本公開實施例涉及一種半導體技術(shù),且特別涉及一種半導體裝置及其制造方法。
背景技術(shù):
1、半導體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速增長。集成電路(ic)設(shè)計及材料的技術(shù)進展已經(jīng)產(chǎn)生了一代又一代的集成電路(ic),其中每一代的電路都比前幾代更小、更復(fù)雜。在集成電路(ic)的發(fā)展過程中,功能密度(即,每單位芯片面積內(nèi)連裝置的數(shù)量)普遍性增加,然而幾何尺寸(即,可以使用制造工藝形成的最小部件(或線路))卻為縮小。
2、隨著半導體裝置尺寸繼續(xù)縮小,制造中可能出現(xiàn)挑戰(zhàn)。舉例來說,金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal,mim)結(jié)構(gòu)可用于實現(xiàn)微電子元件,例如電容器。金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)可以形成為銅重布線層(redistribution?layer,rdl)設(shè)計的一部分。然而,用于實現(xiàn)銅重布線層(rdl)設(shè)計的現(xiàn)有工藝可能導致金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)中的絕緣層的特性不佳,例如結(jié)晶度差及/或低于所需的介電常數(shù)。如此一來,可能會降低金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)的效能。
3、因此,雖然現(xiàn)有的半導體制造方法通常足以滿足其預(yù)期性目的,然其并未在各個方面都完全令人滿意。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在一些實施例中,提供一種半導體裝置,包括:一第一介電層;一第二介電層,設(shè)置于第一介電層上方,第二介電層與第一介電層具有不同的材料組成;一金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu),埋入于第二介電層內(nèi);一第三介電層,設(shè)置于第二介電層上方,第三介電層與第二介電層具有不同的材料組成。
2、在一些實施例中,提供一種半導體裝置,包括:一第一氮化硅層;一氧化硅層,位于第一氮化硅層上方;一金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu),埋入氧化硅層內(nèi),金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)包括多個含金屬層及多個絕緣層,各個絕緣層位于兩個相鄰的含金屬層之間;一第二氮化硅層,位于氧化硅層上方;一導電結(jié)構(gòu),在截面?zhèn)纫暯嵌戎?,其垂直延伸穿過第二氮化硅層、氧化硅層、金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)及第一氮化硅層,導電結(jié)構(gòu)包含銅但不包含鋁。
3、在一些實施例中,提供一種半導體裝置的形成方法,包括:提供第一介電層;形成一第二介電層的一第一部于第一介電層上方,第二介電層與第一介電層具有不同的材料組成;形成一金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)于第二介電層上方;形成第二介電層的一第二部于金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)上方及第一介電層上方,使得在截面?zhèn)纫暯嵌戎?,金?絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)埋入第二介電層內(nèi),第二介電層的第二部具有與第二介電層的第一部相同的材料組成;形成一第三介電層于第二介電層的第二部上方,第三介電層與第二介電層具有不同的材料組成;蝕刻出一開口,其垂直延伸穿過第三介電層、第二介電層、金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)及第一介電層;形成一導電結(jié)構(gòu)于開口內(nèi)。
1.一種半導體裝置,包括:
2.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置,其中該第一介電層或該第三介電層包含氮化硅,而該第二介電層包含氧化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置,其中該金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)包括多個含金屬層以及多個絕緣層,且該多個絕緣體層各個夾設(shè)于該多個含金屬層中對應(yīng)的兩者之間。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置,還包括一導電結(jié)構(gòu),其垂直延伸穿過該第一介電層、該第二介電層以及該第三介電層。
5.如權(quán)利要求4所述的半導體裝置,還包括:
6.一種半導體裝置,包括:
7.如權(quán)利要求6所述的半導體裝置,還包括:
8.如權(quán)利要求6所述的半導體裝置,其中
9.一種半導體裝置的制造方法,包括:
10.如權(quán)利要求9所述的半導體裝置的制造方法,其中形成該金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)包括: