用于沉積腔室的冷卻的反射接裝板的制作方法
【專利摘要】在一個實施例中，設(shè)置一種用于沉積腔室的接裝板。所述接裝板包含：主體；安裝板，所述安裝板中心地定位于所述主體上；第一環(huán)形部，所述第一環(huán)形部從所述安裝板的第一表面縱向地延伸且從所述安裝板的外表面徑向向內(nèi)設(shè)置；第二環(huán)形部，所述第二環(huán)形部從所述安裝板的相對的第二表面縱向地延伸且從所述安裝板的所述外表面徑向向內(nèi)設(shè)置；及鏡面加工表面，所述鏡面加工表面設(shè)置于所述第二環(huán)形部的內(nèi)部，所述鏡面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
【專利說明】用于沉積腔室的冷卻的反射接裝板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本文揭示的實施例涉及半導(dǎo)體工藝。更特別地，本文揭示的實施例涉及用于半導(dǎo) 體基板的材料與熱處理的設(shè)備和方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 材料工藝與熱處理于半導(dǎo)體制造中十分常見，這是為了在基板上制造電子器件。 在電子器件制造過程中，半導(dǎo)體基板常受材料工藝影響，所述材料工藝包括沉積、注入或蝕 亥IJ，而熱處理可能在所述材料工藝之前、期間或之后執(zhí)行。在一些熱處理中，在材料工藝之 后利用輻射源，比如燈來加熱基板，所述輻射源將輻射能導(dǎo)向至基板以退火和/或于基板 上執(zhí)行快速熱處理（RTP)。然而，所述熱處理通常執(zhí)行于分開的腔室中，這需要轉(zhuǎn)移基板至 另一腔室。在材料工藝期間，基板可被加熱。然而，包含于基板中的大量的熱能可能會散失 至腔室部件和諸如機械葉片之類的轉(zhuǎn)移裝置，這降低了器件制造工藝的效率且增加了工藝 時間。機器利用率，即機器運行以處理基板的時間，在減少制造的每一個晶片的成本中是一 個關(guān)鍵因素。因此，存在著對更有效的半導(dǎo)體器件制造工藝及設(shè)備的持續(xù)性需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 揭示用于利用能夠沉積材料于基板上的工藝腔室處理基板的方法與設(shè)備。所述腔 室也用于在沉積之前、期間或之后加熱基板。所述腔室還包括接裝板（adapter plate)，所 述接裝板包括燈安裝設(shè)備和反射表面，所述反射表面用來聚集輻射能至基板的表面。
[0004] 在一實施例中，提供一種用于沉積腔室的接裝板。所述接裝板包含：主體；安裝 板，所述安裝板中心地定位于所述主體上；第一環(huán)形部，所述第一環(huán)形部從所述安裝板的第 一表面縱向地延伸且從所述安裝板的外表面徑向向內(nèi)設(shè)置；第二環(huán)形部，所述第二環(huán)形部 從所述安裝板的相對的第二表面縱向地延伸且從所述安裝板的所述外表面徑向向內(nèi)設(shè)置； 及鏡面加工（mirror-finished)表面，所述鏡面加工表面設(shè)置于所述第二環(huán)形部的內(nèi)部，所 述鏡面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
[0005] 在另一實施例中，提供一種用于沉積腔室的接裝板。所述接裝板包含：主體，所述 主體具有第一面和第二面，所述第一面設(shè)置于第一平面中，所述第二面與所述第一面相對； 第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁接合至第一表面，所述第一側(cè)壁設(shè)置于第二平面中，所述第二平面 實質(zhì)上垂直于所述第一平面；第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁接合至第二表面，所述第二側(cè)壁設(shè)置 于所述第二平面中；及向外延伸的凸緣，所述向外延伸的凸緣耦接在所述第一側(cè)壁與所述 第二側(cè)壁間。
[0006] 在另一實施例中，提供一種用于沉積腔室的接裝板。所述接裝板包含：主體，所述 主體包含第一環(huán)形部和第二環(huán)形部，所述第一環(huán)形部具有第一面，所述第一面設(shè)置于第一 平面中，所述第二環(huán)形部具有第二面，所述第二面設(shè)置于所述第一平面中與所述第一面相 對；第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁接合至第一表面，所述第一側(cè)壁設(shè)置于第二平面中，所述第二 平面實質(zhì)上垂直于所述第一平面；第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁接合至第二表面，所述第二側(cè)壁 設(shè)置于所述第二平面中；及向外延伸的凸緣，所述向外延伸的凸緣耦接在所述第一側(cè)壁與 所述第二側(cè)壁間，所述向外延伸的凸緣具有熱控通道的至少一部分形成于所述向外延伸的 凸緣中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 為了能夠詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征，可通過參照實施例而獲得以上簡要概括的 本發(fā)明的更詳細(xì)的描述，一些實施例描繪于附圖中。然而，應(yīng)注意附圖僅繪示本發(fā)明的典型 實施例，因此附圖不應(yīng)被視為對本發(fā)明范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其他等同有效的實 施例。
[0008] 圖1為根據(jù)一個實施例的沉積腔室的示意截面圖。
[0009] 圖2A為圖1的接裝板的等距頂視圖。
[0010] 圖2B為圖2A的接裝板的等距底視圖。
[0011] 圖2C為圖2A的接裝板的底部平面圖。
[0012] 圖3為圖2A的接裝板的主體的部分截面圖。
[0013] 圖4為圖2A的接裝板的沿圖2C的線4-4的截面圖。
[0014] 圖5為圖2A的接裝板的沿圖2C的線5-5的截面圖。
[0015] 圖6為圖2A的接裝板的沿圖2C的線6-6的截面圖。
[0016] 圖7為圖1的接裝板與屏蔽環(huán)的一部分的放大截面圖。
[0017] 圖8A為接裝板的另一實施例的等距頂視圖，所述接裝板可被用于圖1的沉積腔室 中。
[0018] 圖8B為圖8A的接裝板的等距底視圖。
[0019] 圖9為接裝板的一部分的示意截面圖，所述圖示出形成在所述接裝板與相鄰部件 中和之間的不同傳導(dǎo)區(qū)。
[0020] 為了便于理解，已盡可能使用相同的標(biāo)號以表示各圖中共用的相同元件?？梢灶A(yù) 期的是，在一個實施例中揭示的各元件可被有利地使用于其他實施例而無須特定詳述。

【具體實施方式】
[0021] 圖1為根據(jù)一個實施例的沉積腔室100的示意截面圖。沉積腔室100包含主體 101，主體101具有下側(cè)壁102、上側(cè)壁103及蓋部104,下側(cè)壁102、上側(cè)壁103及蓋部104 界定主體101，主體101包圍主體101的內(nèi)部空間105。接裝板106可被設(shè)置于下側(cè)壁102 與上側(cè)壁103之間。接裝板106的一部分可包括主體101的外表面107?；逯渭热?基座108,設(shè)置于沉積腔室100的內(nèi)部空間105中。基板傳輸口 109形成于下側(cè)壁102中， 以用來轉(zhuǎn)移基板進出內(nèi)部空間105。
[0022] 在一個實施例中，沉積腔室100包含濺射腔室，也被稱為物理氣相沉積（PVD)腔 室，所述濺射腔室能夠在基板上沉積，例如，鈦、氧化鋁、鋁、銅、鉭、氮化鉭、鎢或氮化鎢。適 合的物理氣相沉積腔室的例子包括ALPS? Plus和SIP ENCORE?物理氣相沉積工藝腔 室，兩者皆可自加州圣克拉拉市的Applied Materials, Inc.(應(yīng)用材料公司）購置?？梢?預(yù)期的是購自其他制造商的工藝腔室也可利用此處描述的實施例。
[0023] 在沉積工藝中，工藝氣體可從氣源110流至內(nèi)部空間105。內(nèi)部空間105的壓強 可以由泵送設(shè)備112來控制，泵送設(shè)備112與內(nèi)部空間105相連通。蓋部104可支撐濺射 源114,比如靶材。濺射源114可耦接至源組件116,源組件116包含磁體和用于濺射源114 的電源。準(zhǔn)直器118可被定位于內(nèi)部空間105內(nèi)介于濺射源114與基座108之間。屏蔽管 120可鄰近準(zhǔn)直器118和蓋部104的內(nèi)部。準(zhǔn)直器118包括多個孔，以引導(dǎo)內(nèi)部空間105 內(nèi)的氣體和/或材料流。準(zhǔn)直器118可機械地及電氣地耦接至屏蔽管120。在一個實施例 中，準(zhǔn)直器118比如通過焊接工藝而機械地耦接至屏蔽管120,使得準(zhǔn)直器118整合至屏蔽 管120。在另一個實施例中，準(zhǔn)直器118可在腔室100內(nèi)電氣地浮動。在另一個實施例中， 準(zhǔn)直器118可耦接至電氣電源和/或電氣地耦接至沉積腔室100的蓋部104。
