一種led芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，包括：氣流槽，所述氣流槽上設(shè)有氣管接口；真空吸附平臺，所述真空吸附平臺設(shè)置于所述氣流槽上以使所述氣流槽中形成氣道，所述真空吸附平臺包括操作臺、帶氣孔的支承板、活塞，所述操作臺上設(shè)階梯狀吸附孔，所述階梯狀吸附孔的大徑孔口與大氣相通、小徑孔口與所述氣道相通，所述帶氣孔的支承板設(shè)置于所述階梯狀吸附孔的大徑孔口處，所述活塞可移動地設(shè)置于所述帶氣孔的支承板下，所述活塞的端頭面積大于所述階梯狀吸附孔的小徑孔口的。通過該吸附裝置可以一次性測試多個(gè)晶片的粘力，方便快捷。
【專利說明】
一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及真空吸附裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測
目.ο
【背景技術(shù)】
[0002]LED生產(chǎn)技術(shù)中，金屬蒸鍍工藝是金屬電極形成一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，具體是金屬沉積到半導(dǎo)體晶片表面，再經(jīng)過高溫合金，使金屬-半導(dǎo)體間形成良好的歐姆接觸，達(dá)到設(shè)計(jì)的光電性要求。
[0003]而金屬與半導(dǎo)體間結(jié)合的好壞是LED產(chǎn)品品質(zhì)好壞的關(guān)鍵之一，目前驗(yàn)證金屬是否與半導(dǎo)體晶片間結(jié)合好，主要通過打線Bonding和帶粘性的封裝膠帶測粘力來驗(yàn)證判斷。打線Bonding是對晶片局部抽樣驗(yàn)證，測粘力驗(yàn)證是對整片晶片驗(yàn)證，測粘力驗(yàn)證的具體作法是使用封裝膠帶粘沉積在半導(dǎo)體表面的金屬，若能粘掉則說明產(chǎn)品品質(zhì)異常。
[0004]現(xiàn)有的通過封裝膠帶測粘力時(shí)，是將晶片放在桌面上，對晶片一片一片地進(jìn)行作業(yè)，這種作用模式效率低下。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，提供一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，包括:氣流槽，所述氣流槽上設(shè)有氣管接口；真空吸附平臺，所述真空吸附平臺設(shè)置于所述氣流槽上以使所述氣流槽中形成氣道，所述真空吸附平臺包括操作臺、帶氣孔的支承板、活塞，所述操作臺上設(shè)階梯狀吸附孔，所述階梯狀吸附孔的大徑孔口與大氣相通、小徑孔口與所述氣道相通，所述帶氣孔的支承板設(shè)置于所述階梯狀吸附孔的大徑孔口處，所述活塞可移動地設(shè)置于所述帶氣孔的支承板下，所述活塞的端頭面積大于所述階梯狀吸附孔的小徑孔口的。通過該吸附裝置可以一次性測試多個(gè)晶片的粘力，方便快捷。
[0006]為了達(dá)到上述技術(shù)效果，本實(shí)用新型提供的具體技術(shù)方案為:
[0007]—種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，包括:氣流槽，所述氣流槽上設(shè)有氣管接口；真空吸附平臺，所述真空吸附平臺設(shè)置于所述氣流槽上以使所述氣流槽中形成氣道，所述真空吸附平臺包括操作臺、帶氣孔的支承板、活塞，所述操作臺上設(shè)階梯狀吸附孔，所述階梯狀吸附孔的大徑孔口與大氣相通、小徑孔口與所述氣道相通，所述帶氣孔的支承板設(shè)置于所述階梯狀吸附孔的大徑孔口處，所述活塞可移動地設(shè)置于所述帶氣孔的支承板下，所述活塞的端頭面積大于所述階梯狀吸附孔的小徑孔口的。
[0008]作為上述方案的優(yōu)選，所述帶氣孔的支承板下設(shè)有行程筒，所述活塞包括依次相接的導(dǎo)桿、擋板、連接桿、堵頭，所述導(dǎo)桿可移動地設(shè)置于所述行程筒內(nèi)，所述導(dǎo)桿外套設(shè)有彈簧，且所述彈簧設(shè)置于所述行程筒與擋板之間。
[0009]作為上述方案的優(yōu)選，所述階梯狀吸附孔的肩部呈錐狀，所述堵頭呈錐狀，所述錐狀堵頭與所述錐狀肩部相適配。
