一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)（1）、有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)（2）、截止環(huán)N+摻雜區(qū)（3）以及復(fù)合型結(jié)終端P?摻雜區(qū)（4），上述摻雜區(qū)均在硅材料襯底（6）的外延層或者高阻層N?區(qū)（5）內(nèi)，場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)（1）位于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)（2）外側(cè)，兩區(qū)保持一定的距離，復(fù)合型結(jié)終端P?摻雜區(qū)（4）位于場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)（1）的外圍，且兩者緊密相連，復(fù)合型結(jié)終端P?摻雜區(qū)（4）的結(jié)深小于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)（2）的結(jié)深，截止環(huán)N+摻雜區(qū)（3）位于芯片最外圍，與復(fù)合型結(jié)終端P?摻雜區(qū)（4）保持一定的距離。本實(shí)用新型保證場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)起到一定的分壓作用，減緩場(chǎng)限環(huán)電場(chǎng)強(qiáng)度，以提高反向擊穿電壓典型值。
【專利說明】
一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種復(fù)合型的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，應(yīng)用在集成電路或分立器件芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在生產(chǎn)半導(dǎo)體功率器件時(shí)，反向擊穿電壓與芯片大小是一對(duì)相互制約的參數(shù)。功率器件要想獲得較高的反向電壓，一般通過增加結(jié)終端尺寸以及增加外延層(或者高阻層)厚度來實(shí)現(xiàn)，但這些措施會(huì)增加芯片的大小。有時(shí)為了降低生產(chǎn)成本以及滿足相應(yīng)的封裝形式的要求，應(yīng)用端的客戶對(duì)芯片的大小有一定的限制，因此要提高芯片的反向擊穿電壓同時(shí)又不能增加終端尺寸，需對(duì)現(xiàn)有終端結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)，可以生產(chǎn)出終端尺寸不變而反向擊穿電壓較高的半導(dǎo)體功率器件芯片。
[0004]本實(shí)用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案為:一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)，它包括場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)、有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)、截止環(huán)N+摻雜區(qū)以及復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)，上述摻雜區(qū)均在硅材料襯底的外延層或者高阻層N—區(qū)內(nèi)，所述場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)位于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)外側(cè)，兩區(qū)保持一定的距離，所述復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)位于場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)的外圍，且兩者緊密相連，復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)的結(jié)深小于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)的結(jié)深，所述截止環(huán)N+摻雜區(qū)位于芯片最外圍，與復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)保持一定的距離。
[0005]優(yōu)選地，所述復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)的結(jié)深為ΙΟμπι，有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)和場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)的結(jié)深為20μηι，截止環(huán)N+摻雜區(qū)結(jié)深為3μηι。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0007]本實(shí)用新型在有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)、場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)結(jié)深一定的情況下，保證場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)起到一定的分壓作用，與此同時(shí)復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)結(jié)深設(shè)計(jì)的較淺，減緩場(chǎng)限環(huán)電場(chǎng)強(qiáng)度，以提高反向擊穿電壓典型值。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]其中:
[0010]場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)I
[0011]有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)2
[0012]截止環(huán)N+摻雜區(qū)3
[0013]復(fù)合型結(jié)終端P-摻雜區(qū)4
[0014]外延層或者高阻層N—區(qū)5
[0015]硅材料襯底區(qū)6。
【具體實(shí)施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0017]如圖1所示，本實(shí)施例中的一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)1、有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)2、截止環(huán)N+摻雜區(qū)3以及復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)4。上述摻雜區(qū)均在硅材料襯底6的外延層或者高阻層N—區(qū)5內(nèi)，所述場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)I位于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)2外側(cè)，兩區(qū)保持一定的距離，所述復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)4位于場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)I的外圍，且兩者緊密相連，該區(qū)的結(jié)深小于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)2的結(jié)深。所述截止環(huán)N+摻雜區(qū)3位于芯片最外圍，與復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)4保持一定的距離。
[0018]具體實(shí)現(xiàn)步驟如下:
[0019]步驟一:在場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)I外圍設(shè)計(jì)一復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)4，其與場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)I相連，在復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)4摻雜淡硼并進(jìn)行氧化擴(kuò)散，結(jié)深Xj達(dá)到ΙΟμπι左右；
[0020]步驟二:對(duì)有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)2、場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)I進(jìn)行摻雜濃硼并進(jìn)行氧化擴(kuò)散，結(jié)深Xj達(dá)到20μπι左右；
[0021 ]步驟三:對(duì)截止環(huán)N+摻雜3進(jìn)行摻雜濃磷并進(jìn)行氧化擴(kuò)散，結(jié)深Xj達(dá)到3μπι左右；
[0022]除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)(I)、有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)(2)、截止環(huán)N+摻雜區(qū)(3)以及復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)(4)，上述摻雜區(qū)均在硅材料襯底(6)的外延層或者高阻層N—區(qū)(5)內(nèi)，所述場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)(I)位于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)(2)夕卜偵U，兩區(qū)保持一定的距離，所述復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)(4)位于場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)(I)的外圍，且兩者緊密相連，復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)(4)的結(jié)深小于有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)(2)的結(jié)深，所述截止環(huán)N+摻雜區(qū)(3)位于芯片最外圍，與復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)(4)保持一定的距離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于所述復(fù)合型結(jié)終端P—摻雜區(qū)(4)的結(jié)深為ΙΟμπι，有源區(qū)主結(jié)P+摻雜區(qū)(2 )和場(chǎng)限環(huán)P+摻雜區(qū)(I)的結(jié)深為20μπι，截止環(huán)N+摻雜區(qū)(3)結(jié)深為3μηι。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK205645821SQ201620322189
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年4月18日
【發(fā)明人】焦丹鈞, 朱瑞, 陳曉倫, 沈曉東, 許柏松, 歐應(yīng)輝, 葉新民
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