[0024] 屏蔽管120可包括管狀主體121,管狀主體121具有凹槽122形成于管狀主體121 的上表面中。凹槽122給準(zhǔn)直器118的下表面提供接合界面。屏蔽管120的管狀主體121 可包括肩部區(qū)域123,肩部區(qū)域123具有內(nèi)直徑，而所述內(nèi)直徑小于管狀主體121其余部分 的內(nèi)直徑。在一個實施例中，管狀主體121的內(nèi)表面沿錐形表面124徑向向內(nèi)轉(zhuǎn)變至肩部 區(qū)域123的內(nèi)表面。屏蔽環(huán)126可設(shè)置在腔室中與屏蔽管120相鄰且在屏蔽管120與接裝 板106間。屏蔽環(huán)126可至少部分地設(shè)置在凹槽128中，凹槽128由屏蔽管120的肩部區(qū) 域123的相對側(cè)形成。一方面，屏蔽環(huán)126包括環(huán)形部分127,環(huán)形部分127可以是軸向地 突出的。環(huán)形部分127包括比屏蔽管120的肩部區(qū)域123的外直徑大的內(nèi)直徑。徑向凸緣 130從環(huán)形部分127延伸出。徑向凸緣130可相對于屏蔽環(huán)126的環(huán)形部分127的內(nèi)直徑 表面形成一角度，所述角度大于約九十度（90° )。徑向凸緣130包括突出部分132,突出部 分132形成于徑向凸緣130的下表面上。突出部分132可以是圓形脊，從徑向凸緣130的表 面沿一方向延伸出，所述方向?qū)嵸|(zhì)上平行于屏蔽環(huán)126的環(huán)形部分127的內(nèi)直徑表面。突 出部分132通常適用于與凹陷凸緣（recessed flange) 134接合，凹陷凸緣134形成于設(shè)置 在基座108上的邊緣環(huán)136中。凹陷凸緣134可以是形成于邊緣環(huán)136中的圓型槽。在回 流工藝或硅化工藝中，邊緣環(huán)136可被用來當(dāng)作沉積環(huán)。邊緣環(huán)136可包括一或更多個反 射表面，這些反射表面朝向基板表面聚集能量。突出部132與凹陷凸緣134的接合對準(zhǔn)屏 蔽環(huán)126的中心于基座108的縱軸?；?38 (圖示支撐于升降銷140上）通過介于基座 108與機械葉片（未圖示）之間的協(xié)調(diào)定位標(biāo)度而相對于基座108的縱軸居中。在這種方 式中，基板138可被居中于沉積腔室100內(nèi)，且屏蔽環(huán)126可在工藝期間徑向地以基板138 為中心。
[0025] 在操作中，具有基板138于其上的機械葉片（未圖示）延伸穿過基板傳輸口 109。 基座108可降低以允許基板138被轉(zhuǎn)移至從基座108延伸的升降銷140?；?08和/或 升降銷140的升降可由驅(qū)動器142控制，驅(qū)動器142耦接至基座108。基板138可被降至 基座108的基板接收表面144上。隨著基板138定位于基座108的基板接收表面144上， 濺射沉積可被執(zhí)行于基板138上。在工藝期間，邊緣環(huán)136與基板138可以是電氣隔離的。 因此，基板接收表面144可包括一高度，所述高度大于與基板138相鄰的邊緣環(huán)136的各部 分高度，使得基板138免于接觸邊緣環(huán)136。在濺射沉積過程中，基板138的溫度可通過使 用設(shè)置在基座108中的熱控通道146來控制。另外，在沉積過程中與基板138相鄰的沉積 腔室100的部件被配置以提供最佳化體積氣流。部件之間的間隙和形成在接裝板106中的 通孔（圖示于圖2A中的通孔226)形成多個傳導(dǎo)區(qū)，這些傳導(dǎo)區(qū)在約400攝氏度（°C)下 提供約7. 54至約11. 2的傳導(dǎo)值（即傳導(dǎo)比值（例如，流阻（flow resistance)的倒數(shù)，以 L/D為單位））。
