專利名稱:層積型半導(dǎo)體裝置用載體以及層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于層積復(fù)數(shù)個(gè)封裝而成為1個(gè)封裝之層積型半導(dǎo)體裝置用載體以及該層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，如行動(dòng)電話的可攜式電子機(jī)器以及如IC記憶卡的非揮發(fā)性記憶媒體等已更為小型化，因此要求這些機(jī)器及媒體的零件數(shù)減少以及零件小型化。
因此，對于可將構(gòu)成這些機(jī)器的零件中的主要零件的半導(dǎo)體組件加以有效率地封裝的技術(shù)的開發(fā)乃為人所期盼。關(guān)于滿足如此需求的封裝的一種，為人所知者有將復(fù)數(shù)個(gè)封裝，例如將內(nèi)存用封裝及邏輯用封裝加以層積而成為1個(gè)封裝的層積型封裝。關(guān)于層積型封裝的制造方法，例如有專利文獻(xiàn)1至3所揭示者。
專利文獻(xiàn)1日本國特許公開公報(bào)日本特開平8-236694號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本國特許公開公報(bào)第2003-218273號公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本國特許公開公報(bào)日本特開平6-13541號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所欲解決的課題
然而，于層積型半導(dǎo)體裝置的制造時(shí)，必須準(zhǔn)備用以層積封裝的專用裝載裝置。因此須進(jìn)行設(shè)備投資，而成為阻礙半導(dǎo)體裝置制造低成本化的原因。尤其是于生產(chǎn)量相對較少時(shí)，就成本面而言具有負(fù)擔(dān)極大的問題。于所述專利文獻(xiàn)1至3中，亦未揭示可降低制造成本的有效技術(shù)。
此外，于層積型半導(dǎo)體裝置的制造中，成為從半導(dǎo)體組件制造商接受邏輯組件或內(nèi)存組件，或是封裝這些組件后的邏輯用封裝或內(nèi)存用封裝的供應(yīng)，并于層積型半導(dǎo)體裝置的制造商中，將所供應(yīng)的封裝加以層積而成為一體，之后再進(jìn)行出貨的流程。
例如，從半導(dǎo)體組件制造商接受邏輯組件的供應(yīng)時(shí)，于各自進(jìn)行邏輯組件及內(nèi)存組件的封裝后，僅將邏輯用封裝一度送回供應(yīng)來源處的半導(dǎo)體組件制造商。之后于供應(yīng)來源處進(jìn)行試驗(yàn)，之后僅將良品送回。之后將2個(gè)封裝加以層積而成為一體，實(shí)施外觀檢查及動(dòng)作試驗(yàn)后再將良品出貨至客戶處。
一般而言，封裝的運(yùn)送是直接將封裝容納于封裝盤內(nèi)而進(jìn)行，于運(yùn)送目的地的半導(dǎo)體組件制造商中，為了進(jìn)行測試，從封裝盤中將封裝取出并進(jìn)行封裝的測試，于測試結(jié)束后再將封裝容納于封裝盤內(nèi)，而送回運(yùn)送來源處的層積型半導(dǎo)體裝置制造商。
亦即，由于封裝的裝卸次數(shù)相對增加，因此不良品的發(fā)生機(jī)率亦會相對增加。一旦不良品的發(fā)生機(jī)率提高，則會導(dǎo)致制造成本的提高。
本發(fā)明是鑒于所述情況而創(chuàng)作出的發(fā)明，目的在于提供一種可極力降低制造成本的層積型半導(dǎo)體裝置用載體以及層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法。
用以解決課題的手段
為了達(dá)成該目的，本發(fā)明之層積型半導(dǎo)體裝置用載體構(gòu)成為具備下段載體，具有用以容納第1半導(dǎo)體裝置的第1容納部；及上段載體，具有第2容納部，該第2容納部容納層積于所述第1半導(dǎo)體裝置上的所述第2半導(dǎo)體裝置，并將所述第2半導(dǎo)體裝置配置于所述第1半導(dǎo)體裝置上的預(yù)定位置。
