專利名稱：真空鑷子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造工藝中傳送半導(dǎo)體晶片時所用的真空鑷子，具體的講涉及改善吸附晶片的真空吸頭(Vac-uum tip)部分以使半導(dǎo)體的傳送穩(wěn)定的真空鑷子。
一般，在半導(dǎo)體器件的制造工作中，特別在大規(guī)模集成電路的制造過程中，要求清潔度非常高的環(huán)境，眾所周知，半導(dǎo)體器的產(chǎn)額或可靠性、質(zhì)量等均取決于環(huán)境的清潔度。
因而，在半導(dǎo)體領(lǐng)域為實行微細(xì)加工工藝必須充分考慮到灰塵，為了使各種工藝條件穩(wěn)定，必須調(diào)整溫度和濕度，實際上還不僅如此，其操作環(huán)境還影響到器件的性能和可靠性，因此給半導(dǎo)體器件各制造工藝創(chuàng)建合適的操作環(huán)境是非常重要的。
反之，在半導(dǎo)體制造工藝中起最大污染源作用的準(zhǔn)確的說是人。人們在半導(dǎo)體器件的操作環(huán)境里連續(xù)放出蒸汽和粒子，因此，在這種工藝操作環(huán)境中要穿上超凈工作服。
進一步講，對半導(dǎo)體晶片有污染危險的是操作者的手乃至手指。在操作者的肌膚上往往存在的鹽分和油脂使元件受到極壞的影響。從而，為了不使人直接接觸而完成半導(dǎo)體晶片的傳送，歷來是采用不銹鋼的以及夾持有限部位的鑷子(limited grasp tweezer——有限夾緊鑷子)。
但在用前一種鑷子夾持晶片時，存在可能破壞晶片上所形成的感光膜(photoresist layer)等的問題，至于后一種鑷子還是存在給晶片周邊帶來損傷成為決定缺陷的原因之問題。
用于解決前述鑷子問題的真空鑷子被示于

圖1。這種真空鑷子不靠夾持而是靠吸附力可以傳送晶片。
如圖1所示，歷來的真空鑷子配備了與外部真空泵連接的抽空管道(20)及連接于管道的真空吸頭(10)。前述真空吸頭(10)由塑料或聚四氟乙烯材料制成，在其扁平的前表面具有吸附部(2)，該吸附部(2)設(shè)有深0.1mm的自動尋的部，又在該自動尋的部內(nèi)設(shè)置平行配置的長方形支持臺(2b、2c)及吸入口(2a)。前述吸入口(2a)具有與前述支持臺(2b、2c)的間距相應(yīng)的直徑。
另外，上述支持臺(2b、2c)與上述自動尋的部具有相同的高度，并平等地配置，因而是為防止在吸附晶片時因很強的吸附力可能產(chǎn)生的對晶片的損傷而設(shè)。被前述吸入口(2a)所吸入的空氣，通過上述真空吸頭(10)的內(nèi)部管道，通到上述真空管道(20)。
在利用這樣的真空鑷子傳送晶片的場合，如圖2所示，要將前述真空鑷子的真空吸頭(10)的吸附部附在晶片(30)的背面后，通過附著于真空鑷子上的開關(guān)(未圖示)，抽真空，通過上述吸入口(2a)，一邊吸入空氣，一邊把晶片吸附在前述吸附部(2)。
因這種已有的真空鑷子的吸頭(10)是由塑料或聚四氟乙烯構(gòu)成的，由于使用不當(dāng)，往往會使吸頭彎曲。因而，在真空吸頭(10)空載的情況下，由于前表面不是扁平的，在吸附半導(dǎo)體晶片時，破壞了真空狀態(tài)而使吸附度下降。
由于真空狀態(tài)的破壞，當(dāng)吸附度下降到預(yù)定值以下時，就存在在傳送所吸附的晶片的途中落下，使晶片破損的問題。
而且，因前述的真空鑷子，在其吸頭(10)只設(shè)一個吸附部(2)，所以不僅吸附力的強度弱，還存在由于前述真空吸頭(10)彎曲而使其吸附力大大下降的問題。
再有，因前述的真空鑷子只設(shè)一個吸入口，還存在吸入口被灰塵等污染物堵住的情況而進一步使吸附力下降的問題。
從而，本發(fā)明之目的在于，為解決前述的諸多問題，提供一種在真空吸頭扁平的前表面設(shè)置三個吸附部提高晶片的吸附力的真空鑷子。
本發(fā)明的另一目的在于使真空吸頭具有“Y”形結(jié)構(gòu)，提供一種即使因吸頭彎曲所導(dǎo)致真空狀態(tài)被破壞，由部分吸附部吸附半導(dǎo)體晶片的真空鑷子。
根據(jù)用于完成前述目的的本發(fā)明之特征，一種用于傳送半導(dǎo)體晶片的真空鑷子，其特征在于，包括具有一個與真空泵的抽空管道(20)相連接的前表面扁平的殼體(11c)和二個從該殼體延長的扁平的延長部(11a、11b)的呈“Y”形的真空吸頭(10)，和設(shè)于前述真空吸頭(10)的扁平的前表面部的至少三個吸附部(12、14、16)。
在該真空鑷子中，上述至少三個吸附部(12、14、16)各自具有至少二個支持臺和一個吸入口。
在該真空鑷子中，上述支持臺具有與上述吸附部的深度相應(yīng)的高度，并被設(shè)計成長方形。
在該真空鑷子中，上述三個(12、14、16)吸附部分別與上述殼體(11c)和延長部(11a、11b)相對應(yīng)而設(shè)置。
在該真空鑷子中，上述真空鑷子(10)是由聚四氟乙烯和可塑性材料制成的。
依照前述的真空鑷子，上述真空吸頭具有“Y”形結(jié)構(gòu)，并具有至少三個吸附部，因而，即使由于吸頭彎曲，導(dǎo)致真空狀態(tài)被破壞，由部分吸附部也能完全吸附半導(dǎo)體晶片。
圖1是表示現(xiàn)有的真空鑷子的吸頭(tip)結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是表示利用圖1的真空鑷子吸附晶片背面(back side)進行傳送的圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于半導(dǎo)體晶片傳送的真空鑷子的吸頭結(jié)構(gòu)的平面圖。