[0010]作為上述方案的優(yōu)選，所述階梯狀吸附孔的大徑孔口處設(shè)有環(huán)形凹槽，所述帶氣孔的支承板設(shè)置于所述環(huán)形凹槽內(nèi)。
[0011]作為上述方案的優(yōu)選，所述擋板呈圓形，所述圓形擋板的直徑與所述階梯狀吸附孔的大徑孔口的孔徑相適配，所述圓形擋板上設(shè)有導(dǎo)氣孔。
[0012]作為上述方案的優(yōu)選，所述氣流槽包括階梯外沿、底板，所述階梯外沿設(shè)置于所述底板的外周邊上，所述氣管接口設(shè)置于所述底板上。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型提供的一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是階梯狀吸附孔、帶氣孔的支承板、活塞相配合的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
[0016]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
[0017]在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“設(shè)置”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定相連、設(shè)置，也可以是可拆卸連接、設(shè)置，或一體地連接、設(shè)置。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。
[0018]如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型提供一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，包括:
[0019](I)氣流槽I，所述氣流槽包括階梯外沿101、底板102，所述階梯外沿101設(shè)置于所述底板102的外周邊上，所述底板102上設(shè)有氣管接口 2;
[0020](2)真空吸附平臺，所述真空吸附平臺設(shè)置于所述氣流槽的階梯外沿上以使所述氣流槽中形成氣道3，所述真空吸附平臺包括操作臺4、帶氣孔的支承板5、活塞6，所述操作臺4上設(shè)階梯狀吸附孔7，所述階梯狀吸附孔7的大徑孔口與大氣相通、小徑孔口與所述氣道3相通，所述帶氣孔的支承板5設(shè)置于所述階梯狀吸附孔7的大徑孔口處，所述活塞6可移動地設(shè)置于所述帶氣孔的支承板5下，所述活塞的端頭面積大于所述階梯狀吸附孔的小徑孔口的。
[0021]實(shí)際使用中可以在操作臺上設(shè)多個(gè)吸附孔中，每個(gè)吸附孔中均設(shè)有帶氣孔的支承板、活塞，本實(shí)施例以操作臺上設(shè)多個(gè)吸附孔來說明該LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置的使用方法。具體為:將晶片放置到帶氣孔的支承板上，若多個(gè)帶氣孔的支承板上均放置上晶片，則晶片將所有帶氣孔的支承板上的氣孔堵住，此時(shí)利用真空栗接通氣管接口抽真空時(shí)，活塞不運(yùn)動，階梯狀吸附孔與氣道相通形成真空，晶片表面的大氣壓高于其背面的真空壓力，故晶片被牢牢吸附在帶氣孔的支承板上;若多個(gè)帶氣孔的支承板上部分放置晶片、部分處于閑置狀態(tài)，則放置晶片的帶氣孔的支承板上的氣孔被堵住，此時(shí)抽真空時(shí)，放置晶片的帶氣孔的支承板下的活塞不運(yùn)動，相對應(yīng)的階梯狀吸附孔與氣道想通形成真空，閑置的帶氣孔的支承板上的氣孔未被堵住，大氣壓通過氣孔進(jìn)入活塞上表面，而活塞下表面與氣道形成真空，因此活塞受大氣壓力向下運(yùn)動將階梯狀吸附孔的小徑孔口堵住，此時(shí)大氣壓不會進(jìn)入氣道，因此氣道中仍是真空狀態(tài)，而氣道與放置晶片的帶氣孔的支承板下的階梯狀吸附孔相通，故不影響部分晶片的吸附。