由于使上段載體具有容納層積于第1半導(dǎo)體裝置的第2半導(dǎo)體裝置，并將該第2半導(dǎo)體裝置配置于所述第1半導(dǎo)體裝置上的預(yù)定位置的第2容納部，因此可在不會產(chǎn)生半導(dǎo)體裝置彼此的位置偏移下容易進(jìn)行層積。因此不需具備用于層積的專用設(shè)備，而可降低成本。
此外，于層積型半導(dǎo)體裝置用載體中，亦可設(shè)置用以在容納于所述下段載體的所述第1半導(dǎo)體裝置與試驗(yàn)用接腳之間進(jìn)行電性連接的開口部。
由于可在容納于下段載體的第1半導(dǎo)體裝置與試驗(yàn)用接腳之間進(jìn)行電性連接，因此可在將半導(dǎo)體裝置容納于載體的狀態(tài)下直接進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的測試。因此不需為了測試而將半導(dǎo)體裝置從載體中取出，而可減少接觸于半導(dǎo)體裝置的次數(shù)。
此外亦可構(gòu)成為，所述下段載體及所述上段載體各自具有卡合部，所述卡合部互相卡合，以將所述下段載體及所述上段載體進(jìn)行裝設(shè)并實(shí)現(xiàn)可拆卸。
由于載體由可連接及分離的上段載體及下段載體所構(gòu)成，因此可僅使用所需的載體。亦即，于層積前的測試時(shí)僅將下段載體裝設(shè)于進(jìn)行測試的半導(dǎo)體裝置，藉此可避免裝置構(gòu)成增大而不占空間。此外，于半導(dǎo)體裝置的層積時(shí)，將上段載體重疊于下段載體而層積之半導(dǎo)體裝置，亦可藉由上段載體而加以保護(hù)。
此外，于層積型半導(dǎo)體裝置用載體中，亦可構(gòu)成為，所述上段載體的所述第2容納部具有容納于所述上段載體內(nèi)的所述第2半導(dǎo)體裝置所插通的插入口；該插入口的寬度隨著朝向該上端而逐漸增加。
藉由此構(gòu)成，可容易使半導(dǎo)體裝置插通于插入口，而提升操作性。
此外，于層積型半導(dǎo)體裝置用載體中，亦可構(gòu)成為，所述下段載體具有由彈性材料所制成的保持構(gòu)件，該保持構(gòu)件將所述第1半導(dǎo)體裝置保持于所述第1容納部內(nèi)。
由于以由彈性材料所制成的保持構(gòu)件，將第1半導(dǎo)體裝置保持于第1容納部，因此可防止半導(dǎo)體裝置受到從載體脫離時(shí)的應(yīng)力的影響。
此外，于層積型半導(dǎo)體裝置用載體中，亦可構(gòu)成為，所述保持構(gòu)件通過側(cè)邊緣將容納于所述第1容納部的所述第1半導(dǎo)體裝置加以保持。
由于保持構(gòu)件以側(cè)邊緣，將容納于第1容納部的第1半導(dǎo)體裝置加以保持，因此更可弱化施加于半導(dǎo)體裝置的應(yīng)力。
此外，于層積型半導(dǎo)體裝置用載體中，所述上段載體及所述下段載體包含以下的其中之一鋁、銅或鎳成分的金屬；陶瓷；由聚醚醚酮所構(gòu)成的樹脂。
以此種材料來構(gòu)成載體，藉此可于容納于載體的狀態(tài)下，進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的回焊。
此外，于層積型半導(dǎo)體裝置用載體中，亦可構(gòu)成為還具有上蓋或連結(jié)構(gòu)件；所述下段載體具有用以裝設(shè)所述上蓋或連結(jié)構(gòu)件的插入溝。
于半導(dǎo)體裝置上設(shè)置上蓋，藉此可保護(hù)半導(dǎo)體裝置的電性連接部免于受到粉塵或油脂的影響。此外，于半導(dǎo)體裝置的正上方裝設(shè)上蓋或連結(jié)構(gòu)件，藉此可防止半導(dǎo)體裝置脫落。