10真空鑷子12，14，16吸附部20抽空管道下面參照圖3詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。
圖3表示本發(fā)明的真空鑷子的結(jié)構(gòu)，對于與圖1所示的已知的真空鑷子具有相同功能的結(jié)構(gòu)部件，用相同標(biāo)號標(biāo)記。
參照圖3，本發(fā)明的新型真空鑷子的真空吸頭(10)具有“Y”形結(jié)構(gòu)，而該真空吸頭(10)的扁平的前表面部具有至少設(shè)置三個吸附部(12、14、16)的結(jié)構(gòu)。
再依圖3，上述真空鑷子具備與設(shè)于外部的真空泵的抽空管道(20)連接的真空吸頭(10)，該真空吸頭(10)具有前表面為扁平的殼體(11c)和從該殼體延長出來的扁平的二個延長部(11a、11b)而呈“Y”形的結(jié)構(gòu)。前述真空吸頭(10)由聚四氟乙烯或可塑性材料制成。
另外，上述真空吸頭(10)在其扁平的平面部設(shè)有三個吸附部(12、14、16)，在各自具有設(shè)計成深0.1mm的橢圓形的自動尋的部的吸附部，平行地設(shè)有長方形的支持臺。在前述吸附部設(shè)置具有與前述長方形支持臺之間的間距相應(yīng)的直徑的吸入口。
在本實施例中，雖然表示了在吸附部設(shè)置二個支持臺的結(jié)構(gòu)，但根據(jù)吸附部的面積，可形成二個以上的長方形的支持臺。還有，前述吸附部雖然設(shè)計成橢圓形的自動尋的部，但將吸附部的自動尋的部作成圓形或長方形，不管哪一種形狀均適用于本發(fā)明。
具體地講，在設(shè)于上述真空吸頭(10)的殼體(11c)的吸附部設(shè)有以標(biāo)號12b、12c所示的二個長方形的支持臺和以標(biāo)號12a所示的一個吸入口；在設(shè)于上述延長部(11a)的吸附部(14)設(shè)有以標(biāo)號14b、14c所示的二個長方形的支持臺和以標(biāo)號14a所示的一個吸入口；在設(shè)于前述延長部(11b)的吸附部(16)設(shè)有以標(biāo)號16b、16c所示的二個長方形的支持臺和以標(biāo)號16a所示的一個吸入口。
因而，與上述殼體(11c)和延長部(11a、11b)相應(yīng)分別設(shè)置上述三個吸附部，各吸附口的吸入口相互連通，并與抽空管道連接。
根據(jù)如前所述的本發(fā)明真空鑷子，在真空吸頭的扁平前表面至少設(shè)置三個吸附部，因而可以提高對晶片的吸附力。
另外，因真空吸頭具有“Y”形結(jié)構(gòu)，即使由于真空吸頭彎曲導(dǎo)致真空狀態(tài)被破壞，由部分吸附部也能完全吸附半導(dǎo)體晶片。
再有，由于在真空吸頭設(shè)有三個吸附部，即使其中一個吸附部的吸入口被某種物質(zhì)堵住，其他的吸附部仍有足夠的吸入力，仍可不落下的傳送晶片。
權(quán)利要求
1.一種用于傳送半導(dǎo)體晶片的真空鑷子，其特征在于，包括具有一個與真空泵的抽空管道(20)相連接的前表面扁平的殼體(11c)和二個從該殼體延長的扁平的延長部(11a、11b)的呈“Y”形的真空吸頭(10)，和設(shè)于前述真空吸頭(10)的扁平的前表面部的至少三個吸附部(12、14、16)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的真空鑷子，其特征在于，上述至少三個吸附部(12、14、16)各自具有至少二個支持臺和一個吸入口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的真空鑷子，其特征在于，上述支持臺具有與上述吸附部的深度相應(yīng)的高度，并被設(shè)計成長方形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的真空鑷子，其特征在于，上述三個(12、14、16)吸附部分別與上述殼體(11c)和延長部(11a、11b)相對應(yīng)而設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的真空鑷子，其特征在于，上述真空鑷子(10)是由聚四氟乙烯和可塑性材料制成的。
全文摘要
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造工藝中傳送半導(dǎo)體晶片時所用的真空鑷子，它包含具有一個與抽空管道相連接的前表面扁平的殼體和二個從該殼體延長的扁平的延長部)的呈‘Y’形的真空吸頭，設(shè)于前述真空吸頭的扁平的前表面的至少三個吸附部。根據(jù)前述的真空鑷子，設(shè)于真空吸頭的扁平的前表面上的至少三個吸附部，提高對晶片的吸附力，另外，該真空吸頭具有‘Y’形結(jié)構(gòu)，即使由于吸頭彎曲，導(dǎo)致真空狀態(tài)被破壞，由部分吸附部也能完全吸附半導(dǎo)體晶片。
文檔編號H01L21/677GK1152534SQ9610516
公開日1997年6月25日 申請日期1996年5月23日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月18日
發(fā)明者李敏鎬, 趙顯祥 申請人:三星電子株式會社