[0022]由此可知，使用本實(shí)用新型提供一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，可以一次性對多個(gè)晶片進(jìn)行測試，而且當(dāng)該真空吸附裝置中的多個(gè)帶氣孔的支承板上并未全部放置晶片時(shí)，也能對放置的晶片起到很好的吸附效果，因此使得測粘力試驗(yàn)的效率大大地提高。
[0023]進(jìn)一步地，所述帶氣孔的支承板5下設(shè)有行程筒8，所述活塞6包括依次相接的導(dǎo)桿601、擋板602、連接桿603、堵頭604，所述導(dǎo)桿601可移動地設(shè)置于所述行程筒8內(nèi)，所述導(dǎo)桿601外套設(shè)有彈簧9，且所述彈簧9設(shè)置于所述行程筒8與擋板602之間。這種結(jié)構(gòu)使得活塞受壓時(shí)既能有效地伸長，當(dāng)壓力消失時(shí)又能快速地恢復(fù)原狀。
[0024]進(jìn)一步地，所述階梯狀吸附孔7的肩部呈錐狀，所述堵頭呈錐狀，所述錐狀堵頭與所述錐狀肩部相適配。該結(jié)構(gòu)使得活塞將階梯狀吸附孔的小徑孔口堵得更嚴(yán)實(shí)。
[0025]進(jìn)一步地，所述階梯狀吸附孔7的大徑孔口處設(shè)有環(huán)形凹槽10，所述帶氣孔的支承板5設(shè)置于所述環(huán)形凹槽10內(nèi)。環(huán)形凹槽使得帶氣孔的支承板固定地更牢固。
[0026]進(jìn)一步地，所述擋板602呈圓形，所述圓形擋板的直徑與所述階梯狀吸附孔的大徑孔口的孔徑相適配，所述圓形擋板上設(shè)有導(dǎo)氣孔11。該結(jié)構(gòu)使得擋板運(yùn)動時(shí)不易發(fā)生變形，運(yùn)動時(shí)更穩(wěn)定。
[0027]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本實(shí)用新型的原理和宗旨的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，其特征在于，包括: 氣流槽，所述氣流槽上設(shè)有氣管接口 ； 真空吸附平臺，所述真空吸附平臺設(shè)置于所述氣流槽上以使所述氣流槽中形成氣道，所述真空吸附平臺包括操作臺、帶氣孔的支承板、活塞，所述操作臺上設(shè)階梯狀吸附孔，所述階梯狀吸附孔的大徑孔口與大氣相通、小徑孔口與所述氣道相通，所述帶氣孔的支承板設(shè)置于所述階梯狀吸附孔的大徑孔口處，所述活塞可移動地設(shè)置于所述帶氣孔的支承板下，所述活塞的端頭面積大于所述階梯狀吸附孔的小徑孔口的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，其特征在于，所述帶氣孔的支承板下設(shè)有行程筒，所述活塞包括依次相接的導(dǎo)桿、擋板、連接桿、堵頭，所述導(dǎo)桿可移動地設(shè)置于所述行程筒內(nèi)，所述導(dǎo)桿外套設(shè)有彈簧，且所述彈簧設(shè)置于所述行程筒與擋板之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，其特征在于，所述階梯狀吸附孔的肩部呈錐狀，所述堵頭呈錐狀，所述錐狀堵頭與所述錐狀肩部相適配。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，其特征在于，所述階梯狀吸附孔的大徑孔口處設(shè)有環(huán)形凹槽，所述帶氣孔的支承板設(shè)置于所述環(huán)形凹槽內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，其特征在于，所述擋板呈圓形，所述圓形擋板的直徑與所述階梯狀吸附孔的大徑孔口的孔徑相適配，所述圓形擋板上設(shè)有導(dǎo)氣孔。6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的LED芯片金屬鍍層質(zhì)量檢測裝置，其特征在于，所述氣流槽包括階梯外沿、底板，所述階梯外沿設(shè)置于所述底板的外周邊上，所述氣管接口設(shè)置于所述底板上。
【文檔編號】H01L21/66GK205564713SQ201620393660
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年5月4日
【發(fā)明人】胡泰祥
【申請人】元茂光電科技(武漢)有限公司