值的邊界區(qū)域內(nèi)或更低區(qū)域內(nèi)。這種復(fù)雜的電相互作用的效果是,導(dǎo)電性的頻率依賴性在導(dǎo)電顏料的此濃度范圍中大大增加,并且電阻可以波動非常強烈。由于粘結(jié)劑基體的熱膨脹,還出現(xiàn)電學(xué)數(shù)據(jù)很強的溫度依賴性。其它溶脹或者收縮過程,例如由于持續(xù)交聯(lián)、由于增塑劑或者溶劑的蒸發(fā)或滲出、或者溶劑蒸氣或水蒸氣的吸收,也可以導(dǎo)致電性質(zhì)方面顯著的變化。然而,也可能發(fā)生不可逆過程,例如如果由于一次性施加電場或者由于溫度影響而使得性質(zhì)改變微觀結(jié)構(gòu)的話。如果介電基體中顏料體積濃度高于滲濾閾值,則在含顏料的材料中實現(xiàn)低電阻值。滲濾閾值是在電介質(zhì)中可以形成連續(xù)傳導(dǎo)路徑的最小導(dǎo)電顏料濃度。在此濃度范圍內(nèi),當(dāng)顏料體積濃度微小變化時,材料的電阻發(fā)生十的指數(shù)級變化。典型地,該閾值為制劑中10-20體積%的顏料。如果顏料體積濃度低于此閾值,電阻主要由介電基質(zhì)材料來確定。以漆料或成型體形式的這些材料的表面電阻率,在干燥的氣氛中通常位于萬億歐姆的范圍內(nèi)。具有表面電阻率在IO8-1O13歐姆范圍內(nèi)的涂層或功能材料,例如在高壓技術(shù)或在傳感器元件中非常令人感興趣。將具有非線性特性的半導(dǎo)體功能材料,在電子工程中有針對性地用于控制電子組件的功能。非線性特性的實例是電壓依賴性電阻。這類應(yīng)用例如在Andreas K u chler的《Hochspannungstechnik》(Springer出版社,第3版,2009)或在第3屆ETG-專題會議(Wurzburg, 2008)的ETG-專業(yè)報告110和112中有描述。具有電壓依賴性電阻的材料例如作為壓敏電阻(Varistor)使用。具有電壓依賴性電阻的半導(dǎo)體涂層和帶材用于高壓絕緣中的電場控制,例如用于電纜設(shè)備中電阻性場控制?,F(xiàn)有技術(shù)中是復(fù)合材料由碳化硅和介電粘結(jié)劑以涂料或帶材的形式構(gòu)成。

此處,對于改善的材料性能有持續(xù)的要求。在DE19839285中建議,將用摻銻的氧化錫涂覆的導(dǎo)電性顏料在帶材中用于發(fā)電機中的終端電暈防護(Endengl immschutz)。在該發(fā)明中,使用具有高導(dǎo)電性的顏料,劑量介于滲濾閾值的范圍內(nèi)。所述的顏料在摻銻的氧化錫中包含12至15Mol%的氧化銻,帶材的電阻通過顏料在樹脂基質(zhì)中的濃度調(diào)節(jié)。但是使用具有高導(dǎo)電性的導(dǎo)電性顏料僅能很困難地調(diào)節(jié)得到在IO8至IO13歐姆范圍內(nèi)的電阻率,因為對于高電阻的功能材料,必須配制顏料濃度在滲濾閾值范圍內(nèi)的制劑。在此濃度范圍內(nèi),電性能會發(fā)生跳躍性改變。輕微的濃度波動、交聯(lián)度、殘留溶劑含量或水含量或者還有外部參數(shù)如溫度可以使功能材料的電阻以十的數(shù)次冪的量級波動。穩(wěn)定的狀態(tài)僅能花費很大成本來調(diào)節(jié)和維持。通過低濃度的導(dǎo)電性顏料準確控制介電材料中高電阻的方法,在實踐中并不合適。因此迫切需要一種顏料,用其可獲得具有可良好調(diào)節(jié)的和穩(wěn)定的電特性的半導(dǎo)體功能材料。然而,對于部分導(dǎo)電涂層的特定應(yīng)用,例如用于電子設(shè)備中的電勢控制,特定的高電阻的層(部分導(dǎo)電的層)是必要的,由于電場作用的電阻波動或者甚至是不可逆的變化是不能容忍的。本發(fā)明的目的是找到由介電粘結(jié)劑、任選地其他的介電添加劑和半導(dǎo)體顏料構(gòu)成的具有定義的電性能的組合物。涂層應(yīng)當(dāng)優(yōu)選是淺色或者透明的。此外,所述涂層應(yīng)當(dāng)具有盡可能低的電阻的頻率依賴性。