本發(fā)明的層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法具備，將第1半導(dǎo)體裝置容納于層積型半導(dǎo)體裝置用載體的下段載體的步驟；及采用層積型半導(dǎo)體裝置用載體的上段載體，將第2半導(dǎo)體裝置層積于所述第1半導(dǎo)體裝置上的步驟。藉此可于具有良好的操作性及精密度下層積2個(gè)半導(dǎo)體裝置。此時(shí)，所述層積步驟可構(gòu)成為，包含將上段載體裝設(shè)于下段載體，之后將所述第2半導(dǎo)體裝置容納于所述上段載體的步驟。
此外，還可具有在回焊爐內(nèi)，將容納于所述層積型半導(dǎo)體裝置用載體的所述第1及第2半導(dǎo)體裝置加以電性連接而構(gòu)成為一體的步驟。將半導(dǎo)體裝置容納于載體，并依每個(gè)載體投入于回焊爐而進(jìn)行半導(dǎo)體裝置彼此的連接，藉此可減少接觸于半導(dǎo)體裝置的次數(shù)，而防范半導(dǎo)體裝置的故障于未然。此外，由于直到制造層積型半導(dǎo)體裝置為止之間不需取出載體，因此可保護(hù)半導(dǎo)體裝置而保持半導(dǎo)體裝置的質(zhì)量。
此外，于所述層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法中，亦可具有將所述層積型半導(dǎo)體裝置用載體的所述上段載體加以去除的步驟，于去除所述上段載體之后，將所述下段載體投入于回焊爐，而將所述第1半導(dǎo)體裝置及所述第2半導(dǎo)體裝置連接為一體。
于進(jìn)行回焊前去除上段載體，藉此可降低載體全體的熱容量。因此可防止焊錫因溫度不足而無法充分熔融的問題產(chǎn)生。
此外，于所述層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法中，亦可具有通過設(shè)置于下段載體的開口部將試驗(yàn)用接腳連接于所述第1半導(dǎo)體裝置，而于所述第1半導(dǎo)體裝置容納于所述載體的狀態(tài)下進(jìn)行測試的步驟。由于可在將半導(dǎo)體裝置容納于載體的狀態(tài)下直接進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的測試，因此不需為了測試而將半導(dǎo)體裝置從載體中取出，而可減少接觸于半導(dǎo)體裝置的次數(shù)。
此外，于所述層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法中，亦可于所述層積步驟之前，設(shè)置將黏接劑供應(yīng)至所述第1半導(dǎo)體裝置的密封樹脂上的步驟。藉此可確實(shí)的將半導(dǎo)體裝置連接及固定。
此外，于所述層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述黏接劑亦可為熱硬化性黏接劑。通過使用熱硬化性黏接劑做為黏接劑，可配合半導(dǎo)體裝置的規(guī)格而選定硬化時(shí)間及硬化溫度。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，可極力降低層積型半導(dǎo)體裝置的制造成本。
第1圖顯示上段載體2與下段載體3的構(gòu)成的圖式。
第2圖(A)顯示上段載體2內(nèi)的第2容納部14的圖式，第2圖(B)顯示下段載體3內(nèi)的第1容納部13的圖式。
第3圖顯示將半導(dǎo)體裝置容納于載體1內(nèi)的狀態(tài)的圖式。
第4圖顯示以上段載體2的導(dǎo)軌將第2半導(dǎo)體裝置120層積于第1半導(dǎo)體裝置110時(shí)的模樣的圖式。
第5圖顯示上段載體2與下段載體3的卡合部的其它構(gòu)成的圖式。
第6圖顯示上段載體2與下段載體3的卡合部的其它構(gòu)成的圖式。
第7圖顯示上段載體2的其它構(gòu)成的圖式，為附加錐形物而擴(kuò)大封裝插入口的狀態(tài)的圖式。
第8圖顯示將第1半導(dǎo)體裝置110容納于下段載體3的狀態(tài)的上視圖及剖面圖。
第9圖顯示將上蓋9裝設(shè)于下段載體3的狀態(tài)的上視圖及剖面圖。
第10圖顯示設(shè)置有2個(gè)用以取出上蓋9的缺口部10的例子的圖式。