[0026] 在濺射沉積之后，可使用升降銷140來將基板138提升至與基座108分開的位置。 被提升的位置可近鄰屏蔽環(huán)126和與接裝板106相鄰的反射器環(huán)148兩者或其一。接裝板 106包括一或更多個燈150,燈150耦接至接裝板106在反射器環(huán)148的下表面與接裝板 106的反射表面152間。反射表面152可以是彎曲或凹的。燈150提供在可見光波長或近 可見光波長的輻射能量，例如在紅外線（IR)和/或紫外線（UV)光譜。朝向基板138的背 側(cè)（即下表面）聚集來自燈150的輻射能量以加熱基板138和基板138上沉積的材料。圍 繞基板138的腔室部件上的反射表面，比如接裝板106的反射表面152和邊緣環(huán)136的反 射表面，用于朝向基板138的背側(cè)聚集輻射能量并使輻射能量遠(yuǎn)離其他腔室部件，在其他 腔室部件處能量會散失和/或不被利用。接裝板106可耦接至冷卻劑源154,以在加溫過程 中控制接裝板106的溫度。
[0027] 基板138可在幾秒內(nèi)被加熱至約300°C至約400°C的第一溫度，比如約350°C。 加熱基板138至所述第一溫度可進行回流工藝或硅化工藝?；亓鞴に嚤挥脕頊p少懸垂 (overhang)于基板138的凹槽中的金屬。娃化工藝可被用來驅(qū)動金屬與娃之間的反應(yīng)。
[0028] 本文描述的加熱方法具有關(guān)于金屬沉積工藝的優(yōu)點。當(dāng)金屬被沉積在基板表面上 時，所述表面獲得反射性。輻射能量的吸收通常會在金屬化表面上減少。輻照金屬化表面 與加熱于金屬化表面相對的表面，例如基板背側(cè)，相比之下效率較低。相對于加熱金屬化表 面，改良的硅能量吸收提高了熱處理工藝的能量效率
[0029] 在加熱基板至第一溫度后，基板138降低至基座108的基板接收表面144上的位 置。通過傳導(dǎo)，利用基座108中的熱控通道146,基板138可被快速冷卻。基板的溫度可在 約數(shù)秒至一分鐘內(nèi)從第一溫度下降至第二溫度。第二溫度可以是室溫，比如約23°C至約 30°C，例如約25°C?？赏ㄟ^基板傳輸口 109從沉積腔室100移除基板138,以供進一步處理。
[0030] 圖2A為圖1的接裝板106的等距頂視圖。圖2B為圖2A的接裝板106的等距底 視圖。圖2C為圖2A的接裝板106的底部平面圖。接裝板106包括具有凸緣202的主體 200,凸緣202可包含圖1的腔室100的外表面107。凸緣202可以是安裝板，所述安裝板中 心地定位且從第一環(huán)形部204和第二環(huán)形部206徑向地延伸。第一環(huán)形部204和第二環(huán)形 部206中的每一個可由凸緣202的外表面107徑向向內(nèi)設(shè)置。凸緣202可包括開口 208,這 些開口 208形成于第一表面207A與相對的第二表面207B之間。開口 208供緊固件（未圖 示）使用，以便于主體200耦接至沉積腔室100(圖示于圖1中）。凸緣202也可包括形成 于其中的熱控通道210 (圖2B中以虛線圖示）。熱控通道210在熱控通道210的進口 212 處耦接至冷卻劑源154。熱控通道210的出口 214可耦接至儲存器（reservoir) 216,儲存 器216可以是熱交換器或排水道。主體200可由金屬材料，比如鋁，來制造。
[0031] 參照圖2B，主體200可包含一或更多個徑向凹槽218,徑向凹槽218至少部分地形 成于第一環(huán)形部204中。徑向凹槽218中的每一個徑向凹槽可包括開口 220,開口 220穿過 第一環(huán)形部204而形成。徑向凹槽218被用于燈安裝設(shè)備219,燈安裝設(shè)備219用于固持 及提供電力至燈150 (兩者皆于圖2A中以虛線圖示）。燈150中的每一個燈可以是U形的 且燈150的端部與插座連接，所述插座設(shè)置在燈安裝設(shè)備219上。徑向凹槽218中的每一 個徑向凹槽也可包括長形通道222,長形通道222形成于第一環(huán)形部204的向內(nèi)延伸的表 面224中。長形通道222被用來附接電纜至設(shè)置在徑向凹槽218中的燈安裝設(shè)備219?？?(bore) 223可形成于第一環(huán)形部204中，以為纜線提供從主體200的外部到長形通道222及 到徑向凹槽218的通口。
