一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]LED都是在GaAs基板上生長PN結(jié)，不同的溫度要求有不同的AlGaInP組分方可與基板GaAs的晶格匹配。LED，發(fā)光二極體，在GaAs基板上生長P系列材料，最基本的要求是晶格匹配，以及有源層的摻雜情況。在解決晶格匹配與摻雜問題上，往往是生長不同條件下的單層來抓取晶格匹配度及摻雜情況。一般情況下會至少生長7種結(jié)構(gòu)的單層來抓取材料的晶格匹配度:1.Buffer溫度下一種結(jié)構(gòu):GaAs/GaInP，摻雜元素Te ；2.N層溫度下兩種結(jié)構(gòu):GaAs/AlInP，摻雜元素Te ；GaAs/GaInP ;3.MQW層溫度下兩種結(jié)構(gòu):GaAs/AlInP ；GaAs/GalnP ；4.P層溫度下兩種結(jié)構(gòu):GaAs/AlInP ;摻雜元素Mg ;GaAs/GaInP?，F(xiàn)有的技術(shù)不僅費時費力，而且造成資源浪費。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，所要解決的技術(shù)問題是提供一種省時省力省錢的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，外延磊晶生長過程中，在解決晶格匹配與摻雜問題上，通過生長一種單層來替代傳統(tǒng)的7種單層，不僅省時、省力，而且還可節(jié)約資源。通過這種結(jié)構(gòu)可以同時監(jiān)控不同材料在不同溫度下的晶格匹配度與摻雜情況。這種結(jié)構(gòu)可以廣泛應用于半導體行業(yè)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，，所述新型AlGaInP結(jié)構(gòu)為生長一種單層的外延結(jié)構(gòu)，其從下到上依次包括:GaAs基板，Buffer溫度慘雜DETe的GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度摻雜DETe的AlInP層，MQW溫度GaAs層，MQW溫度GaInP層，MQW溫度GaAs層，MQW溫度AlInP層，P溫度GaAs層，P溫度GaInP層，P溫度GaAs層，P溫度摻雜CP2Mg的AlInP 層。
[0005]所述Buffer溫度摻雜DETe的GaInP層的厚度為2000A，N溫度GaAs層的厚度為1000A，N溫度GaInP層的厚度為2000A ;N溫度GaAs層的厚度為100A #溫度摻雜DETe的AlInP層的厚度為2000A，MQW溫度GaAs層的厚度為1000A，MQW溫度GaInP層的厚度為2000A，MQW溫度GaAs層的厚度為100A ；MQff溫度AlInP層的厚度為2000A，P溫度GaAs層的厚度為1000A，P溫度GaInP層的厚度為2000A ；P溫度GaAs層的厚度為ΙΟΟΟΑ，P溫度摻雜CP2Mg的AlInP層的厚度為2000A。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明具有以下有益效果。
[0007]通過生長一種單層來替代傳統(tǒng)的7種單層，不僅省時、省力，而且還可節(jié)約資源。
【附圖說明】
[0008]圖1為新型AlGaInP結(jié)構(gòu)的生長一種單層的外延結(jié)構(gòu)設計圖。
[0009]圖2為實施例1中X射線雙晶衍射測試打出的圖譜①。
[0010]圖3為實施例1中電化學C-V測試出的P溫度下，AlInP的摻雜量。
[0011]圖4為實施例1中X射線雙晶衍射測試打出的圖譜②。
[0012]圖5為實施例1中X射線雙晶衍射測試打出的譜圖③。
[0013]圖6為實施例1中電化學C-V測試出的N溫度下，AlInP的摻雜量。
[0014]圖7為實施例1中X射線雙晶衍射測試打出的譜圖⑦。
[0015]圖8為實施例1中電化學C-V測試出的Buffer溫度下，GaInP的摻雜量。
【具體實施方式】
[0016]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0017]實施例1
一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，所述新型AlGaInP結(jié)構(gòu)為生長一種單層的外延結(jié)構(gòu)，其從下到上依次包括:GaAs基板，Buffer溫度摻雜DETe的GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度摻雜DETe的Al InP層，MQff溫度GaAs層，MQW溫度GaInP層，MQW溫度GaAs層，MQW溫度AlInP層，P溫度GaAs層，P溫度GaInP層，P溫度GaAs層，P溫度摻雜CP2Mg的AlInP層。