第11圖顯示將O型環(huán)12裝設(shè)于將第1半導(dǎo)體裝置110上的狀態(tài)的上視圖及剖面圖。
第12圖顯示層積型半導(dǎo)體裝置的制程的流程圖。
第13圖顯示將第1半導(dǎo)體裝置110裝載于下段載體3的狀態(tài)的模樣的圖式。
第14圖顯示以探針進(jìn)行測試的模樣的圖式。
第15圖顯示將黏接劑涂布于封裝樹脂112上的模樣的圖式。
第16圖顯示連接下段載體3與上段載體2的模樣的圖式。
第17圖顯示將第2半導(dǎo)體裝置120層積于第1半導(dǎo)體裝置110時(shí)的模樣的圖式。
第18圖顯示回焊的模樣的圖式。
第19圖顯示以探針進(jìn)行測試的模樣的圖式。
第20圖顯示從載體1取出層積型半導(dǎo)體裝置的模樣的圖式。
第21圖顯示層積型半導(dǎo)體裝置的其它制程的流程圖。
第22圖顯示于第2半導(dǎo)體裝置120的層積后，去除上段載體的模樣的圖式。
第23圖顯示從下段載體3取出層積型半導(dǎo)體裝置的模樣的圖式。
具體實(shí)施方式以下參附加照圖式，說明本發(fā)明的最佳實(shí)施型態(tài)。
首先說明層積型半導(dǎo)體裝置用載體。本實(shí)施例的層積型半導(dǎo)體裝置用載體(以下稱為載體)1，如第1圖所示，由上段載體2及下段載體3所構(gòu)成。上段載體2的上面形狀為四角形，且為挖空中間部分的中空框體，框體內(nèi)如第2圖(A)所示，成為容納半導(dǎo)體裝置的第2容納部14。下段載體3中，如第2圖(B)所示，形成有容納半導(dǎo)體裝置的第1容納部13，而于第1容納部13的底面，形成有用以將試驗(yàn)用接腳連接于半導(dǎo)體裝置的開口部4。
上段載體2及下段載體3的框體包含以下的其中之一鋁、銅或SUS的鎳成分的金屬；陶瓷；由聚醚醚酮(PEEK材)所構(gòu)成的樹脂。由于所層積的半導(dǎo)體裝置的周圍，以上段載體2及下段載體3包圍而進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的回焊，因此對于載體1要求具有耐熱性以及高傳導(dǎo)性。此外，亦對于載體1要求即使重復(fù)使用亦不會導(dǎo)致質(zhì)量產(chǎn)生較大惡化者。
于上段載體2下面的周緣部以及下段載體3上面的周緣部，如第1圖所示，設(shè)置有用以連接上段載體2及下段載體3的卡合部5。如第1圖所示，設(shè)置于上段載體2的突起部51嵌入于下段載體3上所設(shè)置的突起部52的內(nèi)側(cè)，而使上段載體2固定于下段載體3。
第3圖顯示于由上段載體2及下段載體3所構(gòu)成的載體1，容納有層積型半導(dǎo)體裝置100的狀態(tài)。層積型半導(dǎo)體裝置100以于第1半導(dǎo)體裝置110上層積第2半導(dǎo)體裝置120的2段構(gòu)成所組成。于將載體1裝設(shè)于層積型半導(dǎo)體裝置100時(shí)，首先將第1半導(dǎo)體裝置110容納于下段載體3的第1容納部13，之后以卡合部5將下段載體3及上段載體2固定。接著如第4圖所示，通過成為中空的上段載體2內(nèi)，而將第2半導(dǎo)體裝置120層積于第1半導(dǎo)體裝置110上。此時(shí)，沿著上段載體2的內(nèi)側(cè)面將第2半導(dǎo)體裝置120容納于第2容納部14，藉此可將第1半導(dǎo)體裝置110配置于與第2半導(dǎo)體裝置120具有電性連接的位置。如此，由于上段載體2具有導(dǎo)引的功能，因此不需設(shè)置用以層積半導(dǎo)體裝置的專用設(shè)備，而可降低成本。
如第3圖所示，第1半導(dǎo)體裝置110于中繼基板111的表面?zhèn)妊b載圖中未顯示的IC芯片，并以封裝樹脂112將此IC芯片密封。此外，于中繼基板111的背面?zhèn)仍O(shè)置有焊球113，該焊球113使用于試驗(yàn)用探針的試驗(yàn)接腳以及與其它基板的連接。此外，如第3圖所示，第2半導(dǎo)體裝置120亦于中繼基板121的表面?zhèn)妊b載圖中未顯示的IC芯片，并以封裝樹脂將中繼基板121的基板全面密封。于中繼基板121的背面?zhèn)仍O(shè)置有焊球123，而形成第1半導(dǎo)體裝置110與第2半導(dǎo)體裝置120之間的電性連接。此外，如第3圖所示，第1半導(dǎo)體裝置110與第2半導(dǎo)體裝置120以黏接劑6黏接而固定。
