專利名稱：雙分裂大漏抗可控調(diào)節(jié)消弧線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及可控調(diào)節(jié)消弧線圈，特別是一種雙分裂大漏抗可控調(diào)節(jié)消弧線圈。
目前的消弧線圈的結(jié)構(gòu)有調(diào)感式、調(diào)容式，其缺點(diǎn)是需要機(jī)械的轉(zhuǎn)動(dòng)投切機(jī)構(gòu)，使用時(shí)可靠性較差。此外，也有些技術(shù)資料提出采用一次和二次線圈按同心圓的排列來設(shè)計(jì)大漏抗消弧線圈，加大線圈直徑，使線圈繞制消耗材料增加，成本高。
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)上述的缺點(diǎn)，研制一種雙分裂大漏抗可調(diào)節(jié)消弧線圈，采用“日”字型鐵心，把高壓線圈繞在中間鐵心柱上，低壓線圈分別繞在兩邊柱上，既不用機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，也不用加大線圈直徑，減少體積，節(jié)省材料，使用安全可靠。
本實(shí)用新型的目的是按如下方案實(shí)現(xiàn)的采用“日”字型鐵心，把高壓線圈W1繞在中間鐵心柱上，兩個(gè)低壓線圈W2和W3分別繞在兩個(gè)邊柱上，高低壓線圈之間的漏抗可以做得很大，而高低壓線圈直徑都較小。高壓W1線圈的首端D1接到接地的中點(diǎn)，高壓線圈的尾端D2接地。在低壓W2線圈的中部有抽頭1、2，其相應(yīng)的線圈標(biāo)記為W4。在低壓W3線圈的中部有抽頭3、4，其相應(yīng)的線圈標(biāo)記為W5。第一組雙向可控硅由S1、S2兩個(gè)可控硅組成，接在W2線圈首尾D3、D4之間。第二組雙向可控硅由S3、S4兩個(gè)可控硅組成，接在W3線圈首尾D5、D6之間，正常兩個(gè)低壓線圈只有一個(gè)線圈的抽頭被短接，被短接的是抽頭W5線圈，即抽頭3、4之間被短接。
也可以在消弧線圈的首尾D1、D2兩端直接并聯(lián)電容C1，以減少流過接地點(diǎn)電弧的電流，節(jié)省消弧線圈的材料。
為了加強(qiáng)濾波效果，勿使高次諧波通入接地點(diǎn)，在主柱上繞一個(gè)第3副線圈WK，由它的兩端K1、K2接濾波電容C1。高壓線圈W1和濾波副線圈WK按同心圓內(nèi)外排列繞制，它們之間是緊耦合，漏抗小，使電容濾波效果好。
由于采用本實(shí)用新型，不僅可減少消弧線圈的體積、節(jié)省材料，使用安全可靠，而且測(cè)量系統(tǒng)電容電流的計(jì)算更準(zhǔn)確。
結(jié)合附圖和實(shí)施例，詳細(xì)公開本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)。


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
實(shí)施例1采用“日”字型鐵心，把高壓線圈W1繞在中間鐵心柱上，兩個(gè)低壓線圈W2和W3分別繞在兩個(gè)邊柱上，高低壓線圈之間的漏抗可以做得很大，而高低壓線圈直徑都較小。高壓W1線圈的首端D1接到接地的中點(diǎn)，高壓線圈的尾端D2接地。在低壓W2線圈的中部有抽頭1、2，其相應(yīng)的線圈標(biāo)記為W4，在低壓W3線圈的中部有抽頭3、4，其相應(yīng)的線圈標(biāo)記為W5。第一組雙向可控硅由S1、S2兩個(gè)可控硅組成，接在W2線圈首尾D3、D4之間。第二組雙向可控硅由S3、S4兩個(gè)可控硅組成，接在W3線圈首尾D5、D6之間。兩個(gè)低壓線圈只有一個(gè)線圈的抽頭被短接，被短接的是抽頭W5線圈，即抽頭3、4之間被短接。
實(shí)施例2
雙分裂大漏抗消弧線圈在中點(diǎn)不接地系統(tǒng)實(shí)用接線的實(shí)施例為了加強(qiáng)濾波效果，勿使高次諧波通入接地點(diǎn)，在主柱上繞一個(gè)第3副線圈WK，由它的兩端K1、K2接濾波電容C1。高壓線圈W1和濾波線圈WK按同心圓內(nèi)外排列繞制，它們之間是緊耦合，漏抗小，使電容濾波效果好。
權(quán)利要求1.雙分裂大漏抗可控調(diào)節(jié)消弧線圈，由鐵心、高壓線圈、低壓線圈組成，其特征在于采用“日”字型鐵心，把高壓線圈W1繞在中間鐵心柱上，兩個(gè)低壓線圈W2和W3分別繞在兩個(gè)邊柱上，高壓W1線圈的首端D1接到接地的中點(diǎn)，高壓線圈的尾端D2接地，在低壓W2線圈的中部有抽頭1、2，在低壓W3線圈的中部有抽頭3、4，第一組雙向可控硅由S1、S2兩個(gè)可控硅組成，接在W2線圈首尾D3、D4之間，第二組雙向可控硅由S3、S4兩個(gè)可控硅組成，接在W3線圈首尾D5、D6之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙分裂大漏抗可控調(diào)節(jié)消弧線圈，其特征在于可以在消弧線圈的首尾D1、D2兩端直接并聯(lián)電容C1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙分裂大漏抗可控調(diào)節(jié)消弧線圈，其特征在于可以在主柱上繞一個(gè)第3副線圈WK，由它的兩端K1、K2接濾波電容C1，高壓線圈W1和濾波副線圈WK按同心圓內(nèi)外排列繞制，緊耦合。
專利摘要本實(shí)用新型是公開了一種雙分裂大漏抗可控調(diào)節(jié)消弧線圈的結(jié)構(gòu)，采用“日”字型鐵心，把高壓線圈W1繞在中間鐵心柱上，兩個(gè)低壓線圈W2和W3分別繞在兩個(gè)邊柱上，高壓W1線圈的首端D1接到接地的中點(diǎn)，尾端D2接地。低壓W2線圈的中部有抽頭1、2，低壓W3線圈的中部有抽頭3、4，第一組雙向可控硅由S1、S2兩個(gè)可控硅組成，接在W2線圈首尾D3、D4之間。第二組雙向可控硅由S3、S4兩個(gè)可控硅組成，接在W3線圈首尾D5、D6之間。抽頭3、4之間被短接。采用本實(shí)用新型，不僅可減少消弧線圈的體積、節(jié)省材料，使用安全可靠，而且測(cè)量系統(tǒng)電容電流的計(jì)算更準(zhǔn)確。
文檔編號(hào)H02H9/08GK2535960SQ0222993
公開日2003年2月12日 申請(qǐng)日期2002年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月28日
發(fā)明者張旭俊, 龔多祥 申請(qǐng)人:廣東增城特種電力設(shè)備有限公司