[0032] -方面，徑向凹槽218中的每一個徑向凹槽設(shè)置于主體200的相對側(cè)（例如，彼此 相隔約180度）以支撐半圓形燈的端部。長形通道222可形成為實質(zhì)上直線的槽，所述槽 與第一環(huán)形部204的向內(nèi)延伸的表面224的半徑相切。第一環(huán)形部204也可包括多個通孔 226,這些通孔226穿過第一環(huán)形部204的向內(nèi)延伸的表面224而形成。通孔226中的每一 個通孔包括中心線，所述中心線可平行于主體200的縱軸228。通孔226于工藝過程中被用 于最佳化體積流（即增加氣體傳導(dǎo)）。通孔226中的每一個通孔可包括約0. 40英寸至約 〇. 54英寸的直徑，第一環(huán)形部204可包括約30至約70個通孔226。在處理過程中，在反射 器環(huán)148與徑向凸緣130之間的間隙中的氣流與穿過通孔226的氣流在約400°C下提供約 14. 22的結(jié)合的傳導(dǎo)值。
[0033] 主體200也可包括多個狹槽230,這些狹槽230形成于反射表面152 (圖示于圖2A) 中。狹槽230被配置以耦接到支撐構(gòu)件300(圖示于圖3)，支撐構(gòu)件300支撐燈150。第一 環(huán)形部204的向內(nèi)延伸的表面224也可包括多個軸向凹槽232。軸向凹槽232被用于接收 緊固件夾具（fastener fixture) 305 (圖示于圖3)來固鎖支撐構(gòu)件300。狹槽230中的每一 個狹槽可彼此間隔約40度至約60度的間隔。
[0034] 在一個實施例中，反射表面152是凹的且包括光滑表面。反射表面152可形成在 約8英寸的半徑上。一方面，反射表面152具有約6或更小的表面粗糙度（平均表面粗糙 度（Ra))。在一個實施例中，反射表面152在約85度的入射角下包含約85%的反射率。在 另一實施例中，反射表面152在約20度的入射角下包含約72%的反射率。在另一實施例 中，反射表面152在約60度的入射角下包含約72%的反射率。
[0035] 圖3為圖2A的接裝板106的主體200的部分截面圖。支撐構(gòu)件300圖示于截面 中且設(shè)置于狹槽230中。支撐構(gòu)件300包括通孔310,通孔310接收緊固件315。緊固件 315固鎖至緊固件夾具305,緊固件夾具305被接收于軸向凹槽232中。支撐構(gòu)件300也包 括狹槽320,狹槽320接收燈150的外側(cè)直徑且至少部分地支撐燈150。主體200也包括內(nèi) 部擱板部325,內(nèi)部擱板部325與會聚部330相鄰。內(nèi)部擱板部325包含第一內(nèi)部表面335 與第二內(nèi)部表面340。第一內(nèi)部表面335設(shè)置于第一平面中，第二內(nèi)部表面340設(shè)置于相對 于第一內(nèi)部表面335的平面呈約30度至約60度的平面中。通孔226的至少一部分形成于 內(nèi)部擱板部325的第一內(nèi)部表面335與第二內(nèi)部表面340中的每一個內(nèi)部表面中。
[0036] 圖4為圖2A的接裝板106的沿圖2C的4-4線的截面圖。接裝板106的主體200 包含下表面，比如第一面400A，和上表面，比如第二面400B。長形通道222的一部分圖不于 第一面400A中。主體200包括其他開口（未圖示），所述其他開口形成于主體200中以提 供電纜從長形通道222至燈安裝設(shè)備219 (圖示于圖2A中）的路徑。第一面400A與第二 面400B通常是平行的。第一面400A過渡至下側(cè)壁表面，比如第一側(cè)壁405,所述下側(cè)壁表 面實質(zhì)上正交于第一面400A的平面。第一側(cè)壁405過渡至向外延伸的凸緣410。向外延伸 的凸緣410包括下表面、外側(cè)壁表面420和上表面，所述下表面比如第一安裝表面415,所 述上表面比如第二安裝表面425。第一安裝表面415以相對于第一安裝表面415的平面實 質(zhì)上正交的角度接合至外側(cè)壁表面420。外側(cè)壁表面420以相對于外側(cè)壁表面420的平面 實質(zhì)上正交的角度接合至第二安裝表面425。因此，第一安裝表面415與第二安裝表面425 實質(zhì)上平行。同樣地，第一安裝表面415和第二安裝表面425實質(zhì)上平行于第一面400A的 平面和/或第二面400B的平面。第二安裝表面425以相對于第二安裝表面425的平面實 質(zhì)上正交的角度過渡至上側(cè)壁表面，比如第二側(cè)壁430。因此，第一側(cè)壁405實質(zhì)上平行于 第二側(cè)壁430。
