專利名稱：自激式開(kāi)關(guān)電源電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)輸出電壓進(jìn)行恒壓控制的反激型自激式開(kāi)關(guān)電源電路，更詳細(xì)來(lái) 說(shuō)，涉及在輸出上無(wú)負(fù)載或連接了輕負(fù)載時(shí)轉(zhuǎn)移到間歇振蕩動(dòng)作的自激式開(kāi)關(guān)電源電路。
背景技術(shù)：
開(kāi)關(guān)電源電路作為穩(wěn)定化電源被應(yīng)用于電池充電器或AC適配器等中。若大致區(qū) 分開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)方式(開(kāi)關(guān)方式)，則分為自激振蕩方式和他激振蕩方式，自激振蕩方 式，是將變壓器等的電感部件的反饋線圈中表現(xiàn)的電壓作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)，正反饋到開(kāi)關(guān)元件 的控制端子來(lái)進(jìn)行振蕩動(dòng)作的方式。作為穩(wěn)定化電源，為與在輸出側(cè)上連接的負(fù)載的大小無(wú)關(guān)使輸出電壓穩(wěn)定在預(yù)定 的設(shè)定電壓，以往比較變壓器的二次側(cè)輸出線間的輸出電壓和設(shè)定電壓，為使其差電壓消 失而控制在一次側(cè)一次振蕩動(dòng)作中的變壓器中流過(guò)勵(lì)磁電流的時(shí)間(導(dǎo)通動(dòng)作期間)，來(lái) 進(jìn)行輸出電壓的恒壓控制(例如專利文獻(xiàn)1)。以下，使用圖8至圖11說(shuō)明這種現(xiàn)有的自激式開(kāi)關(guān)電源電路100。圖中，1是電壓 有可能變化的不穩(wěn)定的直流電源，Ia是其高壓側(cè)端子，Ib是低壓側(cè)端子。另外，加是變壓器 2的一次線圈，2c是變壓器2的二次輸出線圈，2b、2d是在變壓器2的一次側(cè)設(shè)置的第一反 饋線圈和第二反饋線圈，第一反饋線圈2b以與一次線圈加相同的方向纏繞，第二反饋線圈 2d以與一次線圈加相反的方向纏繞。3是振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下記為FET)。21是在電路啟動(dòng)時(shí)為了對(duì)該FET3的 柵極提供正向偏置(換言之，閾值電壓Vth以上的柵極電壓)所使用的啟動(dòng)用電阻，與啟動(dòng) 用電阻21串聯(lián)連接的電阻25，是相對(duì)于啟動(dòng)用電阻21較小的電阻值，由此，在兩者的連接 點(diǎn)Jl對(duì)直流電源1的電壓進(jìn)行分壓，并輸出較低的直流電壓的情況下，電路不啟動(dòng)。12是與反饋電阻23 —起構(gòu)成導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路，在反饋線圈2b和FET3的柵極之間串 聯(lián)連接的反饋電容器，對(duì)是用于阻止向柵極的過(guò)大輸入的電阻，5是將集電極與FET3的柵 極連接、將發(fā)射極與低壓側(cè)端子Ib連接的截止控制晶體管。第二反饋線圈2d的一側(cè)，經(jīng)由串聯(lián)連接的整流二極管M和驅(qū)動(dòng)用電容器55與直 流電源1的低壓側(cè)端子Ib連接，另外，另一側(cè)直接與直流電源1的低壓側(cè)端子Ib連接，由 此形成了閉環(huán)。以驅(qū)動(dòng)用電容器陽(yáng)的充電方向作為正方向來(lái)配置整流二極管M，由此，通 過(guò)在第二反饋線圈2d中產(chǎn)生的反激電壓對(duì)驅(qū)動(dòng)用電容器55充電。整流二極管M和驅(qū)動(dòng)用電容器55的連接點(diǎn)J2，經(jīng)由光耦合器受光元件39與截止 控制晶體管5的基極J3連接，在基極J3和低壓側(cè)端子Ib之間連接了控制用電容器53。截止控制晶體管5的基極J3，經(jīng)由充放電電阻50也連接到FET3和分流電阻51的 連接點(diǎn)，通過(guò)一次線圈電流流過(guò)分流電阻51而引起的分流電阻51中的電壓對(duì)截止控制晶 體管5充電，當(dāng)基極J3的基極電壓達(dá)到截止控制晶體管5的動(dòng)作電壓時(shí)，截止控制晶體管 5的集電極、發(fā)射極間導(dǎo)通。光耦合器受光元件39與變壓器2的二次側(cè)的光耦合器發(fā)光元件35光耦合來(lái)工作，當(dāng)接收到來(lái)自光耦合器發(fā)光元件35的光時(shí)，從連接點(diǎn)J2向J3流過(guò)與其受光量成比例 的電流。在二次輸出線圈2c側(cè)表示的4和13分別是構(gòu)成整流濾波電路的整流用二極管以 及濾波電容器，對(duì)二次輸出線圈2c的輸出進(jìn)行整流濾波，然后在高壓側(cè)輸出線20a和低壓 側(cè)輸出線20b之間輸出。在高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b之間串聯(lián)連接了分壓電阻30、31，將其中 間抽頭32與誤差放大器33的反相輸入端子連接，在反相輸入端子上輸入了成為輸出電壓 的分壓的輸出檢測(cè)電壓。在誤差放大器33的同相輸入端子和低壓側(cè)輸出線20b之間連接 基準(zhǔn)電源34，在同相輸入端子上輸入了用于與輸出檢測(cè)電壓比較的基準(zhǔn)電壓。基準(zhǔn)電壓是 通過(guò)分壓電阻30、31對(duì)高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b之間的進(jìn)行恒壓控制的預(yù)定 的設(shè)定電壓分壓而得的電壓，因此誤差放大器33的輸出值表示輸出電壓相對(duì)于設(shè)定電壓 的差電壓。在誤差放大器33的輸出側(cè)連接了光耦合器發(fā)光元件35，其經(jīng)由電阻36與高壓側(cè) 輸出線20a連接，根據(jù)誤差放大器33的輸出值而閃爍。因此，光耦合器發(fā)光元件35以與上 述差電壓對(duì)應(yīng)的發(fā)光量發(fā)光，與光耦合器發(fā)光元件35光耦合的一次側(cè)的光耦合器受光元 件39，從連接點(diǎn)J2向J3流過(guò)與差電壓對(duì)應(yīng)的電流。如此構(gòu)成的自激式開(kāi)關(guān)電源電路100，當(dāng)初次在電源1的高壓側(cè)端子Ia和低壓側(cè) 端子Ib上施加直流電壓時(shí)，經(jīng)由啟動(dòng)用電阻21對(duì)反饋電容器12充電(圖中下方的電極為 +，上方極性為-)，反饋電容器12的充電電壓慢慢上升。當(dāng)反饋電容器12的充電電壓達(dá)到 閾值電壓Vth時(shí)，對(duì) Τ3的柵極施加正向偏置電壓，F(xiàn)ET3導(dǎo)通(漏-源極間導(dǎo)通)。(現(xiàn)有的連接了額定消耗功率的負(fù)載的動(dòng)作)以下，參照?qǐng)D9、圖10說(shuō)明在輸出線20a、20b間連接了額定消耗功率的負(fù)載的情況 下的自激振蕩動(dòng)作。圖9和圖10表示在圖8所示的現(xiàn)有的自激式開(kāi)關(guān)電源電路100中，施 加電源電壓為200V的直流電源1、將啟動(dòng)用電阻21和電阻25的各自的電阻值設(shè)為1. 5ΜΩ 和IOOkQ、將反饋電容器12的電容和反饋電阻23的電阻值設(shè)為0.01 μ F、100 Ω來(lái)使其自 激振蕩的狀態(tài)下，圖8的(1)至(6)所示的各部的動(dòng)作波形。當(dāng)FET3導(dǎo)通，開(kāi)始從直流電源1向串聯(lián)連接的一次線圈加流過(guò)勵(lì)磁電流時(shí)，在變 壓器2的各線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)(參照?qǐng)D10的t2到、間的(5)所示的第一反饋線圈 2b的電壓波形)，在變壓器2中積蓄勵(lì)磁能量。此時(shí)，通過(guò)在一次線圈加中流過(guò)的電流，在 分流電阻51的FET3側(cè)、連接點(diǎn)J4中產(chǎn)生的電壓經(jīng)由充放電電阻50對(duì)控制用電容器53充 電。流過(guò)一次線圈加的電流隨著導(dǎo)通后的時(shí)間大體直線上升，由此，當(dāng)控制用電容器53的 充電電壓達(dá)到截止控制晶體管5的動(dòng)作電壓(圖9(a)的、)時(shí)，集電極-發(fā)射極間成為導(dǎo) 通狀態(tài)，F(xiàn)ET3的柵極通過(guò)截止控制晶體管5實(shí)質(zhì)上成為短路狀態(tài)，F(xiàn)ET3截止。當(dāng)FET3截止，流過(guò)變壓器的電流實(shí)質(zhì)上被切斷時(shí)，在各線圈中產(chǎn)生所謂的反激電 壓(感應(yīng)逆電動(dòng)勢(shì))(圖9(d)的、到、)。此時(shí)，二次輸出線圈2c中產(chǎn)生的反激電壓通過(guò) 由整流用二極管4和電容器13形成的整流濾波電路被整流濾波，作為提供給在輸出線20a、 20b間連接的負(fù)載的電力而被輸出。