令人吃驚地,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)如果在介電涂層或者制品中半導(dǎo)體顏料的顏料體積濃度為10%或者更高,則可以制得包含半導(dǎo)體顏料、介電粘結(jié)劑和任選地其他的介電添加劑的淺色介電涂層和制品,其具有大于或者等于IO8歐姆的高的定義的表面電阻率。在一個優(yōu)選的實施方式中,-顏料的粉末電阻率大于100千歐姆.厘米并且小于I千兆歐姆.厘米,和/或-半導(dǎo)體顏料由氧化錫、摻雜的二氧化錫、用氧化錫或摻雜的二氧化錫涂覆的載體、摻雜的二氧化鈦、鈦低價氧化物或者用二氧化鈦或鈦低價氧化物涂覆的載體組成。在本專利申請中“半導(dǎo)體顏料”意指具有如下性質(zhì)的顏料:與具有小于100千歐姆.厘米、優(yōu)選小于I千歐姆.厘米的粉末電阻率的導(dǎo)電顏料相反,半導(dǎo)體顏料的粉末電阻率在100千歐姆 厘米至100兆歐姆 厘米的范圍內(nèi)。含有半導(dǎo)體顏料的涂層的電阻范圍位于電阻率在兆歐姆至萬億歐姆范圍內(nèi)的絕緣材料的電阻范圍下限區(qū)域。

半導(dǎo)體顏料粉末的電性質(zhì)的特征在于粉末電阻率。為了測量顏料粉末的電阻率,將填充高度為0.5至Icm的顏料填入具有2cm內(nèi)直徑的丙烯酸玻璃管中,借助IOkg重量將其壓縮在兩個相對的金屬沖頭之間。通過在所述兩個金屬沖頭上施加歐姆計測量由此得到的顏料壓塊的電阻R。由顏料壓塊的層厚度L、直徑d以及測量的電阻R根據(jù)下式計算顏料的粉末電阻率P:P =[R.31.(d/2)2]/L[歐姆.厘米]。顏料體積濃度由半導(dǎo)體顏料的體積除以由粘結(jié)劑、半導(dǎo)體顏料和任選地填料以及其他的添加劑組成的涂層或者制品的總體積得到,商乘以100并以%表示。在一個優(yōu)選的實施方式中,半導(dǎo)體顏料由涂有二氧化錫的云母薄片組成,其中所述二氧化錫還可以是經(jīng)摻雜的。二氧化錫層優(yōu)選是經(jīng)摻雜的,但不必須被摻雜。任選地,半導(dǎo)體二氧化錫的活化可足以對于大于100千歐姆 厘米的粉末電阻率實現(xiàn)電導(dǎo)率。這種活化步驟例如可以是在氮氣、氬氣、CO2或者另一種惰性氣體下的灼燒,在弱還原性條件下的灼燒或者曝露于UV光。在此過程中,二氧化錫被轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài),其通過冷卻被凍結(jié)并且導(dǎo)致低電導(dǎo)率。然而,二氧化錫優(yōu)選是經(jīng)摻雜的。銻和氟特別適合于摻雜。特別優(yōu)選用銻摻雜。電導(dǎo)率以及由此粉末電阻率也取決于載體上二氧化錫層的厚度。二氧化錫層的層厚度優(yōu)選為15至50nm。然而,合適的具有用> 100千歐姆.厘米至100兆歐姆.厘米的粉末電阻率表示的低電導(dǎo)率的半導(dǎo)體顏料還可以通過用薄的或者不完全連續(xù)的、具有較高電阻的層來后涂覆導(dǎo)電顏料而制備。這種層可以例如由3102和/或A1203、ZnO或者由TiO2組成。那么這些涂層比載體上的部分導(dǎo)電二氧化錫層更薄,并且可以具有I至15nm、優(yōu)選5_10nm的平均厚度。然而也可以考慮有機涂層,例如常用于耐候穩(wěn)定化和疏水化無機顏料的那些。典型的例子是具有有機硅烷的涂層。通過較高更導(dǎo)電的顏料的后涂覆控制電導(dǎo)率的方法也可以應(yīng)用于無載體的二氧化錫以及應(yīng)用于由無載體的導(dǎo)電顏料與在載體上的那些組成的混合物??刂齐妼?dǎo)率和調(diào)節(jié)粉末電阻率>100千歐姆*厘米的另一方法是用降低導(dǎo)電性的離子共摻雜,例如通過在晶格中形成電子陷阱或者通過降低晶體中的電子活動性。通過其降低銻摻雜的二氧化錫的電導(dǎo)率的此類離子例如是鈉或者鈦。調(diào)節(jié)定義的低電導(dǎo)率的其他的途徑在于選擇干燥和灼燒參數(shù),例如溫度、時間和組成和大氣壓力。