[0037] 圖5為圖2A的接裝板106的沿圖2C的5-5線的截面圖。如圖3所描述的，接裝 板106的主體200包含內(nèi)部擱板部325,內(nèi)部擱板部325具有至少部分形成于其中的通孔。 內(nèi)部擱板部325包含第一內(nèi)部表面335,第一內(nèi)部表面335可實質(zhì)上正交于主體200的第一 面400A的平面和/或第二面400B的平面。第一內(nèi)部表面335過渡至?xí)鄄?30,會聚部 330包括平表面500。在一個實施例中，平表面500以相對于第二面400B的平面之鈍角α 設(shè)置。角度α可以是約1〇〇度至約120度。在另一實施例中，第一內(nèi)部表面335可通過凹 交會（concave intersection) 505過渡至?xí)鄄?30,凹交會505可以是約1英寸的半徑。
[0038] 圖6為圖2A的接裝板106的沿圖2C的6-6線的截面圖。在此視圖中，長形通道 222被圖示成穿過主體200。通孔226之一也被圖示成穿過主體200而形成。也圖示設(shè)置 于熱控通道210上的帽板600。帽板600可由鋁形成，且通過焊接固定至主體200。
[0039] 圖7為接裝板106、反射器環(huán)148和屏蔽環(huán)126的一部分的放大截面圖。在一個實 施例中，反射器環(huán)148置于接裝板106的表面上與反射表面152和燈150相鄰。一方面，間 隙700提供于接裝板106的內(nèi)表面705與反射器環(huán)148的外表面710之間。內(nèi)表面705可 包括尺寸（例如直徑），所述尺寸略小于外表面710的直徑，使得間隙700在反射器環(huán)148 周邊周圍連續(xù)。在處理過程中，反射器環(huán)148可由來自燈150的能量而被加熱，這可能導(dǎo)致 反射器環(huán)148膨脹。間隙700允許自由膨脹直到間隙700耗盡。任何額外的熱量輸入將導(dǎo) 致反射器環(huán)148與接裝板106的表面之間接觸阻力減小，接裝板106從反射器環(huán)148傳遞 走熱量。一方面，間隙700是一種自我限制機制，在處理過程中，間隙700將反射器環(huán)148 的最大溫度限制至約l〇〇°C或更低。
[0040] 圖8A為接裝板800的另一實施例的等距頂視圖，接裝板800可被使用于圖1的沉 積腔室100中。圖8B為圖8A的接裝板800的等距底視圖。接裝板800類似描述于圖2A 至圖7的接裝板106,但有些許例外。為了簡潔起見，接裝板800與接裝板106共用的標(biāo)號 中的一些標(biāo)號將不被解釋。
[0041] 在本實施例中，接裝板800包括反射表面152和燈150 (以虛線圖示），燈150設(shè)置 于支撐構(gòu)件300上。接裝板800也包括成梯狀的內(nèi)部部分802,成梯狀的內(nèi)部部分802設(shè) 置于反射表面152與內(nèi)部擱板部325之間。另外，通孔226完全形成于內(nèi)部擱板部325中。 在本實施例中，相對于圖示于圖2A至圖7中的接裝板106中所描述的偏橢圓形形狀，通孔 226的第一開口 803A包括圓形形狀。
[0042] 成梯狀的內(nèi)部部分802包括第一肩部805,第一肩部805設(shè)置于反射表面152與第 一內(nèi)壁810之間。第一肩部805從反射表面152徑向向外延伸且與第一內(nèi)壁810以實質(zhì)上 正交的角度（例如85度至95度）接合。第二內(nèi)壁815具有徑向尺寸（例如距縱軸228的 距離），所述徑向尺寸稍大于第一內(nèi)壁810的徑向尺寸，第二內(nèi)壁815與內(nèi)部擱板部325以 實質(zhì)上正交的角度接合。倒角820可設(shè)置于第一內(nèi)壁810與第二內(nèi)壁815之間。
[0043] 圖8B為圖8A的接裝板800的等距底視圖。通孔226的第二開口 803B圖示于第 一環(huán)形部204的向內(nèi)延伸的表面224。也圖示兩個長形通道222,長形通道222在第一環(huán)形 部204的向內(nèi)延伸的表面224中形成。長形通道222中的每一個長形通道包括孔223,電氣 連接器825可被設(shè)置在孔223處。電氣連接器825包括導(dǎo)管830,導(dǎo)管830具有帽835和插 座840。導(dǎo)管830容納電線和電氣連接器，所述電線和電氣連接器為燈安裝設(shè)備219 (圖示 于圖2A)和燈150(圖示于圖8A)提供電力連接。電氣連接器825通過固定器845固設(shè)于 第一環(huán)形部204中。
