一種提高高反射材料led光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED光源結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種提高LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]GaN LED芯片，也可以理解為發(fā)光二極管，其粘結(jié)在基板(鋁基，銅基或陶瓷等)的上表面。所述芯片的正負(fù)極通過金屬導(dǎo)線(金線，鋁線等)相互串聯(lián)或并聯(lián)，并且串聯(lián)的首尾通過金屬導(dǎo)線連接到鋁基板的正負(fù)電極線路層。這樣陣列GaN LED芯片就構(gòu)成能夠承載一定電壓(串聯(lián)電壓的相加)、一定電流(并聯(lián)電流相加)的電器件。GaN LED芯片上面覆蓋有硅膠(包括混有熒光粉硅膠)，硅膠周圍被圍壩硅膠圍欄。當(dāng)這樣構(gòu)成的器件通上電流和電壓的時候，陣列GaN LED芯片構(gòu)成了藍(lán)光LED集成光源。如果硅膠中混有熒光粉成為熒光粉膠的時候，部分GaN LED發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)熒光粉產(chǎn)生黃光。這種光組合就構(gòu)成了白光LED集成光源。
[0003]當(dāng)前的技術(shù)中，GaNLED芯片發(fā)出藍(lán)光，藍(lán)光射到熒光粉顆粒，顆粒被激發(fā)后發(fā)出光，到達(dá)線路層的垂直墻后被反射，反射光有些不能到達(dá)硅膠和空氣的界面；有些反射光即使到達(dá)硅膠和空氣的界面，也由于它對界面的入射角大于界面全反射臨界角，還是不能走出硅膠到達(dá)空氣中。類似的光線由于不能走出硅膠到達(dá)空氣中而最終被硅膠吸收，轉(zhuǎn)換成熱能。所以，線路層的有垂直墻的結(jié)構(gòu)的LED集成光源，由部分結(jié)構(gòu)造成的光通量損失。
[0004]為解決上述問題，申請?zhí)枮?01420108433.4的實(shí)用新型專利就公開了一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括基板；所述基板上的線路層；所述基板上的GaN LED芯片陣列；以及GaN LED芯片陣列之間、且存在于GaN LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、所述線路層；其特征在于，面向所述GaNLED芯片陣列的所述絕緣層表面形成為斜坡反射墻。實(shí)現(xiàn)了改變LED集成光源中光路，使得硅膠中水平行走的光，穿出硅膠到達(dá)空氣中，從而大大提高光通量輸出。但是，由于在基板上形成了導(dǎo)電過孔，在模壓成型時，會在導(dǎo)電過孔處出現(xiàn)溢膠的現(xiàn)象，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的發(fā)明目的在于:針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種能防止在模壓成型過程中出現(xiàn)溢膠現(xiàn)象的提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
一種提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括基板、基板上的線路層、基板上的GaN LED芯片陣列、GaN LED芯片陣列之間且存在于GaN LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；熒光粉硅膠層、線路層鄰接有圍壩膠；所述線路層包括所述基板上表面上的正面線路層、基板下表面上的背面線路層、設(shè)在基板上的導(dǎo)電過孔內(nèi)部上并將正面線路層和背面線路層進(jìn)行電性連接的連接線路層，所述導(dǎo)電過孔內(nèi)壁的連接線路層之間填充有堵塞件，面向所述GaN LED芯片陣列的絕緣層表面形成為斜坡反射墻。
[0007]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述堵塞件為松香堵塞件。
[0008]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述正面線路層為GBL線路層，所述背面線路層為GBL線路層，且GBL線路層的厚度較GBL線路層的厚度大0.05mm。
[0009]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了改變LED集成光源的光路，使得硅膠中水平行走的光走出硅膠并到達(dá)空氣中，從而提高光通量輸出；由于在模壓成型前在導(dǎo)電過孔內(nèi)填充了松香堵塞件，則在模壓成型過程中，能防止出現(xiàn)透鏡成型膠水從導(dǎo)電過孔溢膠的現(xiàn)象，從而提高了產(chǎn)品的質(zhì)量；另夕卜，松香堵塞件被填充到導(dǎo)電過孔中后，一直留存在內(nèi)，可以快速、便捷的為焊接工藝提供松香并作為助焊劑使用，松香作為助焊劑，能清除焊料和被焊母材表面的氧化物，使金屬表面達(dá)到必要的清潔度，它防止焊接時表面的再次氧化，降低焊料表面張力，提高焊接性能。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的一種線路層上有斜坡反射墻的LED集成光源結(jié)構(gòu)；
圖2為本發(fā)明的LED集成光源結(jié)構(gòu)的光路圖；
其中，附圖標(biāo)記為:1 一金屬導(dǎo)線、2—焚光粉娃I父層、3—GaN LED芯片陣列、4一圍壩月父、5—正面線路層、6—連接線路層、7—背面線路層、8—基板、9 一斜坡反射墻。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作詳細(xì)的說明。
