本公開實施例涉及一種半導體技術(shù)，且特別涉及一種半導體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速增長。集成電路(ic)設(shè)計及材料的技術(shù)進展已經(jīng)產(chǎn)生了一代又一代的集成電路(ic)，其中每一代的電路都比前幾代更小、更復(fù)雜。在集成電路(ic)的發(fā)展過程中，功能密度(即，每單位芯片面積內(nèi)連裝置的數(shù)量)普遍性增加，然而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝形成的最小部件(或線路))卻為縮小。

2、隨著半導體裝置尺寸繼續(xù)縮小，制造中可能出現(xiàn)挑戰(zhàn)。舉例來說，金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal,mim)結(jié)構(gòu)可用于實現(xiàn)微電子元件，例如電容器。金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)可以形成為銅重布線層(redistribution?layer,rdl)設(shè)計的一部分。然而，用于實現(xiàn)銅重布線層(rdl)設(shè)計的現(xiàn)有工藝可能導致金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)中的絕緣層的特性不佳，例如結(jié)晶度差及/或低于所需的介電常數(shù)。如此一來，可能會降低金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)的效能。

3、因此，雖然現(xiàn)有的半導體制造方法通常足以滿足其預(yù)期性目的，然其并未在各個方面都完全令人滿意。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一些實施例中，提供一種半導體裝置，包括：一第一介電層；一第二介電層，設(shè)置于第一介電層上方，第二介電層與第一介電層具有不同的材料組成；一金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)，埋入于第二介電層內(nèi)；一第三介電層，設(shè)置于第二介電層上方，第三介電層與第二介電層具有不同的材料組成。

2、在一些實施例中，提供一種半導體裝置，包括：一第一氮化硅層；一氧化硅層，位于第一氮化硅層上方；一金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)，埋入氧化硅層內(nèi)，金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)包括多個含金屬層及多個絕緣層，各個絕緣層位于兩個相鄰的含金屬層之間；一第二氮化硅層，位于氧化硅層上方；一導電結(jié)構(gòu)，在截面?zhèn)纫暯嵌戎?，其垂直延伸穿過第二氮化硅層、氧化硅層、金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)及第一氮化硅層，導電結(jié)構(gòu)包含銅但不包含鋁。

3、在一些實施例中，提供一種半導體裝置的形成方法，包括：提供第一介電層；形成一第二介電層的一第一部于第一介電層上方，第二介電層與第一介電層具有不同的材料組成；形成一金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)于第二介電層上方；形成第二介電層的一第二部于金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)上方及第一介電層上方，使得在截面?zhèn)纫暯嵌戎?，金?絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)埋入第二介電層內(nèi)，第二介電層的第二部具有與第二介電層的第一部相同的材料組成；形成一第三介電層于第二介電層的第二部上方，第三介電層與第二介電層具有不同的材料組成；蝕刻出一開口，其垂直延伸穿過第三介電層、第二介電層、金屬-絕緣體-金屬(mim)結(jié)構(gòu)及第一介電層；形成一導電結(jié)構(gòu)于開口內(nèi)。

技術(shù)特征：

1.一種半導體裝置，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中該第一介電層或該第三介電層包含氮化硅，而該第二介電層包含氧化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中該金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)包括多個含金屬層以及多個絕緣層，且該多個絕緣體層各個夾設(shè)于該多個含金屬層中對應(yīng)的兩者之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，還包括一導電結(jié)構(gòu)，其垂直延伸穿過該第一介電層、該第二介電層以及該第三介電層。

5.如權(quán)利要求4所述的半導體裝置，還包括：

6.一種半導體裝置，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的半導體裝置，還包括：

8.如權(quán)利要求6所述的半導體裝置，其中

9.一種半導體裝置的制造方法，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中形成該金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導體裝置包括一第一介電層。一第二介電層設(shè)置于第一介電層上方。第二介電層及第一介電層具有不同的材料組成。一金屬?絕緣體?金屬(MIM)結(jié)構(gòu)埋入第二介電層內(nèi)。一第三介電層設(shè)置于第二介電層上方。第三介電層及第二介電層具有不同的材料組成。第一介電層或第三介電層可以包含氮化硅，第二介電層可以包含氧化硅。

技術(shù)研發(fā)人員：周家玥,沈香谷,余立中,張文苓,黃鎮(zhèn)球,陳殿豪,侯承浩,蔡欣宏,唐宇,李昆育,江淳修
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/28