一種降低DDR4DIMM的pin腳連錫風(fēng)險的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及計算機(jī)內(nèi)存改進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種降低DDR4 DIMM pin腳連錫風(fēng)險的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，計算機(jī)由于其信息量大，獲取信息簡單方便等特點(diǎn)而在人們?nèi)粘Ｉ钪械膽?yīng)用越來越廣泛。隨著使用需要不斷的增多，使用者對計算機(jī)的內(nèi)存要求越來越高，特別是大型企業(yè)對計算機(jī)的內(nèi)存要求更是逐日增加。DDR4(Dual Data Rate)DlMM(Dual-1nline-Memory-Modules)插槽的pin腳(引腳)間距為0.8mm，在pin腳漏出PCB(Printed Circuit Board Assembly)長度超過0.5mm后，極易發(fā)生漏錫現(xiàn)象，且現(xiàn)有技術(shù)下傳統(tǒng)的DDR4 DIMM槽pin腳過于柔軟，容易發(fā)生潰pin現(xiàn)象。一旦pin腳發(fā)生漏錫現(xiàn)象或者潰pin現(xiàn)象，都會對DDR4 DIMM槽帶來很大的影響，在使用過程中存在很大的風(fēng)險，給計算機(jī)的使用帶來局限性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的技術(shù)任務(wù)是針對上述存在的問題，提供一種操作方法簡單方便，并且有效解決pin腳連錫問題，降低pin腳潰pin現(xiàn)象降低DDR4 DIMM pin腳連錫風(fēng)險的方法。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
一種降低DDR4 DIMM pin腳連錫風(fēng)險的方法，將傳統(tǒng)的DDR4 DIMM pin腳由扁平結(jié)構(gòu)改為凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽結(jié)構(gòu)的整體厚度比扁平結(jié)構(gòu)的厚度增大10%，有效避免了傳統(tǒng)pin腳過于柔軟的問題。
[0005]作為優(yōu)選，所述凹槽結(jié)構(gòu)利用液態(tài)錫的液面張力，使液態(tài)錫沿著凹槽爬升，能夠達(dá)到吃錫飽滿且不外溢的效果，防止連錫pin腳。
[0006]由于凹槽結(jié)構(gòu)比扁平結(jié)構(gòu)更容易阻擋液態(tài)錫，并且能增加液態(tài)錫的液面張力，能夠達(dá)到使液錫不外溢的效果。
[0007]作為優(yōu)選，所述凹槽結(jié)構(gòu)比偏平結(jié)構(gòu)的剛性更好，可以有效增加pin腳強(qiáng)度，降低P in腳風(fēng)險。
[0008]凹槽結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)面積相對增大，能夠增加其剛性，相應(yīng)的增加pin腳強(qiáng)度，進(jìn)一步減少pin腳發(fā)生潰pin的風(fēng)險。
[0009]作為優(yōu)選，所述DDR4DIMM pin腳組裝保持原有設(shè)備，制備方法保持不變。
[0010]本發(fā)明具有以下突出的有益效果:極大的提高DIMM使用的良率，降低產(chǎn)
品發(fā)生異常的概率，提高生產(chǎn)效率，降低返修費(fèi)用;并且所述方法操作簡單方便，仍然采用原來的設(shè)備及方法，具有良好的實(shí)用性。
【附圖說明】
[0011]圖1為扁平結(jié)構(gòu)的pin腳示意圖； 圖2為本發(fā)明所述凹槽結(jié)構(gòu)的pin腳示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明所述降低DDR4DIMM pin腳連錫風(fēng)險的方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0013]在本發(fā)明中，在未作相反說明的情況下，使用的方位詞如“上、下、左、右”通常是指參考附圖所示的上、下、左、右；“內(nèi)、外”是指相對于各部件本身的輪廓的內(nèi)、外。
實(shí)施例
[0014]如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中扁平結(jié)構(gòu)的pin腳示意圖。如圖2所述為本發(fā)明所述降低DDR4 DMM piη腳連錫風(fēng)險的方法中的凹槽結(jié)構(gòu)的pin腳示意圖。該方法中將傳統(tǒng)的DDR4DIMM pin腳由扁平結(jié)構(gòu)改為凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽結(jié)構(gòu)的整體厚度比扁平結(jié)構(gòu)的厚度增大10%，有效避免了傳統(tǒng)pin腳過于柔軟的問題。凹槽結(jié)構(gòu)利用液態(tài)錫的液面張力，使液態(tài)錫沿著凹槽爬升，能夠達(dá)到吃錫飽滿且不外溢的效果，防止連錫pin腳。由于凹槽結(jié)構(gòu)比扁平結(jié)構(gòu)更容易阻擋液態(tài)錫，并且能增加液態(tài)錫的液面張力，能夠達(dá)到使液錫不外溢的效果。凹槽結(jié)構(gòu)比偏平結(jié)構(gòu)的剛性更好，可以有效增加pin腳強(qiáng)度，降低pin腳風(fēng)險。凹槽結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)面積相對增大，能夠增加其剛性，相應(yīng)的增加pin腳強(qiáng)度，進(jìn)一步減少pin腳發(fā)生潰pin的風(fēng)險。DDR4DIMM pin腳組裝保持原有設(shè)備，制備方法保持不變，在DDR4 DIMM槽pin腳沖壓階段，增加成型制程，將扁平結(jié)構(gòu)的pin腳加工成凹槽結(jié)構(gòu)的pin腳。
[0015]以上所述的實(shí)施例，只是本發(fā)明較優(yōu)選的【具體實(shí)施方式】，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種降低DDR4DMM的pin腳連錫風(fēng)險的方法，其特征在于:將傳統(tǒng)的DDR4DMM pin腳由扁平結(jié)構(gòu)改為凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽結(jié)構(gòu)的整體厚度比扁平結(jié)構(gòu)的厚度增大10%。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低DDR4DMM的pin腳連錫風(fēng)險的方法，其特征在于:所述凹槽結(jié)構(gòu)利用液態(tài)錫的液面張力，使液態(tài)錫沿著凹槽爬升，能夠達(dá)到吃錫飽滿且不外溢的效果，防止連錫pin腳。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種降低DDR4DI麗的pin腳連錫風(fēng)險的方法，其特征在于:所述凹槽結(jié)構(gòu)比偏平結(jié)構(gòu)的剛性更好，可以有效增加pin腳強(qiáng)度，降低pin腳風(fēng)險。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種降低DDR4DMM的pin腳連錫風(fēng)險的方法，其特征在于:所述DDR4 DIMM pin腳組裝保持原有設(shè)備，制備方法保持不變。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種降低DDR4？DIMM？pin腳連錫風(fēng)險的方法，屬于計算機(jī)內(nèi)存改進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域。所述降低DDR4？DIMM？pin腳連錫風(fēng)險的方法，將傳統(tǒng)的DDR4？DIMM？pin腳由扁平結(jié)構(gòu)改為凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽結(jié)構(gòu)的整體厚度比扁平結(jié)構(gòu)的厚度增大10%。本發(fā)明所述降低DDR4？DIMM？pin腳連錫風(fēng)險的方法，有效的解決了pin腳連錫問題，降低pin腳潰pin現(xiàn)象，具有很好的推廣應(yīng)用價值。
【IPC分類】H01L23/48
【公開號】CN105514070
【申請?zhí)枴緾N201510899414
【發(fā)明人】王曉澎
【申請人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月9日