另一方面，在第一反饋線圈2b中產(chǎn)生的反激電壓，與通過(guò)在輸出側(cè)連接的負(fù)載而 在二次線圈2c中產(chǎn)生的反激電壓存在比例關(guān)系，通過(guò)在該反饋線圈2b中產(chǎn)生的反激電壓(圖10的、到、間的(5))對(duì)反饋電容器12充電(圖10的、到、間的(6)，圖8中，下 方的電極為+，上方極性為_(kāi))。當(dāng)連接額定消耗功率的負(fù)載，對(duì)二次線圈2c中產(chǎn)生的反激電壓進(jìn)行整流濾波后 的高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b間的輸出電壓未達(dá)到由基準(zhǔn)電源；34的基準(zhǔn)電源 決定的設(shè)定電壓的狀態(tài)下(以下稱為過(guò)渡狀態(tài))，光耦合器發(fā)光元件35不發(fā)光，因此，從控 制用電容器53在充放電電阻50和分流電阻51中流過(guò)放電電流，其充電電壓、即截止控制 晶體管5的基極電壓降低，成為動(dòng)作電壓以下。但是，截止控制晶體管5的基極、集電極間 作為等價(jià)二極管而起作用，把從一次電流檢測(cè)電阻51到充放電電阻50、從截止控制晶體管 5的基極到集電極、反饋電阻23作為充電電流的路徑，從第一反饋線圈2b對(duì)反饋電容器12 充電。當(dāng)通過(guò)感應(yīng)逆電動(dòng)勢(shì)，在二次輸出線圈2c中積蓄的電能的釋放結(jié)束時(shí)U1時(shí))，針 對(duì)柵極作為逆偏置而起作用的反饋線圈2b的反激電壓降低(圖10的、到t2間的(5))， 通過(guò)至此在反饋電容器12中保持的充電電壓(圖10的(6))，F(xiàn)ET3的柵極電壓超過(guò)閾值電 壓Vth(圖9(b)以及圖10的⑵&t2)，F(xiàn)ET3再次導(dǎo)通，這樣重復(fù)一連串的振蕩動(dòng)作。在此，在一次的振蕩周期中在變壓器2中積蓄的能量大體與FET3的導(dǎo)通動(dòng)作期 間、即在導(dǎo)通(t2)后截止控制晶體管5的基極電壓達(dá)到動(dòng)作電壓(、)前的時(shí)間的平方成比 例，在二次側(cè)的輸出電壓未達(dá)到設(shè)定電壓的過(guò)渡狀態(tài)下，光耦合器發(fā)光元件35不發(fā)光，因 此與控制用電容器53的充電速度無(wú)關(guān)，而以由分流電阻51的電阻值決定的最大導(dǎo)通時(shí)間 進(jìn)行動(dòng)作。將最大導(dǎo)通時(shí)間設(shè)定為在變壓器2中積蓄的能量比由額定消耗功率的負(fù)載和 自激式開(kāi)關(guān)電源電路100的開(kāi)關(guān)動(dòng)作消耗的能量的和稍大，因此，每當(dāng)重復(fù)進(jìn)行達(dá)到設(shè)定 電壓之前的振蕩時(shí)，輸出電壓上升，當(dāng)超過(guò)設(shè)定電壓時(shí)轉(zhuǎn)移到恒壓輸出控制下的通常的連 續(xù)自激振蕩動(dòng)作。當(dāng)高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b間的輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓時(shí)，光耦合 器發(fā)光元件35以與其差電壓對(duì)應(yīng)的光量發(fā)光，光耦合的光耦合器受光元件39從連接點(diǎn)J2 向連接點(diǎn)J3流過(guò)與差電壓成比例的電流。在FET3的截止動(dòng)作期間中，在第二反饋線圈2d中產(chǎn)生了反激電壓的期間，以該反 激電壓經(jīng)由整流二極管M對(duì)驅(qū)動(dòng)用電容器55充電，同時(shí)經(jīng)由光耦合器受光元件39流過(guò)與 差電壓成比例的、對(duì)控制用電容器53充電的充電電流，將控制用電容器53的基極電壓保持 在動(dòng)作電壓以上。直到變壓器2中積蓄的能量消失的、為止，當(dāng)輸出電壓由于負(fù)載的功率消耗而達(dá) 到設(shè)定電壓以下時(shí)，光耦合器發(fā)光元件35熄滅，從連接點(diǎn)J2到連接點(diǎn)J3間被切斷，從控制 用電容器53在充放電電阻50和分流電阻51中流過(guò)放電電流，截止控制晶體管5的基極電 壓達(dá)到動(dòng)作電壓以下，集電極、發(fā)射極間被切斷。其結(jié)果，在反饋線圈2b的反激電壓降低的 時(shí)刻(t2)，與上述同樣地，通過(guò)在反饋電容器12中保持的充電電壓，F(xiàn)ET3的柵極電壓超過(guò) 閾值電壓Vth，F(xiàn)ET3導(dǎo)通。在FET3導(dǎo)通后的導(dǎo)通動(dòng)作期間中，以在分壓電阻51中產(chǎn)生的電壓經(jīng)由充放電電 阻50對(duì)控制用電容器53充電，同時(shí)，在截止動(dòng)作期間中通過(guò)在第二反饋線圈2d中產(chǎn)生的 反激電壓被充電的驅(qū)動(dòng)用電容器陽(yáng)也向控制用電容器53流過(guò)充電電流，加速控制用電容 器53的充電，截止控制晶體管5的基極電壓比所設(shè)定的最大導(dǎo)通時(shí)間早地達(dá)到動(dòng)作電位。
由此，在FET3的柵極和低壓側(cè)端子Ib間，通過(guò)截止控制晶體管5實(shí)質(zhì)上成為短路 狀態(tài)，F(xiàn)ET3在導(dǎo)通后迅速截止。其結(jié)果，一個(gè)振蕩周期內(nèi)的導(dǎo)通時(shí)間被縮短，在變壓器2中 積蓄的能量降低，因此輸出電壓降低，經(jīng)過(guò)這樣的過(guò)程進(jìn)行輸出電壓的恒壓控制。(現(xiàn)有的無(wú)負(fù)載的待機(jī)中的動(dòng)作)另外，在輸出線20a、20b間未連接負(fù)載的無(wú)負(fù)載情況下、或連接了輕負(fù)載的情況 下，在輸出側(cè)消耗的能量少，因此在變壓器2中積蓄能量的動(dòng)作期間短，因此直到該能量消 失的、為止的時(shí)間也短，在不進(jìn)行恒壓控制的情況下，一個(gè)振蕩周期縮短。另一方面，由于 不通過(guò)負(fù)載消耗電力或電力消耗較小，因此即使到了在變壓器2中積蓄的能量消失的時(shí)刻 (、)，輸出電壓也成為設(shè)定電壓以上。其結(jié)果，光耦合器發(fā)光元件35發(fā)光，第二線圈2d的反激電壓消失，即使到了應(yīng)該 通過(guò)通常的連續(xù)自激振蕩動(dòng)作導(dǎo)通的時(shí)刻(t2)，流過(guò)從驅(qū)動(dòng)用電容器55經(jīng)由光耦合器受光 元件39對(duì)控制用電容器53充電的充電電流，基極電壓保持在動(dòng)作電壓以上，因此FET3不 導(dǎo)通。此后，當(dāng)輸出電壓降低時(shí)，從控制用電容器53通過(guò)充放電電阻50和分流電阻51流 過(guò)放電電流，截止控制晶體管5的基極電壓達(dá)到動(dòng)作電壓以下，F(xiàn)ET3緩慢地導(dǎo)通。S卩，自激式開(kāi)關(guān)電源電路100如圖11所示，進(jìn)行截止動(dòng)作期間延長(zhǎng)的間歇振蕩動(dòng) 作，由此，在無(wú)負(fù)載的待機(jī)時(shí)或連接輕負(fù)載時(shí)，每單位時(shí)間的開(kāi)關(guān)引起的能量損失減少，抑 制了電力損失。專利文獻(xiàn)1JP特許第3691498號(hào)公報(bào)(說(shuō)明書的項(xiàng)目0033至項(xiàng)目0066，圖1)

發(fā)明內(nèi)容
于是，在現(xiàn)有的自激式開(kāi)關(guān)電源電路100中，在無(wú)負(fù)載的待機(jī)時(shí)或連接輕負(fù)載時(shí)， 在變壓器2中積蓄的能量消失后，也希望盡可能地使FET3的下一次導(dǎo)通延遲來(lái)延長(zhǎng)間歇振 蕩周期，使開(kāi)關(guān)引起的能量損失減少。通過(guò)提高充放電電阻50或分流電阻51的電阻值來(lái)降低控制用電容器53的放電 速度，由此可以使導(dǎo)通前的時(shí)間延長(zhǎng)，但分流電阻51的電阻值由決定最大導(dǎo)通時(shí)間的一次 線圈電流和截止控制晶體管5的動(dòng)作電位決定，因此，無(wú)法使其電阻值變化為2. 4Ω左右， 另外，當(dāng)提高充放電電阻50的電阻值時(shí)，在導(dǎo)通后通過(guò)分流電阻51的電壓對(duì)控制用電容器 53充電的充電速度減慢，無(wú)法快速響應(yīng)隨著經(jīng)過(guò)時(shí)間大體直線上升的一次線圈電流來(lái)進(jìn)行 截止控制，傳統(tǒng)上設(shè)為100Ω左右的低電阻。特別是，由于在變壓器2中積蓄的能量大體與 經(jīng)過(guò)時(shí)間的平方成比例，因此，在當(dāng)將充放電電阻50設(shè)為高電阻值，一個(gè)振蕩周期中產(chǎn)生 的能量與截止延遲的時(shí)間的平方成比例地增大，輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓后上升的情況下， 無(wú)法充分將其降低。