此外，上段載體2及下段載體3的卡合部5的構(gòu)成，不僅如第1圖所示，亦可如第5、6圖所示的構(gòu)成。第5圖所示的卡合部5中，設(shè)置于下段載體3的突起部52嵌入于上段載體2上所設(shè)置的突起部51的內(nèi)側(cè)，而固定上段載體2及下段載體3。此外，第6圖所示的卡合部5，于上段載體2側(cè)設(shè)置溝部53，并將下段載體3上所設(shè)置的突起部52插入于上段載體2的溝部53。
此外，如第7圖所示，上段載體2亦可使第2容納部14的插入口剖面積，形成為愈接近插入口的端部，該剖面積愈寬。亦即，插入口隨著朝向該上端而變得愈寬。如此，形成為錐狀而使插入口變寬，藉此可容易插入半導(dǎo)體裝置而提升操作性。
第8圖顯示將第1半導(dǎo)體裝置110容納于下段載體3時(shí)的上視圖及剖面圖。如第8圖的上視圖所示，中繼基板111載置于下段載體3的四邊所設(shè)置的保持構(gòu)件7上，而保持于下段載體3上。為了達(dá)到半導(dǎo)體裝置的較低高度，層積型半導(dǎo)體裝置100采用低于0.3mm的厚度的較薄的中繼基板。當(dāng)中繼基板較薄時(shí)，此中繼基板的角落部的耐應(yīng)力性較低，容易因?yàn)橐越锹洳繛槠瘘c(diǎn)的應(yīng)力而產(chǎn)生焊錫接合部的破損。尤其是當(dāng)從載體中使半導(dǎo)體裝置脫離時(shí)，可能會產(chǎn)生焊錫接合部的破損。因此，于本實(shí)施例中，并非于耐應(yīng)力性較低的角落部，而是于應(yīng)力相對較小的側(cè)邊緣設(shè)置用以保持半導(dǎo)體裝置的保持構(gòu)件7，藉此，可保護(hù)半導(dǎo)體裝置于從載體脫離時(shí)免于應(yīng)力的破壞。亦即，4個(gè)角落部均成為未接觸的狀態(tài)。此外，保持構(gòu)件7使用具有彈性的材料，且于插入半導(dǎo)體裝置時(shí)可容易形成彈性變形的材料，例如硅酮(silicone)、橡膠或是聚胺基甲酸酯等。
于第8圖所示之實(shí)施例中，雖是在4邊設(shè)置保持部7，但亦可在2邊設(shè)置保持部7而保持半導(dǎo)體裝置。
于中繼基板111上，形成有如第8圖的上視圖所示的金電極墊8。藉由使該金電極墊8與設(shè)在第2半導(dǎo)體裝置120背面?zhèn)鹊暮盖?23接觸，可使第2半導(dǎo)體裝置120及第1半導(dǎo)體裝置110電性連接。此外，于中繼基板111上設(shè)置有圖中未顯示的IC芯片，以及密封此IC芯片的封裝樹脂112。藉由以封裝樹脂112將IC芯片密封，可防止于IC芯片產(chǎn)生撞擊與損傷。封裝樹脂112可使用環(huán)氧、硅酮、聚亞酰胺(Polyimide)等。此外，于中繼基板111相反側(cè)的面形成有焊球113，而成為將層積型半導(dǎo)體裝置100裝載于基板上時(shí)的連接端子。
于下段載體3中所容納的第1半導(dǎo)體裝置110的上面，如第9圖所示形成有上蓋9。于下段載體3的內(nèi)側(cè)側(cè)面，如第9圖的剖面圖所示，形成有插入溝11，于此插入溝11插入有上蓋9。于第1半導(dǎo)體裝置110的中繼基板111上，如第8圖所示形成有金電極墊8以及配線圖案，因此可藉由設(shè)置上蓋9，而保護(hù)這些電性連接部分免于受到粉塵或油脂等的影響。此外，將上蓋9重疊于中繼基板111的正上方上，藉此可具有從上方將中繼基板111壓住的功能，而可防止第1半導(dǎo)體裝置110的脫落。
此外，如第9圖的上視圖所示，于下段載體3的4邊的各邊，形成有用以取出插入于下段載體3的插入溝11的上蓋9的缺口部10。由于上蓋9一邊彎曲一邊插入于插入溝11，因此由可彎曲的材料，例如薄金屬板或塑料板所組成。當(dāng)取出插入于插入溝11的上蓋9時(shí)，將專用的治具或手指插入于缺口部10而從溝中取出上蓋9。缺口部10并不需設(shè)置于下段載體3的4邊的所有邊，可如第10圖所示設(shè)置于2邊。