除了二氧化錫之外,其它半導(dǎo)體金屬氧化物和在載體上的此類金屬氧化物層也適合于制備根據(jù)本發(fā)明的介電涂層。此類金屬氧化物的例子是任選摻雜的二氧化鈦、任選摻雜的氧化鋅或者錫酸鋅。合適的半導(dǎo)體顏料明確也可以是具有不同粉末電阻率的顏料的混合物。因此,例如具有小于100千歐姆*厘米的粉末電阻率的半導(dǎo)體顏料或者導(dǎo)電顏料可以與一種或多種具有大于100千歐姆*厘米的粉末電阻率的半導(dǎo)體顏料以使得混合物具有> 100千歐姆*厘米的粉末電阻率的方式混合。顏料是否以相應(yīng)的比例作為粉末預(yù)先混合還是分開加入到涂層制劑中在此并不重要。混合不同粉末電阻率的半導(dǎo)體顏料使得可以使用很少的顏料以精致的方式調(diào)節(jié)獲得很寬范圍的具有不同表面電阻的介電涂層。在一個特別優(yōu)選的實施方式中,作為導(dǎo)電層任選地在薄片狀基材上使用:-銻摻雜的二氧化錫,-氟摻雜的二氧化錫,-氯摻雜的二氧化錫,-鎢摻雜的二氧化錫,-鑰摻雜的二氧化錫,-銻和鈦摻雜的二氧化錫,-銻和鐵摻雜的二氧化錫,或-銻和磷摻雜的二氧化錫。特別優(yōu)選的是由銻摻雜的二氧化錫組成的導(dǎo)電層。在該優(yōu)選的實施方式中,錫與摻雜劑、特別是銻的摩爾比為99.99:0.01-97:3,特別是99.8:0.2-99:1。半導(dǎo)體顏料優(yōu)選由40_80wt%的基材和20_60wt%的半導(dǎo)體層組成,其中基材和半導(dǎo)體層的總和為100wt%。特別優(yōu)選的半導(dǎo)體顏料由40_80wt%的云母和20_60wt%的摻雜的二氧化錫層構(gòu)成。這里二氧化錫的量取決于使用的基材的比表面積。非常特別優(yōu)選的顏料由云母薄片組成,該云母薄片具有< 15 μ m粒度,通常涂覆有基于整個顏料計35-60wt%的摻雜的二氧化錫。與此相反,如果云母薄片具有〈60 μ m、優(yōu)選10-60 μ m的粒度,則顏料優(yōu)選包含20-40wt%的二氧化錫,基于整個顏料計。粒度數(shù)據(jù)在借助激光衍射的體積加權(quán)測量的情況下是指d9(l,例如使用Malvern公司的Mastersizer2000測定。特別優(yōu)選的顏料的平均粒度d5(l介于2和8 μ m之間。該類型的顏料經(jīng)常在應(yīng)用中在沉降行為、可分散性和/或涂層的均勻性方面顯示出優(yōu)勢。導(dǎo)電層的層厚優(yōu)選為20-70nm,特別是30_40nm。用介電的或其他的半導(dǎo)體材料的薄層對半導(dǎo)體顏料進行后涂覆通常有利于調(diào)節(jié)獲得較聞的電阻。特別優(yōu)選在半導(dǎo)體層上施加Ti02、Zn0、Al203、Cr203或者SiO2的薄層。層厚度通常為〈0.1 μ m、優(yōu)選〈0.05 μ m?;趯?dǎo)電層計,介電的或者半導(dǎo)體材料的量優(yōu)選為0.5_5wt%。
特別優(yōu)選的半導(dǎo)體顏料在基材薄片上具有下列的層結(jié)構(gòu):基材+SnO2 (摻雜的)基材+SnO2 (摻雜的)+TiO2基材+SnO2 (摻雜的)+SiO2基材+SnO2 (慘雜的)+ZnO基材+SnO2 (摻雜的)+Al2O3基材+SnO2 (摻雜的)+Cr2O3基材+Si02+Sn02 (摻雜的)基材+Ti02+Sn02 (摻雜的)。非常特別優(yōu)選的半導(dǎo)體顏料具有下列結(jié)構(gòu):云母薄片+SnO2 (摻雜的)云母薄片+SnO2 (摻雜的)+TiO2云母薄片+SnO2 (摻雜的)+SiO2云母薄片+SnO2 (摻雜的)+ZnO