因此，在無(wú)負(fù)載的待機(jī)時(shí)或連接輕負(fù)載時(shí)，無(wú)法進(jìn)一步延長(zhǎng)間歇振蕩周期來(lái)減少 開(kāi)關(guān)次數(shù)，使功率損失減少。本發(fā)明是鑒于該問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種迅速響應(yīng)一次線圈電流的上 升，容易進(jìn)行恒壓控制，而且在無(wú)負(fù)載或連接輕負(fù)載時(shí)延長(zhǎng)間歇振蕩周期來(lái)抑制電力損失 的自激式開(kāi)關(guān)電源電路。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第一方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電路，具備變壓器，其 具有一次線圈、二次輸出線圈和至少一個(gè)以上的反饋線圈；振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其與一次線圈串聯(lián)地連接在直流電源上，在柵極電壓在閾值電壓Vth以上的期間進(jìn)行導(dǎo)通動(dòng)作；啟動(dòng) 用電阻，其連接在直流電源的高壓側(cè)端子和振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極間；導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路， 其由在反饋線圈和振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極間串聯(lián)連接的反饋電容器以及反饋電阻構(gòu) 成；驅(qū)動(dòng)元件，其連接在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和直流電源的低壓側(cè)端子間，在控制端 子電壓在動(dòng)作電壓以上的期間柵極和低壓側(cè)端子間導(dǎo)通，使振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止；分 流電阻，其連接在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和低壓側(cè)端子間；放電電阻，其連接在振蕩用場(chǎng)效應(yīng) 晶體管和分流電阻的連接點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)元件的控制端子間；控制用電容器，其連接在驅(qū)動(dòng)元件 的控制端子和低壓側(cè)端子間，在導(dǎo)通動(dòng)作期間中由一次線圈的勵(lì)磁電流所流過(guò)的分流電阻 的電壓充電，將控制端子電壓拉升到動(dòng)作電壓以上，在截止動(dòng)作期間中經(jīng)由放電電阻和分 流電阻被放電，使控制端子電壓降低到不足動(dòng)作電壓；以及恒壓控制電路，其對(duì)在變壓器的 二次輸出線圈中產(chǎn)生的反激電壓進(jìn)行整流濾波后的輸出電壓與預(yù)定的設(shè)定電壓進(jìn)行比較， 根據(jù)輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓時(shí)的輸出電壓與設(shè)定電壓的差電壓，流過(guò)從產(chǎn)生反激電壓的變 壓器的某個(gè)線圈或通過(guò)反激電壓被充電的驅(qū)動(dòng)用電容器對(duì)控制用電容器充電的充電電流。 在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通后輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓的期間，在施加了一次線圈的勵(lì)磁電 流所流過(guò)的分流電阻的電壓的控制端子上，施加驅(qū)動(dòng)用電容器的充電電壓，對(duì)驅(qū)動(dòng)元件使 振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止前的導(dǎo)通動(dòng)作期間進(jìn)行縮短控制。在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止后 輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓的期間，從產(chǎn)生反激電壓的變壓器的某個(gè)線圈或驅(qū)動(dòng)用電容器對(duì)控 制用電容器充電，將控制端子電壓維持在動(dòng)作電壓以上，并阻止振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo) 通，由此對(duì)截止動(dòng)作期間進(jìn)行延長(zhǎng)控制。其中，在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和分流電阻的連接點(diǎn) 與驅(qū)動(dòng)元件的控制端子間，與放電電阻并聯(lián)地連接了以從所述連接點(diǎn)到控制端子方向作為 正方向的開(kāi)關(guān)二極管。在無(wú)負(fù)載或連接輕負(fù)載時(shí)，通過(guò)使用高電阻值的放電電阻，降低截止動(dòng)作期間中 的控制用電容器的放電速度，將驅(qū)動(dòng)元件的控制端子電壓保持在動(dòng)作電位以上，在變壓器 中積蓄的能量消失后也不轉(zhuǎn)移到截止，成為間歇振蕩動(dòng)作。因此開(kāi)關(guān)周期不縮短，開(kāi)關(guān)引起 的能量損失少。另外，即使使用高電阻值的放電電阻，在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通后，以分流電 阻的電壓對(duì)控制用電容器充電的充電電流流過(guò)開(kāi)關(guān)二極管，快速地響應(yīng)隨著經(jīng)過(guò)時(shí)間而增 加的一次線圈電流，驅(qū)動(dòng)元件的控制端子電壓達(dá)到動(dòng)作電位以上，振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn) 行截止動(dòng)作。本發(fā)明的第二方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電路，設(shè)定放電電阻的電阻值，使得在二次 輸出線圈上連接了額定消耗功率的負(fù)載的狀態(tài)下，從二次輸出線圈釋放出在變壓器中積蓄 的能量，當(dāng)自由振蕩的反饋線圈的電壓達(dá)到最初的極大值時(shí)，控制用電容器的充電電壓小 于動(dòng)作電壓。在連接了額定消耗功率的負(fù)載的狀態(tài)下，當(dāng)反饋線圈的電壓達(dá)到最初的極大值 時(shí)，在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管上施加的電壓達(dá)到最低，因此，在此時(shí)刻控制用電容器的充電電 壓不足動(dòng)作電壓而使其導(dǎo)通，由此，開(kāi)關(guān)噪聲減小，另外開(kāi)關(guān)損失也少。在連接了額定消耗功率的負(fù)載的狀態(tài)下，當(dāng)反饋線圈的電壓達(dá)到最初的極大值 時(shí)，控制用電容器的充電電壓不足動(dòng)作電壓，振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管可能通過(guò)導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路 導(dǎo)通，因此，與負(fù)載消耗的電力匹配地進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作。