[0044] 根據(jù)圖2A至圖7的接裝板106的實施例，或根據(jù)圖8A至圖8B的接裝板800的實 施例，圖9為接裝板900的一部分的示意截面圖，所述圖圖示不同的傳導(dǎo)區(qū)905A至905E，這 些傳導(dǎo)區(qū)形成在接裝板900與相鄰部件中或之間。第一傳導(dǎo)區(qū)905A形成于屏蔽環(huán)126的 環(huán)形部127的邊界與屏蔽管120的肩部區(qū)域123的周邊表面之間。第二傳導(dǎo)區(qū)905B形成 于接裝板900的主體200的會聚部330的表面與屏蔽環(huán)126的環(huán)形部127的周邊的外表面 之間的空間中。第三傳導(dǎo)區(qū)905C形成于通孔226(只圖示一個）中。第四傳導(dǎo)區(qū)90?形 成于接裝板106的主體200的第二內(nèi)部表面340與屏蔽環(huán)126的外周邊表面之間。第五傳 導(dǎo)區(qū)905E形成于反射器環(huán)148的內(nèi)周邊表面與基座108的主體的外表面之間。相鄰部件 (這些部件形成傳導(dǎo)區(qū)905Α、905Β、90?、905Ε)表面間的間隔和部件的尺寸（比如通孔226 的直徑）可被提供以產(chǎn)生期望的傳導(dǎo)，所述期望的傳導(dǎo)最佳化處理過程中的壓強。
[0045] 進行沉積腔室100的測試。在不同的工藝條件下由區(qū)905A至905E中的每一區(qū)的 阻力值計算關(guān)于區(qū)905A至905E的總傳導(dǎo)值，所述工藝條件比如濺射源114與基板138 (兩 者皆圖示于圖1)之間的距離以及屏蔽環(huán)126的約略溫度。制表測試結(jié)果時，傳導(dǎo)區(qū)90? 與905E被認(rèn)為并聯(lián)至傳導(dǎo)區(qū)905C，且以串聯(lián)增加到傳導(dǎo)區(qū)905A、905B。
[0046] 圖2A至圖7的接裝板106的示例性傳導(dǎo)值如下。一種測試結(jié)果以屏蔽環(huán)126的 約略溫度為約400攝氏度及濺射源114與基板138之間的間距是約393mm進行，該測試結(jié) 果產(chǎn)生約1. 56的總傳導(dǎo)。另一測試結(jié)果以屏蔽環(huán)126的約略溫度為約25攝氏度及濺射源 114與基板138之間的間距是約393mm進行，該測試結(jié)果產(chǎn)生約2. 96的總傳導(dǎo)。另一測試 結(jié)果以屏蔽環(huán)126的約略溫度為約400攝氏度及濺射源114與基板138之間的間距是約 405mm進行，該測試結(jié)果產(chǎn)生約2. 073的總傳導(dǎo)。
[0047] 圖8A與圖8B的接裝板800的示例性傳導(dǎo)值如下。一種測試結(jié)果以屏蔽環(huán)126的 約略溫度為約400攝氏度及濺射源114與基板138之間的間距是約393mm進行，該測試結(jié) 果產(chǎn)生約7. 534的總傳導(dǎo)。另一測試結(jié)果以屏蔽環(huán)126的約略溫度為約25攝氏度及濺射 源114與基板138之間的間距是約393mm進行，該測試結(jié)果產(chǎn)生約6. 678的總傳導(dǎo)。另一 測試結(jié)果以屏蔽環(huán)126的約略溫度為約400攝氏度及濺射源114與基板138之間的間距是 約405mm進行，該測試結(jié)果產(chǎn)生約11. 136的總傳導(dǎo)。
[0048] 雖然上述內(nèi)容針對本發(fā)明的實施例，但在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可 設(shè)計本發(fā)明的其他及進一步的實施例。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于沉積腔室的接裝板，所述接裝板包含： 主體； 安裝板，所述安裝板中心地定位于所述主體上； 第一環(huán)形部，所述第一環(huán)形部從所述安裝板的第一表面縱向地延伸且從所述安裝板的 外表面徑向向內(nèi)設(shè)置； 第二環(huán)形部，所述第二環(huán)形部從所述安裝板的相對的第二表面縱向地延伸且從所述安 裝板的所述外表面徑向向內(nèi)設(shè)置；及 鏡面加工表面，所述鏡面加工表面設(shè)置于所述第二環(huán)形部的內(nèi)部，所述鏡面加工表面 具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