云母薄片+SnO2 (摻雜的)+Al2O3Al2O3 薄片 +SnO2 (摻雜的)Al2O3 薄片 +SnO2 (摻雜的)+TiO2Al2O3 薄片 +SnO2 (摻雜的)+SiO2Al2O3 薄片 +SnO2 (摻雜的)+ZnOAl2O3 薄片 +SnO2 (摻雜的)+A1203。在優(yōu)選的實施方式中,摻雜優(yōu)選指的是氧化銻。在一個特別優(yōu)選的實施方式中,使用的是低電阻的半導(dǎo)體顏料,其優(yōu)選基于云母薄片,特別是具有粒度〈15 μ m的云母薄片。非常特別優(yōu)選的是具有粒度〈15 μ m的云母薄片,其覆蓋有基于基材計70wt%的導(dǎo)電層、優(yōu)選二氧化錫,其中所述導(dǎo)電層摻雜有基于導(dǎo)電層計lwt%的鋪。以這種方式,得到了低電阻的壓敏電阻顏料(Varistorpigmente),其在涂層中具有IO8歐姆表面電阻率和在200V/mm的場強度下為4.5的非線性系數(shù)α。高電阻顏料優(yōu)選由具有粒度< 15 μ m的云母薄片組成。非常特別優(yōu)選的是具有粒度< 15 μ m的云母薄片,其基于基材計有70wt%首先用導(dǎo)電層、優(yōu)選二氧化錫涂覆,其中所述導(dǎo)電層摻雜有基于導(dǎo)電層計0.25wt%的銻,并且隨后具有TiO2層,其中基于基材計所述TiO2含量為1.4wt%。含顏料的涂層的表面電阻率為IO12歐姆并且非線性系數(shù)α是4。在本申請中,低電阻涉及介電絕緣材料的電阻,并定義如下:由粘結(jié)劑和在11-20%的顏料體積濃度(PVK)下的半導(dǎo)體顏料組成的涂層的表面電阻率為IO7至IO9歐姆*厘米。在本申請中,高電阻定義如下:由粘結(jié)劑和PVK為12-20%的顏料組成的涂層的表面電阻率為IO11至IO13歐姆*厘米。涂層的層厚度大于10 μ m,優(yōu)選大于20 μ m。對于制備根據(jù)本發(fā)明的涂層或者制品而言顏料的組成并非關(guān)鍵,相反使用的顏料或者顏料混合物的粉末電阻率是關(guān)鍵。涂層例如是薄或厚的漆層、印刷層或者粉末漆層。制品例如是膜、帶材、板材、卷繞的膜和帶材,模制品例如絕緣頭以及上漆部件。本發(fā)明還涉及根據(jù)本發(fā)明的涂層在傳感器例如在平面接觸式傳感器中,在安全應(yīng)用例如在身份證件中隱藏的、通過電性質(zhì)識別的機器可讀條中,用于地板覆層,膜,陶瓷材料,玻璃,紙,激光標記,在熱防護,光學(xué)半導(dǎo)體和作為用于高壓技術(shù)的功能材料的用途。根據(jù)本發(fā)明的涂層特別適合于有目的地調(diào)節(jié)終端電暈屏蔽體系(Endenglimmschutzsystemen)的電性能,特別是在旋轉(zhuǎn)電機中的那些。特別地,將電導(dǎo)率隨著電場強度增加的材料用于終端電暈屏蔽。材料的非線性電導(dǎo)率的特征值是電流密度/場強度特性線。電流密度/場強度特性線通常具有S-形分布,其中試圖將終端電暈屏蔽的操作點置于S-形曲線的拐點區(qū)域內(nèi)。如果電流密度/場強度特性線用雙對數(shù)繪制,則在拐點區(qū)域內(nèi)特性線分布基本是線性的并且特征在于它的斜率。終端電暈屏蔽通常由施加于主絕緣體的帶或者涂漆形成,其中所述帶或者涂漆是由其中包埋入半導(dǎo)體顏料的聚合物基體形成,其中雙對數(shù)繪制的電流密度/場強度特性線的斜率,稱為非線性指數(shù)α,為大約3.3。取決于聚合物基體中顏料的顆粒大小和顆粒密度,在顆粒接觸點處形成導(dǎo)電性過渡區(qū)域,使得在終端電暈屏蔽中可以形成電流路徑。這些電流路徑的類型和數(shù)量關(guān)鍵地決定電流密度/場強度特性線的位置或者末端電暈屏蔽的電阻率。如此預(yù)定的期望的材料特性線可以通過半導(dǎo)體顏料實現(xiàn)。在這種情況下,顏料確定在設(shè)計點處雙對數(shù)繪制的電流密度/場強度特性線的斜率。對于制備根據(jù)本發(fā)明的涂層和制品而言,如上所述,關(guān)鍵的不是半導(dǎo)體顏料的組成,而是顏料或者顏料混合物的粉末電阻率。下列實施例用于更詳細地解釋本發(fā)明,而非限定它。