在連接了額定消耗功率的負(fù)載的狀態(tài)下，為了進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作而設(shè)定放電 電阻的電阻值的上限，因此，在無(wú)負(fù)載或連接了輕負(fù)載的狀態(tài)下以最大周期進(jìn)行間歇振蕩 動(dòng)作。本發(fā)明的第三方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電路，其特征在于，驅(qū)動(dòng)元件是使集電極與 振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接、使發(fā)射極與低壓側(cè)端子連接、使基極與控制端子連接的 NPN型晶體管，在截止動(dòng)作期間中，通過(guò)在變壓器的反饋線圈中產(chǎn)生的反激電壓被充電的反 饋電容器，通過(guò)在開(kāi)關(guān)二極管和NPN型晶體管的基極、集電極間流過(guò)的充電電流被充電。反饋電容器，無(wú)需另外設(shè)置充電路徑，在截止動(dòng)作期間中，通過(guò)在變壓器的反饋線 圈中產(chǎn)生的反激電壓充電。反饋電容器，不經(jīng)由放電電阻，而通過(guò)阻抗低的開(kāi)關(guān)二極管被充電，因此，即使把 放電電阻設(shè)為高電阻，在反饋線圈的極性反轉(zhuǎn)并到達(dá)可以導(dǎo)通的時(shí)刻之前，能得到使柵極 電壓達(dá)到閾值電壓以上的充電電壓。根據(jù)第一方式的發(fā)明，在放電電阻中使用高電阻值的電阻，在無(wú)負(fù)載或連接輕負(fù) 載時(shí)，成為使截止動(dòng)作期間延長(zhǎng)的間歇振蕩動(dòng)作，可以使開(kāi)關(guān)引起的能量損失減少。另外， 即使在放電電阻中使用高電阻值的電阻，在導(dǎo)通后可以不延遲地響應(yīng)隨經(jīng)過(guò)時(shí)間大體直線 上升的一次線圈電流來(lái)進(jìn)行截止控制。因此，在輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓后上升的情況下，可 以迅速縮短導(dǎo)通動(dòng)作期間，進(jìn)行恒壓控制。根據(jù)第二方式的發(fā)明，在連接了額定消耗功率的負(fù)載的情況下，進(jìn)行與負(fù)載的消 耗電力匹配的連續(xù)自激振蕩動(dòng)作，可以使其進(jìn)行開(kāi)關(guān)噪聲或開(kāi)關(guān)損耗小的振蕩動(dòng)作。另外，在連接了額定消耗功率的負(fù)載時(shí)進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作的條件下，在無(wú)負(fù) 載或連接了輕負(fù)載的情況下，以最大周期進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作，可以使無(wú)負(fù)載的待機(jī)時(shí)或連 接輕負(fù)載時(shí)的效率達(dá)到最大。根據(jù)第三方式的發(fā)明，可以不設(shè)置在截止動(dòng)作期間中對(duì)導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路的反饋電容 器充電的充電路徑地對(duì)反饋電容器充電。另外，即使將放電電阻設(shè)為高電阻，在反饋線圈的極性反轉(zhuǎn)并到達(dá)可以導(dǎo)通的時(shí) 刻前，能得到使柵極電壓達(dá)到閾值電壓以上的充電電壓。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10的電路圖。圖2表示連接額定消耗功率的負(fù)載，進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作的自激式開(kāi)關(guān)電源電 路10的各部的波形，(a)是表示截止控制晶體管5的基極電壓波形⑴的波形圖，(b)是 表示FET3的柵極電壓波形O)的波形圖，(c)是表示FET3的漏極電流波形(3)的波形圖， (d)是表示FET3的漏極電壓波形的波形圖。圖3是放大表示連接額定消耗功率的負(fù)載，進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作的自激式開(kāi)關(guān) 電源電路10的FET3的柵極電壓波形(2)、反饋電容器12的第一反饋線圈2b側(cè)端子的電壓 波形(5)以及反饋電容器12的充電電壓波形(6)的波形圖。圖4表示無(wú)負(fù)載地進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10的各部的波形， (a)是表示截止控制晶體管5的基極電壓波形(1)的波形圖，(b)是表示FET3的柵極電壓 波形⑵的波形圖，(c)是表示FET3的漏極電流波形(3)的波形圖，(d)是表示FET3的漏極電壓波形的波形圖。圖5是放大表示無(wú)負(fù)載地進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10的FET3的 柵極電壓波形O)、反饋電容器12的第一反饋線圈2b側(cè)端子的電壓波形(5)以及反饋電容 器12的充電電壓波形(6)的波形圖。圖6是以更長(zhǎng)的時(shí)間間隔表示圖4的各部的波形的波形圖。圖7是表示使放電電阻52的電阻值變化的情況下的、與輸入電壓Vin對(duì)應(yīng)的自激 式開(kāi)關(guān)電源電路10的電力損失Pin的波形圖。圖8是表示現(xiàn)有的自激式開(kāi)關(guān)電源電路100的電路圖。圖9表示連接額定消耗功率的負(fù)載，進(jìn)行連續(xù)自動(dòng)振蕩動(dòng)作的現(xiàn)有自激式開(kāi)關(guān)電 源電路100的各部的波形，(a)是表示截止控制晶體管5的基極電壓波形(1)的波形圖，(b) 是表示FET3的柵極電壓波形O)的波形圖，(c)是表示FET3的漏極電流波形(3)的波形 圖，(d)是表示FET3的漏極電壓波形的波形圖。圖10是放大表示連接額定消耗功率的負(fù)載，進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作的現(xiàn)有自激 式開(kāi)關(guān)電源電路100的FET3的柵極電壓波形(2)、反饋電容器12的第一反饋線圈2b側(cè)端 子的電壓波形(5)以及反饋電容器12的充電電壓波形(6)的波形圖。圖11是以與圖6相同的時(shí)間間隔表示無(wú)負(fù)載地進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作的現(xiàn)有自激式 開(kāi)關(guān)電源電路100的圖9的各部的波形的波形圖。符號(hào)說(shuō)明1直流電源；Ia高壓側(cè)端子；Ib低壓側(cè)端子；2變壓器；2a —次線圈；2b反饋線圈 (第一反饋線圈)；2c 二次輸出線圈；2d反饋線圈(第二反饋線圈)；3振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體 管；5截止控制晶體管(驅(qū)動(dòng)元件)；10自激式開(kāi)關(guān)電源電路；12反饋電容器(導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電 路)；21啟動(dòng)用電阻；23反饋電阻(導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路)；51分流電阻；52放電電阻；53控制用 電容器；55驅(qū)動(dòng)用電容器；59開(kāi)關(guān)二極管
具體實(shí)施例方式以下，使用圖1至圖7詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。圖1是表示本發(fā)明的一 個(gè)實(shí)施方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10的結(jié)構(gòu)的電路圖。本實(shí)施方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電 路10與圖8所示的現(xiàn)有自激式開(kāi)關(guān)電源電路100主要的電路以及電路元件相同，因此對(duì)相 同的結(jié)構(gòu)賦予相同號(hào)碼，省略其說(shuō)明。如圖1所示，變壓器2在一次側(cè)設(shè)置了一次線圈2a、與一次線圈加相同方向纏繞 的第1反饋線圈2b、以及與一次線圈加反方向纏繞的第2反饋線圈2d，在二次側(cè)設(shè)置了二 次輸出線圈2c。一次線圈加與振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下稱為FET) 3串聯(lián)地對(duì)直流電源1連 接，通過(guò)FET3的導(dǎo)通、截止動(dòng)作對(duì)流過(guò)一次線圈加的電流進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。FET3在此使用 M0SFET，將漏極連接在一次線圈加上，將源極經(jīng)由用于檢測(cè)一次線圈電流的分流電阻51連 接在直流電源1的低壓側(cè)端子Ib上。另外，在對(duì)直流電源1串聯(lián)連接的啟動(dòng)用電阻21和電阻25的連接點(diǎn)Jl上，經(jīng)由 阻止向柵極的過(guò)大輸入的電阻M連接了 FET3的柵極。啟動(dòng)用電阻21和電阻25各自的電 阻值與圖8所示的電路相同，為1.5ΜΩ和IOOkQ，由此，當(dāng)200V左右的不穩(wěn)定的直流電源1的電源電壓顯著降低的情況下，使FET3的柵極電壓不足閾值電壓Vth，不進(jìn)行自激振蕩動(dòng)作。在該連接點(diǎn)Jl和第一反饋線圈2b之間串聯(lián)連接了構(gòu)成導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路的反饋電容 器12以及反饋電阻23，將第一反饋線圈2b的另一側(cè)與直流電源1的低壓側(cè)端子Ib連接。 在此，將反饋電容器12的電容和反饋電阻23的電阻值設(shè)為100pF、4. ΑΩ，調(diào)整將二者相乘 所得的時(shí)間常數(shù)，設(shè)定成在后述的連續(xù)自激振蕩動(dòng)作中，當(dāng)?shù)谝环答伨€圈2b開(kāi)始自由振 蕩，其電壓的極性反轉(zhuǎn)并達(dá)到最初的極大值時(shí)，F(xiàn)ET3的柵極電壓超過(guò)閾值電壓VTH。