一種光伏多晶電池片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種光伏多晶電池片,包括本體,所述本體表面設(shè)有主柵線和副柵線,且主柵線與副柵線之間相互垂直,所述本體包括P型多晶硅片與N型多晶硅片,所述P型多晶硅片與N型多晶硅片之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū),所述P型多晶硅片設(shè)置于N型多晶硅片的上側(cè),所述P型多晶硅片兩側(cè)設(shè)有上電極,所述P型多晶硅片的上側(cè)設(shè)有P型多晶硅膜,所述N型多晶硅片兩側(cè)設(shè)有下電極,所述N型多晶硅片下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜,所述本體表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜,所述透明導(dǎo)電膜外側(cè)設(shè)有本體保護(hù)膜。本實(shí)用新型通過本體表面呈凹凸?fàn)睿龃罅宋饷娣e,從而使得吸光能力增強(qiáng),提高了轉(zhuǎn)換效率,且其光電轉(zhuǎn)換性能很穩(wěn)定,提高了使用壽命。
【專利說明】
一種光伏多晶電池片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種光伏多晶電池片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,能源的消耗急劇增長,絕大多數(shù)能源是化石燃料,不僅資源日漸減少,而且大量二氧化碳等氣體排放,使環(huán)境問題日益嚴(yán)重。因此,國內(nèi)外越來越重視可再生能源,特別是光伏發(fā)電的開發(fā)利用,在過去的十年里全球光伏產(chǎn)業(yè)保持了高速增長,已逐步成為繼微電子產(chǎn)業(yè)之后驅(qū)動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展最主要的產(chǎn)業(yè)之一,對于高新技術(shù)光伏產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)良性發(fā)展,研發(fā)低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)技術(shù)極為重要。冶金法提純多晶硅的工藝因具有提純技術(shù)產(chǎn)能大、生產(chǎn)工藝簡單、提純工藝不涉及化學(xué)過程、與環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn),采用冶金法提純的多晶硅太陽電池材料最有可能取代改良西門子法生產(chǎn)的高純硅太陽電池材料,它有著巨大的市場潛力和發(fā)展空間。目前,國際、國內(nèi)用冶金法提純多晶硅及制作高效太陽能電池技術(shù),都未形成規(guī)?;?。因此針對冶金多晶硅電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)進(jìn)行探索,研制高效太陽電池,以期達(dá)到光伏發(fā)電低成本產(chǎn)業(yè)化的目標(biāo),成為一個(gè)重要課題,因此,提出了一種光伏多晶電池片。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種光伏多晶電池片,以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種光伏多晶電池片,包括本體,所述本體表面設(shè)有主柵線和副柵線,且主柵線與副柵線之間相互垂直,所述本體包括P型多晶硅片與N型多晶硅片,所述P型多晶硅片與N型多晶硅片之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū),所述P型多晶硅片設(shè)置于N型多晶硅片的上側(cè),所述P型多晶硅片兩側(cè)設(shè)有上電極,所述P型多晶硅片的上側(cè)設(shè)有P型多晶硅膜,所述N型多晶硅片兩側(cè)設(shè)有下電極,所述N型多晶硅片下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜,所述本體表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜,所述透明導(dǎo)電膜外側(cè)設(shè)有本體保護(hù)膜。
[0005]優(yōu)選的,所述本體上表面呈凹凸?fàn)睢?br>[0006]優(yōu)選的,所述主柵線之間相互平行,所述副柵線之間相互平行。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:該光伏多晶電池片通過本體表面呈凹凸?fàn)?,增大了吸光面積,從而使得吸光能力增強(qiáng),提高了轉(zhuǎn)換效率,且其光電轉(zhuǎn)換性能很穩(wěn)定,提尚了使用壽命。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)不意圖;
[0009]圖2為本實(shí)用新型本體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中:I本體、2主柵線、3副柵線、4P型多晶硅片、41 P型多晶硅膜、5 N型多晶硅片、51 N型多晶硅膜、6本體保護(hù)膜、7透明導(dǎo)電膜、8上電極、9下電極、10導(dǎo)通區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0012]請參閱圖1-2,本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種光伏多晶電池片,包括本體I,所述本體I表面設(shè)有主柵線2和副柵線3,且主柵線2與副柵線3之間相互垂直,所述本體I包括P型多晶硅片4與N型多晶硅片5,所述P型多晶硅片4與N型多晶硅片5之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū)10,所述P型多晶硅片4設(shè)置于N型多晶硅片5的上側(cè),所述P型多晶硅片4兩側(cè)設(shè)有上電極8,所述P型多晶硅片4的上側(cè)設(shè)有P型多晶硅膜41,所述N型多晶硅片5兩側(cè)設(shè)有下電極9,所述N型多晶硅片5下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜51,所述本體I表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜7,所述透明導(dǎo)電膜7外側(cè)設(shè)有本體保護(hù)膜6,所述本體I上表面呈凹凸?fàn)睿鲋鳀啪€2之間相互平行,所述副柵線3之間相互平行。
[0013]工作原理:工作時(shí),通過本體I表面呈凹凸?fàn)?,有利減少了反射率,從而使得吸光能力增強(qiáng),在凹凸?fàn)钕聜?cè)的透明導(dǎo)電膜7增大了多晶硅片的吸光率,通過本體I外側(cè)的本體保護(hù)膜6增加了本實(shí)用新型的使用壽命,P型多晶硅膜41與N型多晶硅膜51有效保障了 P型多晶硅片4與N型多晶硅片5的穩(wěn)定,提高了光電轉(zhuǎn)換的效率。
[0014]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光伏多晶電池片,包括本體(I),其特征在于:所述本體(I)表面設(shè)有主柵線(2)和副柵線(3),且主柵線(2)與副柵線(3)之間相互垂直,所述本體(I)包括P型多晶硅片(4)與N型多晶硅片(5),所述P型多晶硅片(4)與N型多晶硅片(5)之間設(shè)有導(dǎo)通區(qū)(10),所述P型多晶硅片(4)設(shè)置于N型多晶硅片(5)的上側(cè),所述P型多晶硅片(4)兩側(cè)設(shè)有上電極(8),所述P型多晶硅片(4)的上側(cè)設(shè)有P型多晶硅膜(41),所述N型多晶硅片(5)兩側(cè)設(shè)有下電極(9),所述N型多晶硅片(5)下側(cè)設(shè)有N型多晶硅膜(51),所述本體(I)表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜(7),所述透明導(dǎo)電膜(7)外側(cè)設(shè)有本體保護(hù)膜(6)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光伏多晶電池片,其特征在于:所述本體(I)上表面呈凹凸?fàn)睢?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光伏多晶電池片,其特征在于:所述主柵線(2)之間相互平行,所述副柵線(3)之間相互平行。
【文檔編號】H01L31/0352GK205564770SQ201620348718
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月22日
【發(fā)明人】蔡倫
【申請人】溫州巨亮光伏科技有限公司