實施例`實施例1-4將IOOg的經(jīng)研磨和分級的具有< 15 μ m粒度的天然云母懸浮于1900ml去離子水中。在75°C攪拌下,在酸性條件下將50wt%的水性SnC14溶液、HCl和35wt%的水性SbCl3溶液滴加到所述懸浮液中。通過同時調(diào)節(jié)的計量加料加入氫氧化鈉溶液使PH保持恒定。在加入所有量的溶液之后,再在75°C下繼續(xù)攪拌30min,隨后在攪拌下冷卻至室溫,并中和所述反應(yīng)混合物。經(jīng)吸濾器過濾得到的顏料,用水洗滌,在140°C下干燥并在800°C下灼燒30min。取決于銻含量得到178g淺灰至赭黃色的顏料粉末(大約理論量的99%)。在試驗1-4中,顏料的粉末電阻通過氧化錫中銻含量的變化而變化,如在表I中所示。為了測量顏料粉末的電阻率,將0.5至3g量的顏料引入到內(nèi)直徑為2cm的丙烯酸玻璃管中,并借助IOkg重量將其壓縮在兩個對置的金屬沖頭之間。通過在所述兩個金屬沖頭上施加歐姆計測量由此得到的顏料壓塊的電阻R。由顏料壓塊的層厚度L和直徑d以及測得的電阻R根據(jù)下式計算顏料的電阻率P:P =[R.Ji.(d/2)2]/L[歐姆.厘米]。表I
權(quán)利要求
1.介電涂層和制品,特征在于,所述涂層和制品在每種情況下具有大于或等于IO8歐姆的表面電阻率,包含一種或多種半導(dǎo)體顏料、介電粘結(jié)劑和任選地其他的介電添加劑,其中在所述介電涂層或者制品中所述半導(dǎo)體顏料的顏料體積濃度> 10%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的介電涂層和制品,特征在于,所述半導(dǎo)體顏料的粉末電阻率>100千歐姆.厘米并且小于I千兆歐姆.厘米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的介電涂層和制品,特征在于,所述半導(dǎo)體顏料的粉末電阻率大于100千歐姆.厘米并且小于I千兆歐姆.厘米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3的一項或多項的介電涂層和制品,特征在于所述半導(dǎo)體顏料由氧化錫、摻雜的二氧化錫、涂覆有氧化錫或摻雜的二氧化錫的載體、摻雜的二氧化鈦、鈦低價氧化物或者涂有二氧化鈦或鈦低價氧化物的載體組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項或多項的介電涂層和制品,特征在于,所述顏料選自下列組 云母薄片+SnO2層(摻雜的) 云母薄片+SnO2層(摻雜的)+TiO2層 云母薄片+SnO2層(摻雜的)+SiO2層 云母薄片+SnO2層(摻雜的)+ZnO層 云母薄片+SnO2層(摻雜的)+Cr2O3層 z 母薄片+SnO2層(慘雜的)+Al2O3層 Al2O3薄片+SnO2層(摻雜的) Al2O3薄片+SnO2層(慘雜的)+TiO2層 Al2O3薄片+SnO2層(慘雜的)+SiO2層 Al2O3薄片+SnO2層(慘雜的)+ZnO層 Al2O3薄片+SnO2層(慘雜的)+Cr2O3層 Al2O3薄片+SnO2層(慘雜的)+Al2O3層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5的一項或多項的介電涂層和制品的用途,用于傳感器、安全應(yīng)用、地面覆層、膜、陶瓷材料、玻璃、紙、激光標記、熱防護、光學(xué)半導(dǎo)體中和作為用于高壓技術(shù)的功能材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的介電涂層和制品的用途,用于平面接觸式傳感器中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的介電涂層和 制品的用途,用于有目的地調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)電機中的終端電暈屏蔽體系的電性能。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有高的但是精確定義的表面電阻率的介電涂層及制品。
文檔編號H02K3/40GK103229249SQ201180057477
公開日2013年7月31日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者R·呂格爾, M·昆茨 申請人:默克專利股份有限公司
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