在啟動(dòng)用電阻21和電阻25的連接點(diǎn)Jl和低壓側(cè)端子Ib之間配置了使FET3的 柵極電壓降低，作為進(jìn)行截止控制的驅(qū)動(dòng)元件而起作用的截止控制晶體管5。在此，作為截 止控制晶體管5，使用了將集電極與連接點(diǎn)Jl連接、將發(fā)射極與低壓側(cè)端子Ib連接的NPN 型晶體管。第二反饋線圈2d的一側(cè)，經(jīng)由串聯(lián)連接的整流二極管M和驅(qū)動(dòng)用電容器55連接 在直流電源1的低壓側(cè)端子Ib上，另外，另一側(cè)直接與直流電源1的低壓側(cè)端子Ib連接，形 成了閉環(huán)。以從第二反饋線圈2d到驅(qū)動(dòng)用電容器55的方向?yàn)檎较蛟O(shè)置整流二極管54， 通過(guò)在第二反饋線圈2d中產(chǎn)生的反激電壓對(duì)驅(qū)動(dòng)用電容器55充電。整流二極管M和驅(qū)動(dòng)用電容器55的連接點(diǎn)J2，經(jīng)由光耦合器受光元件39和控 制用電容器53與低壓側(cè)端子Ib連接，將光耦合器受光元件39和控制用電容器53的串聯(lián) 連接點(diǎn)J3與截止控制晶體管5的基極連接。光耦合器受光元件39與變壓器2的二次側(cè)的 光耦合器發(fā)光元件35光耦合來(lái)工作，當(dāng)接收到來(lái)自光耦合器發(fā)光元件35的光時(shí)，從連接點(diǎn) J2向J3流過(guò)與其受光量成比例的電流。串聯(lián)連接點(diǎn)J3、即截止控制晶體管5的基極，經(jīng)由互相并聯(lián)連接的放電電阻52以 及開(kāi)關(guān)二極管59，與FET3和分流電阻51的連接點(diǎn)J4連接。開(kāi)關(guān)二極管59以從連接點(diǎn)J4 到串聯(lián)連接點(diǎn)J3為正方向，由此，當(dāng)一次線圈電流流過(guò)分流電阻51時(shí)，以其電壓降通過(guò)開(kāi) 關(guān)二極管59對(duì)控制用電容器53充電，當(dāng)一次線圈電流上升，分流電阻51的電壓降達(dá)到一 定值以上時(shí)，基極電壓達(dá)到截止控制晶體管5的動(dòng)作電位，截止控制晶體管5的集電極、發(fā) 射極間導(dǎo)通。另一方面，當(dāng)分流電阻51的電壓降降低到不足控制用電容器53的充電電壓 時(shí)，通過(guò)放電電阻52和分流電阻51流過(guò)控制用電容器53的放電電流。在本實(shí)施方式中， 為了降低控制用電容器53的放電速度，把相當(dāng)于現(xiàn)有的自激式開(kāi)關(guān)電源電路100的100Ω 的充放電電阻50的放電電阻52的電阻值設(shè)為4. ΑΩ。變壓器的二次輸出線圈2c，與二次輸出線圈2c串聯(lián)連接整流用二極管4，與二次 輸出線圈2c并聯(lián)連接濾波電容器13，構(gòu)成了輸出側(cè)的整流濾波電路。在整流濾波電路的高 壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b之間串聯(lián)連接分壓電阻30、31，將其中間抽頭32連接 在誤差放大器33的反相輸入端子上，輸入了成為輸出電壓的分壓的輸出檢測(cè)電壓。另外， 在誤差放大器33的同相輸入端子和低壓側(cè)輸出線20b之間連接基準(zhǔn)電源34，在同相輸入端 子上輸入了用于與輸出檢測(cè)電壓進(jìn)行比較的基準(zhǔn)電壓。此外，圖中的37、38是在中間抽頭 32和誤差放大器33的同相輸出端子間串聯(lián)連接的交流負(fù)反饋元件。自激式開(kāi)關(guān)電源電路10，對(duì)高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b間的輸出電壓 進(jìn)行恒壓控制，以使其與在高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b間連接的負(fù)載的大小無(wú) 關(guān)而成為預(yù)定的設(shè)定電壓，上述基準(zhǔn)電壓設(shè)為通過(guò)分壓電阻30、31對(duì)該設(shè)定電壓分壓而得的電壓，因此，誤差放大器33輸出與輸出電壓相對(duì)于設(shè)定電壓的差電壓成比例的輸出值。在誤差放大器33的輸出和高壓側(cè)輸出線20a之間，與電阻36串聯(lián)地連接以與誤 差放大器33的輸出值對(duì)應(yīng)的發(fā)光量來(lái)發(fā)光的光耦合器發(fā)光元件35。因此，與光耦合器發(fā)光 元件35光耦合的一次側(cè)的光耦合器受光元件39接收與上述差電壓對(duì)應(yīng)的發(fā)光量的光，從 連接點(diǎn)J2向連接點(diǎn)J3流過(guò)與差電壓對(duì)應(yīng)的電流。即，當(dāng)高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出 線20b間的輸出電壓達(dá)到設(shè)定電壓以上時(shí)，以與該差分對(duì)應(yīng)的允許電流從連接點(diǎn)J2向J3 流過(guò)電流，當(dāng)不到設(shè)定電壓時(shí)，將連接點(diǎn)J2到J3間切斷。如上所述，在該自激式開(kāi)關(guān)電源電路10中，由比較輸出電壓和設(shè)定電壓的誤差放 大器33、與誤差放大器33的輸出連接的光耦合器發(fā)光元件35、與光耦合器發(fā)光元件35光 耦合的光耦合器受光元件39形成了恒壓控制電路，其比較輸出電壓和預(yù)定的設(shè)定電壓，根 據(jù)輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓的輸出電壓和設(shè)定電壓的差電壓，從產(chǎn)生反激電壓的第二反饋線 圈或者驅(qū)動(dòng)用電容器55流過(guò)對(duì)控制用電容器53充電的充電電流。(連接了額定消耗功率的負(fù)載的動(dòng)作)關(guān)于如此構(gòu)成的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10，使用圖1至圖3說(shuō)明最初在高壓側(cè)輸出 線20a和低壓側(cè)輸出線20b之間連接了額定消耗功率的負(fù)載時(shí)的動(dòng)作。圖2和圖3分別表 示連接額定消耗功率的負(fù)載，進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作的圖1的(1)至的各部的波形， 圖2(a)表示串聯(lián)連接點(diǎn)J3的電壓、即截止控制晶體管5的基極電壓波形(1)，圖2(b)表 示FET3的柵極電壓波形O)，圖2(c)表示FET3的漏極電流、即流過(guò)一次線圈加的一次線 圈電流波形(3)，圖2(d)表示FET3的漏極電壓、即一次線圈加的一側(cè)的電壓波形0)。另 外，圖3的⑵、(5)、(6)所示的電壓波形分別是FET3的柵極電壓波形(2)、反饋電容器12 的第一反饋線圈2b側(cè)的電壓波形(5)、以第一反饋線圈2b側(cè)的電壓為基準(zhǔn)的反饋電容器 12的充電電壓波形(6)。在直流電源1的高壓側(cè)端子la、低壓側(cè)端子Ib間產(chǎn)生200V左右的直流電壓時(shí)，通 過(guò)由啟動(dòng)用電阻21和電阻25分壓到1/16而得的電源電壓，經(jīng)由啟動(dòng)用電阻21和反饋電 阻23對(duì)反饋電容器12充電(圖中下方的電極為+，上方極性為_(kāi))。被充電的反饋電容器 12的充電電壓慢慢上升，當(dāng)達(dá)到FET3的閾值電壓Vth時(shí)，在FET3的柵極上施加正向偏置電 壓，F(xiàn)ET3導(dǎo)通，漏-源極間導(dǎo)通。當(dāng)FET3導(dǎo)通，開(kāi)始從直流電源1向串聯(lián)連接的一次線圈加流過(guò)勵(lì)磁電流時(shí)，在變 壓器2的各線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，在變壓器2中積蓄能量。在反饋線圈2b中產(chǎn)生的感生 電壓(圖3的t2到、間的(5))與反饋電容器12的充電電壓(圖3的(6))重疊，將FET3 的柵極電壓(圖2(b)、圖3的O))維持在該閾值電壓Vth以上的電壓(導(dǎo)通電壓)。此時(shí)，通過(guò)流過(guò)一次線圈加的電流在分流電阻51的FET3側(cè)的連接點(diǎn)J4產(chǎn)生的 電壓，經(jīng)由開(kāi)關(guān)二極管59對(duì)控制用電容器53充電。流過(guò)一次線圈加的電流隨著導(dǎo)通后的 時(shí)間大體直線上升，由此，快速地對(duì)一次線圈加的電流增加進(jìn)行響應(yīng)，控制用電容器53的 充電電壓也上升。當(dāng)截止控制晶體管5達(dá)到偏置電壓(動(dòng)作電壓)時(shí)，集電極-發(fā)射極間成為導(dǎo)通 狀態(tài)，F(xiàn)ET3的柵極通過(guò)截止控制晶體管5實(shí)質(zhì)上成為短路狀態(tài)(在此，為低壓側(cè)端子Ib的 電位，例如0伏特)，F(xiàn)ET3截止。