[0012]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0013]實(shí)施例1
一種提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括:基板8 ;所述基板8上的線路層；所述基板8上的GaN LED芯片陣列3 ；以及GaN LED芯片陣列3之間、且存在于GaN LED芯片陣列3與線路層之間的熒光粉硅膠層2。熒光粉硅膠層2、線路層鄰接有圍壩膠4。其中，所述線路層包括所述基板8上表面上的正面線路層5、基板8下表面上的背面線路層7、設(shè)在基板8上的導(dǎo)電過孔內(nèi)部上并將正面線路層5和背面線路層7進(jìn)行電性連接的連接線路層6，所述導(dǎo)電過孔內(nèi)壁的連接線路層6之間填充有堵塞件，所述堵塞件優(yōu)選用松香堵塞件。面向所述GaN LED芯片陣列3的所述絕緣層表面形成為斜坡反射墻9。存在多個金屬導(dǎo)線1，一部分金屬導(dǎo)線I連接導(dǎo)電銅層和一 GaN LED芯片陣列3的正極，另一部分金屬導(dǎo)線I連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN LED芯片陣列3的負(fù)極，另一部分金屬導(dǎo)線I連接一 GaN LED芯片陣列3的正極和另一 GaN LED芯片陣列3的負(fù)極。
[0014]所述GaN LED芯片陣列3發(fā)出藍(lán)光，藍(lán)光出射到熒光粉顆粒，顆粒被激發(fā)后發(fā)出光，到達(dá)線路層的斜坡反射墻9后被反射，光線的線路被改變。值得注意的是，本發(fā)明的斜坡反射墻9結(jié)構(gòu)被調(diào)整為小于界面臨界角的光線，從而使得光線能夠順利穿出硅膠到達(dá)空氣中。如圖2所示，采用該結(jié)構(gòu)的LED集成光源，改變了 LED集成光源中光路，使得硅膠中水平行走的光穿出了硅膠，到達(dá)空氣中，從而大大提高了光通量輸出。
[0015]本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了改變LED集成光源的光路，使得硅膠中水平行走的光走出硅膠并到達(dá)空氣中，從而提高光通量輸出；由于在模壓成型前在導(dǎo)電過孔內(nèi)填充了松香堵塞件，則在模壓成型過程中，能防止出現(xiàn)透鏡成型膠水從導(dǎo)電過孔溢膠的現(xiàn)象，從而提高了產(chǎn)品的質(zhì)量；另外，松香堵塞件被填充到導(dǎo)電過孔中后，一直留存在內(nèi)，可以快速、便捷的為焊接工藝提供松香并作為助焊劑使用，松香作為助焊劑，能清除焊料和被焊母材表面的氧化物，使金屬表面達(dá)到必要的清潔度，它防止焊接時表面的再次氧化，降低焊料表面張力，提高焊接性會K。
[0016]實(shí)施例2
在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，所述正面線路層5為GBL線路層，所述背面線路層7為GBL線路層，且GBL線路層的厚度較GBL線路層的厚度大0.05mm。
[0017]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括基板、基板上的線路層、基板上的GaN LED芯片陣列、GaN LED芯片陣列之間且存在于GaN LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；熒光粉硅膠層、線路層鄰接有圍壩膠；所述線路層包括所述基板上表面上的正面線路層、基板下表面上的背面線路層、設(shè)在基板上的導(dǎo)電過孔內(nèi)部上并將正面線路層和背面線路層進(jìn)行電性連接的連接線路層，所述導(dǎo)電過孔內(nèi)壁的連接線路層之間填充有堵塞件，面向所述GaN LED芯片陣列的絕緣層表面形成為斜坡反射墻。
2.如權(quán)利要求1所述的一種提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堵塞件為松香堵塞件。
3.如權(quán)利要求1所述的一種提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述正面線路層為GBL線路層，所述背面線路層為GBL線路層，且GBL線路層的厚度較GBL線路層的厚度大0.05mm。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，涉及一種提高LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，其目的在于提供一種能防止在模壓成型過程中出現(xiàn)溢膠現(xiàn)象的提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)。其技術(shù)方案為：包括基板、線路層、GaN LED芯片陣列、熒光粉硅膠層；熒光粉硅膠層、線路層鄰接有圍壩膠；線路層包括正面線路層、背面線路層和連接線路層，導(dǎo)電過孔內(nèi)壁的連接線路層之間填充有堵塞件，面向GaN LED芯片陣列的絕緣層表面形成為斜坡反射墻9。本發(fā)明適用于提高高反射材料LED光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)。
【IPC分類】H01L33-60, H01L33-48
【公開號】CN104851958
【申請?zhí)枴緾N201510279251
【發(fā)明人】于耀田, 陸?zhàn)? 楊婷
【申請人】成都斯科泰科技有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年5月28日