第11圖顯示裝設(shè)有O型環(huán)12以取代上蓋9的情形。關(guān)于O型環(huán)12，雖然不具有可保護(hù)形成在中繼基板111上的電極與配線圖案免于受到粉塵或油脂等的影響的功能，但如第11圖所示，可與上蓋9相同而重疊設(shè)置于中繼基板111的正上方上，藉此可具有從上方將中繼基板111壓住的功能，而可防止第1半導(dǎo)體裝置110脫落。
接下來參照第12圖所示的流程圖，說明層積型半導(dǎo)體裝置100的制造步驟。
首先，如第13圖所示，將第1半導(dǎo)體裝置110容納于下段載體3(步驟S1)。于半導(dǎo)體裝置的制造完成后，第1半導(dǎo)體裝置110容納于下段載體3中。于接受半導(dǎo)體裝置的供應(yīng)而制造層積型半導(dǎo)體裝置100時(shí)，將所供應(yīng)的半導(dǎo)體裝置容納于下段載體3，并將容納于下段載體3的半導(dǎo)體裝置移送至制造來源處。
接著，于已裝設(shè)下段載體3的狀態(tài)下，對第1半導(dǎo)體裝置110進(jìn)行測試(步驟S2)。測試是以下列方式進(jìn)行，亦即如第14圖所示，將探針200的試驗(yàn)接腳連接于第1半導(dǎo)體裝置110，并從探針200供應(yīng)電源及測試信號。于下段載體3底面，設(shè)置有讓試驗(yàn)接腳插入的開口部4，因此可于容納于下段載體3的狀態(tài)下對第1半導(dǎo)體裝置110進(jìn)行測試。此外，于半導(dǎo)體裝置的制造來源處進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的測試時(shí)，僅將測試結(jié)果為良好的良品送回。
于半導(dǎo)體裝置往制造來源處移送、測試、以及送回的一連串步驟中，由于第1半導(dǎo)體裝置110受到下段載體3保護(hù)，因此可保持半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)。此外，藉由在容納于下段載體3的狀態(tài)下進(jìn)行測試，可減少直接接觸于第1半導(dǎo)體裝置110的頻率。結(jié)果為可保護(hù)半導(dǎo)體裝置免于受到外在因素的影響，而穩(wěn)定的將良品供應(yīng)至接下來的步驟。
接著如第15圖所示，于保護(hù)IC芯片的封裝樹脂112上，使用點(diǎn)膠機(jī)以涂布黏接劑6(步驟S3)。此黏接劑6使用具有熱硬化性的黏接劑。具有熱硬化性的黏接劑，該硬化溫度及硬化時(shí)間的調(diào)整相對較為容易，因此可藉由使用適合于對象的半導(dǎo)體裝置的黏接劑，而可調(diào)整出目的的硬化溫度及硬化時(shí)間。此外，具有熱硬化性的黏接劑，與僅于照射紫外線的部分產(chǎn)生硬化的光硬化型的黏接劑不同，即使對滲透于半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部的黏接劑的硬化，亦不會產(chǎn)生問題而進(jìn)行硬化。一旦將黏接劑6涂布于封裝樹脂112上，則將上段載體2配置于下段載體3上。由于在上段載體2及下段載體3設(shè)置有卡合部5，因此可將這些載體連接而使上段載體2固定于下段載體3(步驟S4)。
接著如第17圖所示，將焊劑20涂布于第2半導(dǎo)體裝置120的焊球123(步驟S5)。此步驟僅于焊球123需進(jìn)行焊劑20的涂布時(shí)才進(jìn)行。此外，于第17圖中，顯示將焊劑涂布于焊球123側(cè)的狀態(tài)，但亦可將焊劑涂布于第1半導(dǎo)體裝置110的金電極墊8側(cè)。