當(dāng)FET3截止，流過(guò)變壓器2的電流實(shí)質(zhì)上被切斷時(shí)，在各 線圈中產(chǎn)生所謂的反激電壓(感應(yīng)逆電動(dòng)勢(shì))(圖2(d)的、到、)。此時(shí)，在二次輸出線圈2c中產(chǎn)生的反激電壓通過(guò)由整流用二極管4和電容器13形成的濾波整流電路被整流濾 波，作為向連接在輸出線20a、20b間的負(fù)載供給的電力而被輸出。另一方面，在第一反饋線圈2b中產(chǎn)生的反激電壓與通過(guò)在輸出側(cè)連接的負(fù)載在 二次線圈2c中產(chǎn)生的反激電壓存在比例關(guān)系，通過(guò)在該第一反饋線圈2b中產(chǎn)生的反激電 壓(圖3的、到、間的(5))對(duì)反饋電容器12充電(圖3的、到、間的(6)、圖1中下 方的電極為+，上方極性為_(kāi))，導(dǎo)致下一次的FET3的導(dǎo)通。在對(duì)二次線圈2c中產(chǎn)生的反激電壓進(jìn)行整流濾波后得到的高壓側(cè)輸出線20a和 低壓側(cè)輸出線20b間的輸出電壓未達(dá)到由基準(zhǔn)電源34的基準(zhǔn)電源決定的設(shè)定電壓的狀態(tài) (以下稱為過(guò)渡狀態(tài))下，由于光耦合器發(fā)光元件35不發(fā)光，因此連接點(diǎn)J2、J3間被切斷， 另外，由于在分流電阻51中不流過(guò)一次線圈電流，因此，從控制用電容器53通過(guò)放電電阻 52和分流電阻51流過(guò)放電電流，截止控制晶體管5的基極電壓成為偏置電壓以下。但是， 在FET3的截止動(dòng)作期間中(圖2的、到t2之間，以下稱為截止動(dòng)作期間)，即使截止控制 晶體管5的基極電壓達(dá)到偏置電壓以下，由于基極、集電極間作為等價(jià)二極管而起作用，因 此把從分流電阻51、開(kāi)關(guān)二極管59、截止控制晶體管5的基極到集電極、反饋電阻23作為 充電電流的路徑，通過(guò)在第一反饋線圈2b中產(chǎn)生的反激電壓對(duì)反饋電容器12充電。如圖2(d)所示，通過(guò)感應(yīng)逆電動(dòng)勢(shì)在二次輸出線圈2c中積蓄的電能的釋放在 、時(shí)結(jié)束時(shí)，一次線圈側(cè)的電壓波形(4)如該圖的與實(shí)線連接的虛線所示，通 過(guò)FET3的寄生電容、一次線圈加間的雜散電容以及一次線圈加的電感，開(kāi)始以電源電壓 200V為中心的自由振蕩，極性反轉(zhuǎn)，同時(shí)電壓慢慢降低而衰減。如圖3的(5)所示，與一次線圈電壓的自由振蕩成比例地振蕩的第一反饋線圈2b 的反饋電容器12側(cè)的電壓也同樣地，在作為逆偏壓而對(duì)柵極起作用的反激電壓消失的、 后增加，極性反轉(zhuǎn)，作為正向的偏置電壓而對(duì)FET3的柵極起作用。另外，施加至此所充電的 反饋電容器12的充電電壓(圖3的(6))，F(xiàn)ET3的柵極電壓超過(guò)閾值電壓Vth，F(xiàn)ET3再次導(dǎo) 通，這樣重復(fù)一連串的連續(xù)自激振蕩動(dòng)作。在一次的振蕩周期中在變壓器2中積蓄的能量，與從FET3導(dǎo)通后截止控制晶體管 5的基極電壓到達(dá)偏置電壓之前的導(dǎo)通動(dòng)作期間(以下稱為導(dǎo)通動(dòng)作期間)的平方大體成 比例，在二次側(cè)的輸出電壓未達(dá)到設(shè)定電壓的過(guò)渡狀態(tài)下，通過(guò)分流電阻51的電阻值和所 設(shè)定的最大一次線圈電流，大體準(zhǔn)確地控制導(dǎo)通動(dòng)作期間的上限(最大導(dǎo)通時(shí)間)。即，一 次線圈電流與FET3導(dǎo)通后的經(jīng)過(guò)時(shí)間大體成比例地增加，當(dāng)達(dá)到所設(shè)定的最大一次線圈 電流時(shí)，F(xiàn)ET3不延遲地截止，設(shè)定最大導(dǎo)通時(shí)間。設(shè)定最大一次線圈電流的電流值，使得在 最大導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)在變壓器2中積蓄的能量，比通過(guò)連接額定消耗功率的負(fù)載在一個(gè)振蕩周 期中消耗的能量稍大，由此，輸出線20a、20b間的輸出電壓每當(dāng)重復(fù)達(dá)到設(shè)定電壓前的振 蕩時(shí)上升，當(dāng)超過(guò)設(shè)定電壓時(shí)，以下說(shuō)明的恒壓控制電路工作，在恒壓輸出控制下進(jìn)行連續(xù) 自激振蕩動(dòng)作。當(dāng)高壓側(cè)輸出線20a和低壓側(cè)輸出線20b間的輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓時(shí)，被輸入 誤差放大器33的反相輸入端子的中間抽頭32的分壓也上升，與基準(zhǔn)電源34的基準(zhǔn)電壓的 電位差被反相放大，光耦合器發(fā)光元件35以與作為其輸出值的差電壓對(duì)應(yīng)的光量來(lái)發(fā)光。 其結(jié)果，與光耦合器發(fā)光元件35進(jìn)行耦合的光耦合器受光元件39從連接點(diǎn)J2向連接點(diǎn)J3 流過(guò)與差電壓對(duì)應(yīng)的電流值的電流。
在上述連續(xù)自激振蕩動(dòng)作中，如圖2(a)所示，截止控制晶體管5，在FET3導(dǎo)通的 、時(shí)，基極電壓達(dá)到了 0. 6V的偏置電壓，但在此后的截止動(dòng)作期間，在二次側(cè)的輸出電壓超 過(guò)設(shè)定電壓的期間也保持偏置電壓以上的電壓。即，在截止動(dòng)作期間中，在變壓器2中積蓄 的能量被在輸出線20a、20b間連接的負(fù)載消耗，輸出電壓變得不到設(shè)定電壓之前，光耦合 器發(fā)光元件35點(diǎn)亮。其結(jié)果，通過(guò)光電耦合器受光元件39導(dǎo)通，在第二反饋線圈2d中產(chǎn) 生的反激電壓直接對(duì)控制用電容器53充電，其充電電壓將基極電壓提高到偏置電壓以上。 另外，在該反激電壓消失后，也通過(guò)驅(qū)動(dòng)用電容器55的充電電壓對(duì)控制用電容器53充電， 截止控制晶體管5的基極電壓變得不到偏置電壓，在FET3導(dǎo)通的時(shí)刻、也保持了稍低于 偏置電壓的充電電壓。因此，在導(dǎo)通后，一次線圈電流上升，當(dāng)從分流電阻51經(jīng)由開(kāi)關(guān)二極 管59流過(guò)對(duì)控制用電容器53充電的充電電流時(shí)，截止控制晶體管5的基極電壓快速地達(dá) 到偏置電壓。由此，F(xiàn)ET3不等經(jīng)過(guò)所設(shè)定的最大導(dǎo)通時(shí)間而截止，因此縮短導(dǎo)通動(dòng)作期間，振蕩 引起的變壓器2中積蓄的能量減少，輸出電壓降低。另一方面，當(dāng)輸出電壓比設(shè)定電壓低 時(shí)，光耦合器發(fā)光元件35不發(fā)光，因此在截止動(dòng)作期間中對(duì)控制用電容器53充電的上述 充電電流，在光耦合器受光元件39中被切斷，截止FET3時(shí)的控制用電容器53的充電電壓， 通過(guò)在放電電阻52和分流電阻51中流過(guò)放電電流而降低。其結(jié)果，截止控制晶體管5的 基極電壓達(dá)到偏置電壓為止的導(dǎo)通時(shí)間以最大導(dǎo)通時(shí)間為上限而被延長(zhǎng)，F(xiàn)ET3的導(dǎo)通期間 (on-duty)增加，由此導(dǎo)致輸出電壓上升，經(jīng)過(guò)這樣的過(guò)程進(jìn)行輸出電壓的恒壓控制。在上述的截止動(dòng)作期間中，在截止控制晶體管5的基極電壓達(dá)到偏置電壓的期 間，通過(guò)在第一反饋線圈2b中產(chǎn)生的反激電壓，以從截止控制晶體管5的發(fā)射極到集電極、 反饋電阻23作為充電電流的路徑，對(duì)反饋電容器12充電(圖1中，下方的電極為+，上方極 性為“)。在本實(shí)施方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10中，在該自激振蕩動(dòng)作中，構(gòu)成導(dǎo)通驅(qū)動(dòng) 電路的反饋電容器12和反饋電阻23的時(shí)間常數(shù)與現(xiàn)有的自激式開(kāi)關(guān)電源電路100相比， 成為4. 7倍的長(zhǎng)度，因此，反饋電容器12被緩慢充電，當(dāng)變壓器中積蓄的能量在、時(shí)從二次 輸出線圈2c被釋放后，第一反饋線圈2b的反饋電容器12側(cè)的電壓(圖3的(5))開(kāi)始自 由振蕩，在極性反轉(zhuǎn)并到達(dá)最初的極大值的t2時(shí)，施加反饋電容器12的充電電壓(圖3的 (6))，決定反饋電容器12和反饋電阻的時(shí)間常數(shù)，以使FET3的柵極電壓(圖3的O))超 過(guò)閾值電壓VTH。S卩，設(shè)定成當(dāng)上述第一反饋線圈2b的電位達(dá)到最初的極大值的t2時(shí)FET3 有可能導(dǎo)通。