[0018]一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，所述Buffer溫度摻雜DETe的GaInP層的厚度為2000A，N溫度GaAs層的厚度為ΙΟΟΟΑ，N溫度GaInP層的厚度為2000A ；N溫度GaAs層的厚度為1000A ；N溫度摻雜DETe的AlInP層的厚度為2000A，MQff溫度GaAs層的厚度為1000A，MQW溫度GaInP層的厚度為2000A，MQW溫度GaAs層的厚度為100A ;MQW溫度AlInP層的厚度為2000A，P溫度GaAs層的厚度為ΙΟΟΟΑ，P溫度GaInP層的厚度為2000A ；P溫度GaAs層的厚度為1000A，P溫度摻雜CP2Mg的AlInP層的厚度為2000A。
[0019]量測步驟:
1.X射線雙晶衍射測試，打出圖譜①；
2.電化學C-V測試，測試出P溫度下，AlInP的摻雜量；
3.用配置好的蝕刻液A，蝕刻AlInP層；
4.X射線雙晶衍射測試，打出圖譜②，對比分析圖譜，②比①缺少的峰便是P溫度下，AlInP的峰；
5.用配置好的蝕刻液B，蝕刻GaAs層；
6.用配置好的蝕刻液C，蝕刻GaInP層；
7.X射線雙晶衍射測試，打出譜圖③，對比分析圖譜，③比②缺少的峰便是P溫度下，GaInP的峰；
8.用配置好的蝕刻液B，蝕刻GaAs層；
9.用配置好的蝕刻液A，蝕刻AlInP層；
10.X射線雙晶衍射測試，打出譜圖④，對比分析圖譜，④比③缺少的峰便是MQW溫度下，AlInP的峰；
11.用配置好的蝕刻液B，蝕刻GaAs層；
12.用配置好的蝕刻液C，蝕刻GaInP層；
13.X射線雙晶衍射測試，打出譜圖⑤，對比分析圖譜，⑤比④缺少的峰便是MQW溫度下，GaInP的峰； 14.用配置好的蝕刻液B，蝕刻GaAs層；
15.電化學C-V測試，測試出N溫度下，AlInP的摻雜量；
16.用配置好的蝕刻液A，蝕刻AlInP層；
17.X射線雙晶衍射測試，打出譜圖⑥，對比分析圖譜，⑥比⑤缺少的峰便是N溫度下，AlInP的峰；
18.用配置好的蝕刻液B，蝕刻GaAs層；
19.用配置好的蝕刻液C，蝕刻GaInP層；
20.X射線雙晶衍射測試，打出譜圖⑦，對比分析圖譜，⑦比⑥缺少的峰便是N溫度下，GaInP的峰，同時分析譜圖⑦，有兩個峰，一個是強度較大的基板峰，另一個強度較小的峰便是Buffer溫度下，GaInP的峰；
21.用配置好的蝕刻液B，蝕刻GaAs層；
22.電化學C-V測試，測試出Buffer溫度下，GaInP的摻雜量；
本發(fā)明可用其他的不違背本發(fā)明的精神或主要特征的具體形式來概述。因此，無論從哪一點來看，本發(fā)明的上述實施方案都只能認為是對本發(fā)明的說明而不能限制發(fā)明，權(quán)利要求書指出了本發(fā)明的范圍，而上述的說明并未指出本發(fā)明的范圍，因此，在與本發(fā)明的權(quán)利要求書相當?shù)暮x和范圍內(nèi)的任何變化，都應認為是包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述新型AlGaInP結(jié)構(gòu)為生長一種單層的外延結(jié)構(gòu)，其從下到上依次包括:GaAs基板，Buffer溫度摻雜DETe的GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度慘雜DETe的AlInP層，MQW溫度GaAs層，MQW溫度GaInP層，MQW溫度GaAs層，MQW溫度AlInP層，P溫度GaAs層，P溫度GaInP層，P溫度GaAs層，P溫度摻雜CP2Mg的AlInP層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Buffer溫度摻雜DETe的GaInP層的厚度為2000A，N溫度GaAs層的厚度為ΙΟΟΟΑ，N溫度GaInP層的厚度為2000A ；N溫度GaAs層的厚度為100A ；N溫度摻雜DETe的AlInP層的厚度為2000A，MQff溫度GaAs層的厚度為lOOOA，MQff溫度GaInP層的厚度為2000A，MQff溫度GaAs層的厚度為1000A ；MQW溫度AlInP層的厚度為2000A，P溫度GaAs層的厚度為ΙΟΟΟΑ，P溫度GaInP層的厚度為2000A ；P溫度GaAs層的厚度為ΙΟΟΟΑ，P溫度摻雜CP2Mg的AlInP層的厚度為2000A。
【專利摘要】本發(fā)明一種多功能的新型AlGaInP結(jié)構(gòu)，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域；所述新型AlGaInP結(jié)構(gòu)為生長一種單層的外延結(jié)構(gòu)，其從下到上依次包括：GaAs基板，Buffer溫度摻雜DETe的GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度GaInP層，N溫度GaAs層，N溫度摻雜DETe的AlInP層，MQW溫度GaAs層，MQW溫度GaInP層，MQW溫度GaAs層，MQW溫度AlInP層，P溫度GaAs層，P溫度GaInP層，P溫度GaAs層，P溫度摻雜CP2Mg的AlInP層；通過生長一種單層來替代傳統(tǒng)的7種單層，不僅省時、省力，而且還可節(jié)約資源。
【IPC分類】H01L33-12, H01L33-06, H01L33-30, H01L33-02
【公開號】CN104868024
【申請?zhí)枴緾N201510147618
【發(fā)明人】郭艷
【申請人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年3月31日