當(dāng)將焊劑20涂布于焊球123時(shí)，如第17圖所示，將第2半導(dǎo)體裝置120載置于第1半導(dǎo)體裝置110上(步驟S5)。第2半導(dǎo)體裝置120通過形成為中空的上段載體2內(nèi)而裝設(shè)。此時(shí)，第2半導(dǎo)體裝置120必須裝設(shè)于第1半導(dǎo)體裝置110上的預(yù)定位置。亦即，必須使第1半導(dǎo)體裝置110的金電極墊8與第2半導(dǎo)體裝置120的焊球123確實(shí)的接觸，但由于上段載體2具有導(dǎo)引機(jī)構(gòu)的功能，因此可容易且正確的將第2半導(dǎo)體裝置120層積于第1半導(dǎo)體裝置110上。
當(dāng)裝設(shè)第2半導(dǎo)體裝置120時(shí)，則將容納于上段載體2及下段載體3的層積型半導(dǎo)體裝置100，如第18圖所示，插入于回焊爐，而進(jìn)行焊錫回焊(步驟S6)。由于上段載體2及下段載體3包含以下的其中之一鋁、銅或SUS的鎳成分的金屬；陶瓷；由聚醚醚酮所組成的樹脂，因此可承受回焊爐的高溫，并具有可重復(fù)使用的耐久性。
當(dāng)結(jié)束焊錫回焊，則進(jìn)行焊劑20的洗凈并再次進(jìn)行測試(步驟S7)。此測試亦如第19圖所示，將探針200的試驗(yàn)接腳連接于第1半導(dǎo)體裝置110而進(jìn)行。此時(shí)，由于第2半導(dǎo)體裝置120與第1半導(dǎo)體裝置110形成電性連接，因此亦對第2半導(dǎo)體裝置120進(jìn)行測試。
當(dāng)結(jié)束測試而判定為良品時(shí)，則如第20圖所示，將上段載體2及下段載體3從層積型半導(dǎo)體裝置100去除，并做為產(chǎn)品而出貨(步驟S8)。
接著參照第21圖所示的流程圖，說明層積型半導(dǎo)體裝置的制造步驟的第2例。
于本步驟中，直到將第2半導(dǎo)體裝置120定位于第1半導(dǎo)體裝置110上而裝設(shè)的步驟為止的步驟，與所述步驟相同。于本例中，于裝設(shè)第2半導(dǎo)體裝置120后，如第22圖所示，從下段載體3取出上段載體2(步驟S16)。于進(jìn)行回焊的前去除上段載體2，藉此可降低載體全體的熱容量。因此可防止焊錫因溫度不足而無法充分熔融的問題產(chǎn)生。此外，回焊爐的設(shè)定溫度亦可設(shè)定為較低的溫度，而降低加諸于半導(dǎo)體裝置的熱應(yīng)力。
當(dāng)去除上段載體2時(shí)，則于回焊爐中進(jìn)行焊錫回焊(步驟S17)，的后與所述步驟相同，進(jìn)行焊劑的洗凈并再次進(jìn)行測試(步驟S18)。當(dāng)結(jié)束測試而判定為良品時(shí)，則如第23圖所示，將下段載體3從層積型半導(dǎo)體裝置100中卸除，并做為產(chǎn)品而出貨(步驟S19)。
所述實(shí)施例為本發(fā)明的較佳實(shí)施例。惟并不限定于這些實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種變形。例如，于所述實(shí)施例中，以上段載體2及下段載體3的2段構(gòu)成載體1，但載體的構(gòu)成并不限定于此。例如為可容納復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體裝置，且于層積時(shí)具有導(dǎo)引功能的1個(gè)載體，或是由復(fù)數(shù)段的載體所構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種層積型半導(dǎo)體裝置用載體，具備下段載體，具有容納第1半導(dǎo)體裝置的第1容納部；及上段載體，具有第2容納部，該第2容納部容納層積于所述第1半導(dǎo)體裝置上的第2半導(dǎo)體裝置，并將所述第2半導(dǎo)體裝置配置于所述第1半導(dǎo)體裝置上的預(yù)定位置。
2.如權(quán)利要求
1所述的層積型半導(dǎo)體裝置用載體，具有用以在容納于所述下段載體的所述第1半導(dǎo)體裝置與試驗(yàn)用接腳之間進(jìn)行電性連接的開口部。
3.如權(quán)利要求
1或2所述的層積型半導(dǎo)體裝置用載體，其中，所述下段載體及所述上段載體各自具有卡合部，所述卡合部互相卡合，以將所述下段載體及所述上段載體進(jìn)行裝設(shè)并實(shí)現(xiàn)可拆卸。