此外，在圖3中，F(xiàn)ET3的柵極電壓之所以不成為將第一反饋線圈2b的一側(cè)的 電壓和反饋電容器12的充電電壓相加而得的值，是反饋電阻23的電壓下降所導(dǎo)致的。另一方面，在連接了額定消耗功率的負(fù)載的自激振蕩動(dòng)作中，通常在截止動(dòng)作期 間中，輸出電壓變得不足設(shè)定電壓，在該過(guò)程中，與差電壓對(duì)應(yīng)的流過(guò)光耦合器受光元件39 的充電電流也慢慢減小，因此，開(kāi)始從控制用電容器53通過(guò)放電電阻52和分流電阻51流 過(guò)放電電流。該放電電流的放電速度可以通過(guò)放電電阻52的電阻值來(lái)調(diào)整，通過(guò)如上所述 設(shè)定為4. 7kΩ的大電阻值，使截止控制晶體管5的基極電壓緩慢降低，在上述可以導(dǎo)通的 t2時(shí)，基極電壓變得不足偏置電壓。因此，將額定消耗功率的負(fù)載連接在輸出線上的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10，在可以 導(dǎo)通的t2時(shí)，截止控制晶體管5的基極電壓變得不足偏置電壓，將FET3的柵極與低壓側(cè)端子Ib絕緣，因此，F(xiàn)ET3的柵極電壓(圖3的O))超過(guò)閾值電壓Vth而導(dǎo)通，在恒壓控制下 重復(fù)進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作。在此，第一反饋線圈2b和一次線圈加以與其線圈比成比例的振幅自由振蕩，另外 其振幅慢慢衰減，因此，在第一反饋線圈2b的+側(cè)達(dá)到最初的極大值的、時(shí)，一次線圈加 的FET3側(cè)(FET3的漏極)的電壓成為最小值。S卩，在FET3導(dǎo)通的t2時(shí)，F(xiàn)ET3的漏極電壓 (圖2 (d))為120V左右的最小電壓，在導(dǎo)通時(shí)從120V左右變?yōu)?V，開(kāi)始在一次線圈加中 流過(guò)勵(lì)磁電流。因此，在一次線圈 或FET3的線圈間的雜散電容或在漏-源極間的寄生 電容中通過(guò)反激電壓積蓄的電荷，在一次線圈加的極性通過(guò)自由振蕩而反轉(zhuǎn)的時(shí)刻開(kāi)始 被釋放，而且此后，在一次線圈的低壓側(cè)電壓降到最低的t2時(shí)FET3導(dǎo)通，與直流電源1的 低壓側(cè)端子Ib短路，因此形成緩慢的放電電流。其結(jié)果，在剛導(dǎo)通后的一次線圈電流中僅 表現(xiàn)出很小的放電電流，F(xiàn)ET3等開(kāi)關(guān)元件中的損失也小，也不產(chǎn)生噪聲。(無(wú)負(fù)載的待機(jī)中的動(dòng)作)接下來(lái)，關(guān)于自激式開(kāi)關(guān)電源電路10，使用圖4至圖7說(shuō)明未在高壓側(cè)輸出線20a 和低壓側(cè)輸出線20b之間連接負(fù)載的待機(jī)中的動(dòng)作。圖4和圖5分別與圖2和圖3對(duì)應(yīng)地 表示無(wú)負(fù)載待機(jī)中進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10的各部的波形，圖4(a)表 示截止控制晶體管5的基極電壓波形(1)，圖4(b)表示FET3的柵極電壓波形O)，圖4(c) 表示一次線圈加中流過(guò)的一次線圈電流波形(3)，圖4(d)表示FET3的漏極電壓波形0)， 圖3的O)、(5)、(6)所示的電壓波形分別表示FET3的柵極電壓波形O)、反饋電容器12 的第一反饋線圈2b側(cè)的電壓波形(5)、和以第一反饋線圈2b側(cè)的電壓為基準(zhǔn)的反饋電容器 12的充電電壓波形(6)。另外，圖6是將圖4所示的各圖的橫軸、即時(shí)間軸縮小到1/250，以 更長(zhǎng)的時(shí)間間隔進(jìn)行表示的波形圖。無(wú)負(fù)載的待機(jī)中的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10的動(dòng)作，由于前面描述了作為基礎(chǔ)的 連續(xù)自激振蕩動(dòng)作，因此省略一部分相同的動(dòng)作的說(shuō)明，以與連接了額定消耗功率的負(fù)載 的情況下不同的動(dòng)作為中心進(jìn)行說(shuō)明。在未在輸出線20a、20b間連接負(fù)載的狀態(tài)下，通過(guò)振蕩在變壓器2中積蓄的能量 不通過(guò)負(fù)載消耗，因此FET3截止，即使進(jìn)入截止動(dòng)作期間，輸出電壓也緩緩降低，在變壓器 2中積蓄的能量消失，即使到了開(kāi)始自由振蕩的時(shí)刻(圖4、圖5的、)，與設(shè)定電壓的差電 壓也維持較高地遷移。其結(jié)果，由于第二反饋線圈2d的反激電壓，對(duì)控制用電容器53充電 的充電電流流過(guò)光耦合器受光元件39，截止控制晶體管5的基極電壓維持偏置電壓以上的 電壓。在變壓器2中積蓄的能量消失的、以后，通過(guò)各電路元件中的能量消耗，輸出電 壓接近設(shè)定時(shí)，光耦合器受光元件39的允許電流也根據(jù)差電壓而降低，當(dāng)變得不足設(shè)定電 壓時(shí)完全被切斷，因此，從斷絕了從第二反饋線圈2d的充電的控制用電容器53通過(guò)放電電 阻52和分流電阻51流過(guò)放電電流。另外，即使在變壓器2中積蓄的能量消失的、后，在輸出電壓和設(shè)定電壓的差電 壓維持較高地遷移的情況下，第二反饋線圈2d的反激電壓在使極性反轉(zhuǎn)的同時(shí)緩慢衰減， 從通過(guò)反激電壓充電的驅(qū)動(dòng)用電容器55通過(guò)光耦合器受光元件39對(duì)控制用電容器53充 電。此后，當(dāng)驅(qū)動(dòng)用電容器55的充電電壓降低到與控制用電容器53的充電電壓一致時(shí)，從 控制用電容器53通過(guò)放電電阻52和分流電阻51流過(guò)放電電流。
在從控制用電容器53放電的任何情況下，放電電阻52的電阻值，相對(duì)于現(xiàn)有的充 放電電阻50的電阻值100Ω設(shè)為4. ΑΩ，因此如果忽視與2. 4 Ω的分流電阻51并聯(lián)連接 的開(kāi)關(guān)二極管59的電阻值，則與控制用電容器53構(gòu)成了與現(xiàn)有時(shí)間常數(shù)的比約為47倍的 時(shí)間常數(shù)的延遲電路，控制用電容器53的充電電壓極緩慢地降低。因此，在輸出電壓變得不足設(shè)定電壓后，截止控制晶體管5的基極電壓也在充分 長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)維持偏置電壓以上的電壓(參照?qǐng)D4)，在連接了額定消耗功率的負(fù)載的狀態(tài) 下，即使到了連續(xù)自激振蕩的可以導(dǎo)通的時(shí)刻，截止控制晶體管5的集電極、發(fā)射極間也導(dǎo) 通，F(xiàn)ET3不導(dǎo)通。S卩，自激式開(kāi)關(guān)電源電路10進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作。當(dāng)由于從控制用電容器53的放電，截止控制晶體管5的基極電壓變得不足偏置電 壓時(shí)，與FET3的柵極連接的連接點(diǎn)Jl與低壓側(cè)端子Ib絕緣，F(xiàn)ET3可以導(dǎo)通。在此時(shí)刻， 在導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路的反饋電容器12的充電電壓上加上第一反饋線圈2b的反饋電容器12側(cè) 的電壓后的柵極電壓超過(guò)FET3的閾值電壓Vth的情況下，F(xiàn)ET3立即導(dǎo)通。另外，第一反饋線圈2b的電壓一邊自由振蕩一邊衰減(圖5的(5))，因此，在即 使加上反饋電容器12的充電電壓也達(dá)不到FET3的閾值電壓Vth的情況下，在達(dá)到閾值電壓 Vth之前經(jīng)由啟動(dòng)用電阻21對(duì)反饋電容器12充電，此后FET3導(dǎo)通。如圖4(a)所示，在FET3導(dǎo)通的時(shí)刻t2，控制用電容器53在截止動(dòng)作期間中通過(guò) 第二反饋線圈2d的反激電壓或驅(qū)動(dòng)用電容器55的充電電壓被充電，因此，截止控制晶體管 5的基極電壓僅稍低于偏置電壓，當(dāng)一次線圈電流通過(guò)導(dǎo)通而上升時(shí)，不等經(jīng)過(guò)最大導(dǎo)通時(shí) 間而快速地截止。S卩，在無(wú)負(fù)載的情況下，如圖4所示，在與自激式開(kāi)關(guān)電源電路10自身的消耗功率 匹配的極短的動(dòng)作期間內(nèi)截止，重復(fù)同樣的間歇振蕩動(dòng)作。此外，說(shuō)明了無(wú)負(fù)載的間歇振蕩動(dòng)作，但即使在輸出線20a、20b間連接了消耗功 率小的輕負(fù)載時(shí)，在與其消耗功率匹配的導(dǎo)通動(dòng)作期間和截止動(dòng)作期間也同樣地進(jìn)行間歇 振蕩動(dòng)作。本實(shí)施方式的自激式開(kāi)關(guān)電源電路10，在連接了額定消耗功率的負(fù)載的情況下， 如圖2所示，以約14 μ sec的周期重復(fù)進(jìn)行連續(xù)自激振蕩動(dòng)作，并且在無(wú)負(fù)載的待機(jī)中，如 圖6所示，以約2. 9msec的周期重復(fù)進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作，每單位時(shí)間的開(kāi)關(guān)次數(shù)減少，由此 大幅度減小待機(jī)消耗功率。另外，圖7使輸入電壓(Vin)變化來(lái)表示將本發(fā)明的放電電阻52設(shè)為不同電阻 值時(shí)的無(wú)負(fù)載待機(jī)中的與消耗功率的關(guān)系，如該圖所示，與輸入電壓(Vin)無(wú)關(guān)，根據(jù)本發(fā) 明，通過(guò)并聯(lián)地連接開(kāi)關(guān)二極管59可以將放電電阻52設(shè)為4. 7k Ω的較高的電阻值，與現(xiàn) 有的設(shè)為100Ω的電阻值的充放電電阻50相比，可以使待機(jī)中的消耗功率大幅度地減小。在上述實(shí)施方式中，通過(guò)與第一反饋線圈加分離地在變壓器2中設(shè)置的第二反饋 線圈2b的反激電壓對(duì)驅(qū)動(dòng)用電容器55或控制用電容器53充電，但也可以不使用第二反饋 線圈2b而通過(guò)變壓器2的其他線圈中產(chǎn)生的反激電壓進(jìn)行充電。另外，在上述實(shí)施方式中，由比較輸出電壓和設(shè)定電壓的比較誤差放大器33、光耦 合器發(fā)光元件35以及光耦合器受光元件39形成了恒壓控制電路，該恒壓控制電路，根據(jù)輸 出電壓超過(guò)設(shè)定電壓的輸出電壓和設(shè)定電壓的差電壓，從產(chǎn)生反激電壓的線圈或驅(qū)動(dòng)用電 容器55流過(guò)對(duì)控制用電容器53充電的充電電流，但也不一定非要使用這些電路元件，也可以以其他電路元件代替使用。另外，截止控制晶體管5不限于NPN形晶體管，也可以使用其他開(kāi)關(guān)元件。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明適用于以將不穩(wěn)定的直流電源穩(wěn)定后的輸出電壓進(jìn)行輸出的開(kāi)關(guān)電源電路。
權(quán)利要求
1.一種自激式開(kāi)關(guān)電源電路，其具備變壓器，其具有一次線圈、二次輸出線圈和至少一個(gè)以上的反饋線圈； 振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其與一次線圈串聯(lián)地連接在直流電源上，在柵極電壓在閾值電 壓Vth以上的期間進(jìn)行導(dǎo)通動(dòng)作；啟動(dòng)用電阻，其連接在直流電源的高壓側(cè)端子和振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極間； 導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電路，其由在反饋線圈和振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極間串聯(lián)連接的反饋電容 器以及反饋電阻構(gòu)成；驅(qū)動(dòng)元件，其連接在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和直流電源的低壓側(cè)端子間，在控制 端子電壓在動(dòng)作電壓以上的期間柵極和低壓側(cè)端子間導(dǎo)通，使振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行截 止動(dòng)作；分流電阻，其連接在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和低壓側(cè)端子間；放電電阻，其連接在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和分流電阻的連接點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)元件的控制端子間；控制用電容器，其連接在驅(qū)動(dòng)元件的控制端子和低壓側(cè)端子間，在導(dǎo)通動(dòng)作期間中由 一次線圈的勵(lì)磁電流所流過(guò)的分流電阻的電壓充電，將控制端子電壓拉升到動(dòng)作電壓以 上，在截止動(dòng)作期間中經(jīng)由放電電阻和分流電阻被放電，使控制端子電壓降低到不足動(dòng)作 電壓；以及恒壓控制電路，其對(duì)在變壓器的二次輸出線圈中產(chǎn)生的反激電壓進(jìn)行整流濾波后的輸 出電壓與預(yù)定的設(shè)定電壓進(jìn)行比較，根據(jù)輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓時(shí)的輸出電壓與設(shè)定電壓 的差電壓，使從產(chǎn)生反激電壓的變壓器的某個(gè)線圈或由反激電壓充電的驅(qū)動(dòng)用電容器對(duì)控 制用電容器充電的充電電流流過(guò)，在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通后輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓的期間，在施加了一次線圈的勵(lì) 磁電流所流過(guò)的分流電阻的電壓的控制端子上，施加驅(qū)動(dòng)用電容器的充電電壓，對(duì)驅(qū)動(dòng)元 件使振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止前的導(dǎo)通動(dòng)作期間進(jìn)行縮短控制，在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止后輸出電壓超過(guò)設(shè)定電壓的期間，從產(chǎn)生反激電壓的變 壓器的某個(gè)線圈或驅(qū)動(dòng)用電容器對(duì)控制用電容器充電，將控制端子電壓維持在動(dòng)作電壓以 上，并阻止振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通，由此對(duì)截止動(dòng)作期間進(jìn)行延長(zhǎng)控制， 該自激式開(kāi)關(guān)電源電路，在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和分流電阻的連接點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)元件的控制端子間，與放電電阻并 聯(lián)地連接了以從所述連接點(diǎn)到控制端子方向作為正方向的開(kāi)關(guān)二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自激式開(kāi)關(guān)電源電路，其特征在于，設(shè)定放電電阻的電阻值，使得在二次輸出線圈上連接了額定消耗功率的負(fù)載的狀態(tài) 下，從二次輸出線圈釋放出在變壓器中積蓄的能量，當(dāng)自由振蕩的反饋線圈的電壓達(dá)到最 初的極大值時(shí)，控制用電容器的充電電壓小于動(dòng)作電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自激式開(kāi)關(guān)電源電路，其特征在于，驅(qū)動(dòng)元件是使集電極與振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接、使發(fā)射極與低壓側(cè)端子連 接、使基極與控制端子連接的NPN型晶體管，在截止動(dòng)作期間中，由在變壓器的反饋線圈中產(chǎn)生的反激電壓充電的反饋電容器，由 在開(kāi)關(guān)二極管和NPN型晶體管的基極、集電極間流過(guò)的充電電流充電。
全文摘要
本發(fā)明提供一種迅速響應(yīng)一次線圈電流的上升，容易進(jìn)行恒壓控制，而且在無(wú)負(fù)載或連接輕負(fù)載時(shí)進(jìn)行間歇振蕩動(dòng)作，抑制電力損失的自激式開(kāi)關(guān)電源電路。在流過(guò)一次線圈電流的分流電阻和驅(qū)動(dòng)元件的控制端子間，與放電電阻并聯(lián)地連接以從分流電阻到控制端子方向?yàn)檎较虻拈_(kāi)關(guān)二極管，在振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通動(dòng)作期間中，通過(guò)一次線圈電流的上升，驅(qū)動(dòng)元件快速地對(duì)振蕩用場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行截止控制，并且在無(wú)負(fù)載或連接輕負(fù)載時(shí)，使用高電阻值的放電電阻，減慢從連接在驅(qū)動(dòng)元件的控制端子上的控制用電容器的放電速度，延長(zhǎng)截止動(dòng)作期間。
文檔編號(hào)H02M3/338GK102044971SQ20101012406
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月14日
發(fā)明者飴井俊裕 申請(qǐng)人:Smk株式會(huì)社