2. 如權(quán)利要求1所述的接裝板，其中所述鏡面加工表面包含約70 %至約90%的反射 率。
3. 如權(quán)利要求2所述的接裝板，其中所述鏡面加工表面是彎曲的。
4. 如權(quán)利要求2所述的接裝板，其中所述鏡面加工表面包含約72%的反射率。
5. 如權(quán)利要求1所述的接裝板，其中所述主體包含： 第一面和第二面，所述第一面設(shè)置于第一平面中，所述第二面與所述第一面相對；及 第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁接合至第一表面，所述第一側(cè)壁設(shè)置于第二平面中，所述第二 平面實質(zhì)上垂直于所述第一平面。
6. 如權(quán)利要求5所述的接裝板，其中所述主體進一步包含： 第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁接合至第二表面，所述第二側(cè)壁設(shè)置于所述第二平面中；及 向外延伸的凸緣，所述向外延伸的凸緣耦接在所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁間。
7. 如權(quán)利要求1所述的接裝板，其中所述主體包括形成于所述主體中的熱控通道。
8. 如權(quán)利要求7所述的接裝板，其中所述熱控通道實質(zhì)上外接所述第一環(huán)形部與所述 第二環(huán)形部之一或二者。
9. 一種用于沉積腔室的接裝板，所述接裝板包含： 主體，所述主體具有第一面和第二面，所述第一面設(shè)置于第一平面中，所述第二面與所 述第一面相對； 第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁接合至第一表面，所述第一側(cè)壁設(shè)置于第二平面中，所述第二 平面實質(zhì)上正交于所述第一平面； 第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁接合至第二表面，所述第二側(cè)壁設(shè)置于所述第二平面中；及 向外延伸的凸緣，所述向外延伸的凸緣耦接在所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁間。
10. 如權(quán)利要求9所述的接裝板，其中所述第二面平行于所述第一平面。
11. 如權(quán)利要求10所述的接裝板，其中所述第一側(cè)壁包含第一環(huán)形部，所述第二側(cè)壁 包含第二環(huán)形部。
12. 如權(quán)利要求11所述的接裝板，其中所述第一環(huán)形部與所述第二環(huán)形部包含內(nèi)部擱 板部。
13. 如權(quán)利要求11所述的接裝板，其中所述第二環(huán)形部包含會聚部，所述會聚部與所 述第二側(cè)壁相對。
14. 如權(quán)利要求11所述的接裝板，其中所述主體包含熱控通道，所述熱控通道至少部 分地形成于所述向外延伸的凸緣中。
15. -種用于沉積腔室的接裝板，所述接裝板包含： 主體，所述主體包含第一環(huán)形部和第二環(huán)形部，所述第一環(huán)形部具有第一面，所述第一 面設(shè)置于第一平面中，所述第二環(huán)形部具有第二面，所述第二面設(shè)置于所述第一平面中與 所述第一面相對； 第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁接合至第一表面，所述第一側(cè)壁設(shè)置于第二平面中，所述第二 平面實質(zhì)上正交于所述第一平面； 第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁接合至第二表面，所述第二側(cè)壁設(shè)置于所述第二平面中；及 向外延伸的凸緣，所述向外延伸的凸緣耦接在所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁間，所述 向外延伸的凸緣具有熱控通道的至少部分形成于所述向外延伸的凸緣中。
【文檔編號】H01L21/324GK104246984SQ201380021867
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月25日
【發(fā)明者】阿希什·戈埃爾, 阿納塔·蘇比瑪尼, 莫里斯·E·尤爾特 申請人:應(yīng)用材料公司