4.如權(quán)利要求
3所述的層積型半導(dǎo)體裝置用載體，其中，所述上段載體的所述第2容納部具有容納于所述上段載體內(nèi)的所述第2半導(dǎo)體裝置所插通的插入口；該插入口的寬度隨著朝向該上端而逐漸增加。
5.如權(quán)利要求
1至4中任一項(xiàng)所述的層積型半導(dǎo)體裝置用載體，其中，所述下段載體具有由彈性材料所制成的保持構(gòu)件，該保持構(gòu)件將所述第1半導(dǎo)體裝置保持于所述第1容納部內(nèi)。
6.如權(quán)利要求
5所述的層積型半導(dǎo)體裝置用載體，其中，所述保持構(gòu)件通過側(cè)邊緣將容納于所述第1容納部的所述第1半導(dǎo)體裝置加以保持。
7.如權(quán)利要求
1至6中任一項(xiàng)所述的層積型半導(dǎo)體裝置用載體，其中，所述上段載體及所述下段載體包含以下的其中之一鋁、銅或鎳成分的金屬；陶瓷；由聚醚醚酮所構(gòu)成的樹脂。
8.如權(quán)利要求
1至7中任一項(xiàng)所述的層積型半導(dǎo)體裝置用載體，其中，還具有上蓋或連結(jié)構(gòu)件；所述下段載體具有用以裝設(shè)所述上蓋或連結(jié)構(gòu)件的插入溝。
9.一種層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備將第1半導(dǎo)體裝置容納于層積型半導(dǎo)體裝置用載體的下段載體的步驟；及采用層積型半導(dǎo)體裝置用載體的上段載體，將第2半導(dǎo)體裝置層積于所述第1半導(dǎo)體裝置上的步驟。
10.如權(quán)利要求
9所述的方法，其中，所述層積步驟包含將上段載體裝設(shè)于下段載體，之后將所述第2半導(dǎo)體裝置容納于所述上段載體的步驟。
11.如權(quán)利要求
9或10所述的方法，其中，還具有在回焊爐內(nèi)將容納于所述層積型半導(dǎo)體裝置用載體的所述第1及第2半導(dǎo)體裝置加以電性連接而構(gòu)成為一體的步驟。
12.如權(quán)利要求
11所述的方法，其中，具有將所述層積型半導(dǎo)體裝置用載體載置于所述回焊爐內(nèi)之前去除所述上段載體的步驟。
13.如權(quán)利要求
9至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中，具有通過下段載體的開口將試驗(yàn)用接腳連接于所述第1半導(dǎo)體裝置，而對容納于所述下段載體的所述第1半導(dǎo)體裝置進(jìn)行測試的步驟。
14.如權(quán)利要求
9至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中，于所述層積步驟前，具有將黏接劑供應(yīng)至所述第1半導(dǎo)體裝置的密封樹脂上的步驟。
15.如權(quán)利要求
14所述的層積型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述黏接劑為熱硬化性黏接劑。
專利摘要
本發(fā)明為一種層積型半導(dǎo)體裝置用載體，構(gòu)成為具備下段載體3，該下段載體3具有用以容納作為下側(cè)之第1半導(dǎo)體裝置110的第1容納部12；及上段載體2，具有第2容納部14，該第2容納部14容納層積于第1半導(dǎo)體裝置110上之第2半導(dǎo)體裝置120，并將第2半導(dǎo)體裝置120配置于第1半導(dǎo)體裝置110上的預(yù)定位置。藉此不需具備用于層積之專用設(shè)備，因此可降低成本。
文檔編號H01L21/48GK1998081SQ200480043576
公開日2007年7月11日 申請日期2004年5月11日
發(fā)明者小野寺正德, 河西純一, 目黑弘一, 田中淳二, 新間康弘, 田谷耕治 申請人:斯班遜有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan