一種磁共振射頻功率放大器用定向耦合器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種磁共振射頻功率放大器用定向耦合器。
【背景技術(shù)】
[0002]定向耦合器在核磁共振射頻功率放大器上的作用是提取功率放大器輸出端口的輸出功率以及反射功率，以便于控制系統(tǒng)對(duì)功率放大器的輸出功率進(jìn)行監(jiān)測(cè)。這種定向耦合器耦合較弱，易受到干擾，且需要25dB以上的方向性。因此，這種定向耦合器需要一些特別的設(shè)計(jì)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種帶屏蔽干擾能力、具有高方向性的磁共振射頻功率放大器用定向耦合器。
[0004]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:一種磁共振射頻功率放大器用定向耦合器，包括主微帶線和副微帶線，其特征在于:還包括介質(zhì)基板，所述主微帶線鋪設(shè)在介質(zhì)基板的上方，所述副微帶線則埋入介質(zhì)基板內(nèi)部，所述介質(zhì)基板上還鋪設(shè)有屏蔽干擾用的接地金屬層。
[0005]本實(shí)用新型提供的定向耦合器還包含用于引出耦合信號(hào)的SMA接頭，該SMA接頭的外導(dǎo)體連接接地金屬層，所述接地金屬層通過一系列過孔與介質(zhì)基板的另一側(cè)相連，所述副微帶線通過所述過孔與SMA接頭的內(nèi)導(dǎo)體相連。
[0006]較好的，所述介質(zhì)基板為相對(duì)介電常數(shù)為4.4的基板，介質(zhì)基板的板厚為3mm，主微帶線寬度為5.3mm，副微帶線的寬度為1.7mm，長(zhǎng)度100mm;副微帶線埋藏在介質(zhì)基板中心，與上下側(cè)面的距離均為1.5mm，主微帶線和副微帶線之間的間距為7.2mm，接地金屬層的寬度為27.2mm，長(zhǎng)度為150mm，由此得到在63.87MHz處耦合度為-60.3073dB，隔離度為-86.5969dB，方向性約為26dB。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:方向性好，加工簡(jiǎn)單，制造成本較低，能夠?qū)⑷醵ㄏ蝰詈掀鞯姆较蛐蕴岣叩?5dB以上，且大大減少了外部干擾。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中磁共振射頻功率放大器用定向耦合器的頂視圖；
[0009]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中磁共振射頻功率放大器用定向耦合器的剖視圖；
[0010]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例中磁共振射頻功率放大器用定向耦合器的部分剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0012]如圖1?3所示的磁共振射頻功率放大器用定向耦合器，包括主微帶線1、副微帶線2和介質(zhì)基板3，所述主微帶線I鋪設(shè)在介質(zhì)基板3的上方，所述副微帶線2則埋入介質(zhì)基板3內(nèi)部，所述介質(zhì)基板3上還鋪設(shè)有屏蔽干擾用的接地金屬層4，接地金屬層4上設(shè)有兩個(gè)用于引出耦合信號(hào)的SMA接頭5，兩個(gè)SMA接頭的外導(dǎo)體連接接地金屬層，所述接地金屬層通過一系列過孔41與介質(zhì)基板的另一側(cè)相連，所述副微帶線的兩個(gè)末端通過前述過孔分別與兩個(gè)SMA接頭的內(nèi)導(dǎo)體相連。
[0013]本實(shí)施例中，所述介質(zhì)基板為相對(duì)介電常數(shù)為4.4的基板，介質(zhì)基板的板厚為3mm，主微帶線寬度為5.3mm，副微帶線的寬度為1.7mm，長(zhǎng)度100mm;副微帶線埋藏在介質(zhì)基板中心，與上下側(cè)面的距離均為1.5mm，主微帶線和副微帶線之間的間距為7.2mm，接地金屬層的寬度為27.2mm，長(zhǎng)度為150mm，由此得到在63.87MHz處耦合度為-60.3073dB，隔離度為-86.5969dB，方向性約為26dB。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁共振射頻功率放大器用定向耦合器，包括主微帶線和副微帶線，其特征在于:還包括介質(zhì)基板，所述主微帶線鋪設(shè)在介質(zhì)基板的上方，所述副微帶線則埋入介質(zhì)基板內(nèi)部，所述介質(zhì)基板上還鋪設(shè)有屏蔽干擾用的接地金屬層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振射頻功率放大器用定向耦合器，其特征在于:還包含用于引出耦合信號(hào)的SMA接頭，該SMA接頭的外導(dǎo)體連接接地金屬層，所述接地金屬層通過一系列過孔與介質(zhì)基板的另一側(cè)相連，所述副微帶線的末端通過前述過孔與SMA接頭的內(nèi)導(dǎo)體相連。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振射頻功率放大器用定向耦合器，其特征在于:所述介質(zhì)基板為相對(duì)介電常數(shù)為4.4的基板，介質(zhì)基板的板厚為3mm，主微帶線寬度為5.3mm，副微帶線的寬度為I.7mm，長(zhǎng)度10mm;副微帶線埋藏在介質(zhì)基板中心，與上下側(cè)面的距離均為.1.5mm，主微帶線和副微帶線之間的間距為7.2mm，接地金屬層的寬度為27.2mm，長(zhǎng)度為.I50mm.
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種磁共振射頻功率放大器用定向耦合器，包括主微帶線和副微帶線，其特征在于：還包括介質(zhì)基板，所述主微帶線鋪設(shè)在介質(zhì)基板的上方，所述副微帶線則埋入介質(zhì)基板內(nèi)部，所述介質(zhì)基板上還鋪設(shè)有屏蔽干擾用的接地金屬層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：方向性好，加工簡(jiǎn)單，制造成本較低，能夠?qū)⑷醵ㄏ蝰詈掀鞯姆较蛐蕴岣叩?5dB以上，且大大減少了外部干擾。
【IPC分類】H01P5/18
【公開號(hào)】CN205248411
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520931689
【發(fā)明人】項(xiàng)融, 張勛, 李應(yīng)良
【申請(qǐng)人】鑫高益醫(yī)療設(shè)備股份有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2015年11月20日